Патенты с меткой «гелия»

Номер патента: 1163162

Опубликовано: 23.06.1985

Авторы: Грицына, Киян, Коваль, Фогель

МПК: G01J 3/40

Метки: возбуждения, гелия, неона, спектров

...возбуждения спектров гелия и неона, включающему облучениемишени ускоренными ионами указанныхгазов, на поверхность мишени, помещенную в вакуумную камеРу, направляют поток па-ов форвакуумного масла,нагретого до 80-100 С.При таком одновременном воздействии на мишень пучкд ионов и паровмасла ВМна поверхности мишени возникает свечение, Анализ спектрального состава этого свечения с помощьюспектрографа ИСПпоказал, что в спектре присутствуют молекулярные полосы и атомарные линии частиц той же природы, что и ионный пучок ( гелия или неона) . Оптимальный интервалтемператур установлен экспериментально,П р и м е р 1, Металлическая мишень (Сц) помещается в вакуумную камеру,окачанную до вакуума10 мм рт. ст. Затем на поверхиость мишени...

Номер патента: 1119463

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Балин, Воробьев, Маев, Семенчук, Смиренин

МПК: G01T 1/185, G01T 5/02

Метки: гелия, мезоиона, образования, скорости

...примесь;С - коэффициент прилипаниямюона ( 0,07),После введения в мишень гелия меняется выход продуктов синтеза иэ-заперехвата мюона на гелий и временноераспределение примет вид:д ъ 1- = к е ъ дц .ДаС =й, еаад 1 д(1.м.ЛДй,1119463далее идет реакция ядерного синтеза (1)..Дальнейшая процедура измеренияполностью аналогична приведенной5 выше. где 1 ОЙ =)а+Ъ ф Сне "нер цскорость образования меедзоиона гелия (Не ) засчет атомного захвата(прямая посадка). 10На первом этапе измерений с чистымдейтерием определяется Йи А =аЬ. После введения гелия меняется уголнаклона временного распределения(см.фиг.2) за счет величины Сне Ъне Ч15откуда и определяется скорость перехвата Ъ нп . Изменение амплитудыпроисходит из-за добавки величины9 с 11 п фНе....

Номер патента: 1187034

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Большаков, Ошемков, Петров

МПК: G01N 21/64

Метки: анализа, гелия, неона, содержание, спектрального

...в послесвечении в зависимости от времени задержки импульса флуоресценции относительно момента обрыва импульса разряда при различных концентрациях неона. Найденное таким образом время задержки, при котором отношение сигнала флуоресценции к шуму излучения плазмы оказывается максимальным, называемое оптимальным, устанавливается затем в измерительном устройстве посредством системы управления при проведении анализов.Результаты анализа гелия на содержание примеси неона состоят в 1 следующем.Интенсивность суммарного шума, вызванного флуктуациями излучения самого гелия и неселективно рассеянного лазерного излучения самого гелия и неселективно рассеянного лазерного излучения в послесвечении, всегда меньше, чем в стадии разряда (фиг, 2).Сигнал...

Номер патента: 1257726

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Герасимов, Гершаник, Есипов, Ляликова

МПК: H01J 49/26

Метки: анализа, водорода, газах, гелия, масс-спектрометрического, микропримесей, тяжелых

...может быть на несколько порядков вьппе. Действительно, в первые моменты времени после подачи анализируемого газа в ионный источник попадают молекулы только легкого компонента газовой смеси. Молекулы тяже; 30 35 40 45 лых компонентов при этом еще находятся в объеме пористой перегородки.Основное условие практического осуществления предлагаемого способа состоит в достаточно большом времени прохождения газа через пористую перегородку с тем, чтобы успеть до появления в ионном источнике тяжелолетучего компонента определить содержащая легколетучего компонента и перекрыть затем поток анализируемой смеси вприбор. Если расход основного компонента газовой смеси через пористую перегородку в 100 раэ превышает пропускную способность...

Номер патента: 1275282

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Бакалдин, Олейник, Юдин

МПК: G01N 27/68

Метки: гелия, содержания

...9регистрации информации. Магциторазрядный датчик 5 гелия установлен наизмерительной магистрали 6 с помощьюкронштейна 17 тагсгм образом, что кварцевая мембрана 18, напаянная на верхний конец натекатзля 19, входит в отверстие, вьгпалценцое в боковой стенке измерительной магистрали 6, выступая над ее Езцутрецней поверхностьюне более чем на 01-0,2 мм. Кронштейн17 крепится к корпусу датчика 5 гелия зпаксиДегым кампауе 1 ДОМ 20. Корпусдатчика гелия содержит магнитаразрядный детектор давления (не показан),который одновременно с измерениемдавления, устаггавливающегося во внутреннем объеме датчика 5, выполняетФункцию насоса, поглощая гелий, проникагащий в датчик 5 через кварцевуюмембрану 18, Терглсдатчик 11 устанав"ливается в отверстие в...

Номер патента: 1354251

Опубликовано: 23.11.1987

Автор: Мирнов

МПК: G21B 1/00

Метки: вакуумного, водорода, газовых, гелия, изотопов, объема, первой, продуктов, реактора, стенки, токамака, удаления, эррозии

...УРОВНРМ ДОПСЛНИтЕЛЬПОГО НаГрева и дроссельной заслонкой 7 откачки.Требования к плазме экранирующихшнуров определяются ее ионизационными свойствмаи пс отношению к гелию.На фиг.4 по оси ординат отложенызначения скоростньх коэффициентов ионизации (Ъе Сс) к,к Для ГРлия и ВОДОрода в зависимости от электроннойтемпературы ТДля эффективного захвата атомаплазменным шнуром необходимо, чтобыпоперечный размер шнура а был сравним или превосходил длину пробегаатома в плазме до ионизацииАтомы отражаются от диверторных пластин со средними энергиями, близкимик 0,1 эВ. Тогда1 О5 Ч бе е кок10л - см 1,ЗВ, . 4 сснокИз хода кривой ,б)иондля гелня Видно, что при Выборе Т не следуетопускаться ниже 30 эВ, УвеличениеТ, выше 40 эВ также нежелательнорастут...

Номер патента: 1160823

Опубликовано: 30.11.1987

Авторы: Белянин, Сулема, Черданцев, Шадрин

МПК: G01N 23/22

Метки: гелия, ядерно-физический

...Пересчетна основе известных кинематическихсоотношений показывает, что сечениевылета ядер отдачи гелия при рассеянии 4 НЕ (" О,о) 0 максимально в угловом диапазоне примерно в 10 , расположенном около нуля градусов относительно направления падения ионовпучка. Это обстоятельство являетсярешающим при выборе угла регистрациивылетающих из мишени ядер отдачигелия. Малые углы регистрации ядеротдачи способствуют также увеличениютолщины анализируемой пленки.Предложенный способ осуществляется следующим образом (фиг. 2).Из ускорителя пучок 1 ионов кислорода 0 направляют на мишень 2,профиль концентрации (ПК) гелия в которой подлежит определению. Ядра отдачи гелия, выбиваемые из мишени 2ионами пучка 1 в результате упругого1соударения, регистрируют...

Номер патента: 1359602

Опубликовано: 15.12.1987

Автор: Дарбинян

МПК: F25B 43/02, F25B 9/02

Метки: гелия, масла, сжатого

...16 поступает в вихревую трубу 7. В результате уменьшения площади сечения сопла 16 на входе в вихревую трубу 7 скорость газожидкостного потока гелия возрастает. Газожидкостный поток гелия после входа в вихревую трубу 7 движется к обтекателю 9, достигнув которого, разделяется на периферийный и осевой потоки. Периферийный поток проходит обтекатель 9 и попадает в диффузор 10, а осевой поток после отражения от обтекателя 9 возвращается противотоком и через диафрагму 8 поступает в основной фильтр 4. На выходе из фильтра площадь проходного сечения потока увеличивается, а его скорость уменьшается, поэтому вновь происходит объемная сепарация масла, которое выпадает в полости 5, а гелий через патрубок 6 поступает к потребителю, При движении...

Номер патента: 1370489

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Белянин, Сулема, Черданцев, Шадрин

МПК: G01N 1/00

Метки: гелия, конструкционных, материалах, образцов, реактора, содержанием, термоядерного, эталонных

...слоя можно сделать любой в зависимости от времени и скорости напыления. Изготавливают эталонный образец для анализа гелия методом ядер отдачи. Для напыления используют алюминий, поскольку это материал с низкой температурой плавления, значения тормозной способности ионов в котором хорошо известны. С помощью термического испарителя на алюминиевую подложку толщиной 10 мкм напыпяют алюминий со скоростью 60 А/мин. Одновременно с помощью ионного источника имплантируют ионы гелия с энергией 50 кэВ при температуре подложки, равной 25 С.При плотности тока ионов 10 мкА в течение 2,8 ч на подложке образуется слой алюминия толщиной 1 мкм, равномерно насыщенный гелием с концентрацией 6 10 ат/см . Концентрация гелия может быть увеличена путем...

Номер патента: 1409891

Опубликовано: 15.07.1988

Авторы: Боровиков, Боровикова

МПК: G01N 11/00, G01N 15/00

Метки: анализа, гелия, жидкого, свойств, физических

...для измерения АЧХ пьезорезонатора (фиг. 1) содержит измерительную камеру 1 в криостате 2 растворения, В камеру 1 конденсируют через капилляр 3 исследуемый растворНе - Не, анализируемый с помощьюпьезорезонатора 4 (пластины из пьезоэлектрического материала). Напряжение треубемой частоты с синтезатора 5подают на делитель из сопротивленийК .,(6) - К (7), а проходящий черезпьезорезонатор ток преобразуется спомощью трансформатора 8 в напряжение, которое измеряют с, по-мощью вольтметра 9. Температурув камере 1 контролируют термометром 10 сопротивления. АЧХ пьеэорезонатора 4 получают, регистрируя показания вольтметра 9 в зависимостиот частоты синтезатора 5, По снятым АЧХ определяют Г, - частоту точки пересечения АЧХ (фиг. 2) и...

Номер патента: 1469292

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Голуб, Михеев, Рудавский, Чаговец

МПК: C01B 23/00, G01N 11/00

Метки: гелия, изотопов, исследования, растворов, сверхтекучих, свойств, физических

...размер измерительной камеры можно выбрать таким, чтобы можно Гыло разместить в ней все необходимые для исследований датчики,Расширение диапазона рабочих температур обеспечивается тепловым контактом измерительной камеры с источником низкой температуры. Таким образом, температура исследуемого раствора может быть как угодно низкой,такой, какую может дать источник низких температур.Наличие тепловых контактов междуучастками капилляра и последующимиступенями предварительного охлаждения обеспечивает уменьшение теплопритока к измерительной камере по капилляру, что способствует достижению вней возможных низких температур.На чертеже приведена схема предложенного устройства,Устройство содержит управляющуюкамеру с нагревателем 2 и термометром 3,...

Номер патента: 1483301

Опубликовано: 30.05.1989

Автор: Кузьмина

МПК: G01M 3/02

Метки: гелия, диффузионно-магниторазрядный, индикатор

...среде трубопровод 4 изолируется от системы подачи испытуемойсреды и соединяется с системой откачки - испытуемая среда удаляетсяот мембраны 2 индикатора,50Поньппение чувствительности предла"гаемого индикатора обеспечиваетсягерметичным подсоединением мембранык системе откачки посредством трубопровода 4 выполненного из термостойФ55кого материала с малым коэффициентом теплопередачи (кварц, стеклои др,), а также размещением нагревателя 3 мембраны 2 с внешней стороны мембранного узла, в результате чего уменьшается фоновый разрядный ток индикатора, особенно при повышении температуры нагревателя 3. Уменьшение нестабильности также достигается герметичным подсоединением кварцевой мембраны 2 к системе откачки посредством трубопровода 4,...

Номер патента: 1529023

Опубликовано: 15.12.1989

Авторы: Стасевич, Шевякова

МПК: F25J 1/02

Метки: гелия

...при низкой температуре, за счет чего повышается сорбционная емкость сор бента. В ступени 4 криоагентом является жидкий гелий при температуре А 4,2 К, при которой обеспечивается высокая степень очистки от водорода.После отработки ступеней очистки осуществляют их регенерацию и подготовку к работе, При этом ступени отогревают. Первоначально отсекают подачу гелия в ступени очистки. Отогрев ступеней начинают одновременно.55 Сливают жидкий криоагент иэ ступени 4 и полости 16. Сброс давления газа осуществляют замедленно в направлении движения очищаемого потока из трубопровода выход гелия или из линии 14. При этом теплый газ, последовательно проходя ступени очистки, переносит тепло на холодный конец, частично отогревая ступени. После полного...

Номер патента: 1601525

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Вилт, Кузнецов, Пилл, Хаамер

МПК: G01F 23/24

Метки: гелия, жидкого, уровнемер

...с жидким гелием так, чтобы его верхняячасть находилась при температуре,близкой к комнатной. Вследствие теплапритока по металлической трубе 3,а частично по трубке 5 из диэлектрика, сверхпроводящему проводу 6 итеплопритока, обусловленного рабочимтоком датчика, часть провода 6, находящаяся над гелием, поддерживаетсявыше критической температуры (8 К),в то время как погруженная в жидкийгелий часть провода находится всверхпроводящем состоянии. Мостоваясхема 1 измеряет сопротивление нормального участка ИЬТ 1: провода, которое определяется положением уровнягелия,Диэлектрическая трубка в значительной мере ограничивает конвективное охлаждение сверхпроводника парами гелия. Тонкостенная металлическая труба одновременно используетсякак обратный...

Номер патента: 1626063

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Клебанер, Котенко, Лавренченко, Симоненко

МПК: F25J 3/08

Метки: газа, гелия, природного

...1 и риродного газа, снабженный устройством очисткигаза от влаги и примесей, устройство 2 длясжигания газа, сосуд-накопитель 3 технического гелия, регенеративные теплообменники 4 и 5, расположенные насообщающихся сосудах 6 и 7, снабженныхпоршнями 8 и 9 и впускными 10 и 11 ивыпускными 12 и 13 клапанами, рекуперативный теплообменник 14, внешний источник 15 холода, отделитель 16 жидкости,двухходовые вентили 17-19. Сообщающиеся полости сосудов 6 и 7 заполнены легкоконденсирующимся газом, например,изобутаном или фреоном и соединены между собой капилляром,Установка работает следующим образом,Иэ источника 1 природный газ подаетсяв сжигающее устройство 2, откуда высокотемпературные продукты сгорания поочередно подаются в...

Номер патента: 1645796

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Андреев, Бажанова, Барсук, Берго, Блинов, Загребина, Ковынев, Мирошниченко

МПК: F25J 3/02

Метки: более, гелия, одновременного, тяжелых, углеводородов, этана

...второй гелиевой колонны (не показана), затем дросселируют до 3,9 МПа и подают на отпарку растворенного о жидкости гелия е колонну 13, Отсюда обогащенный гелием газ(10 от сырьевого потока) направляют на дальнейшее концентрирование, а жидкую фазу разделяю нэ дна потока, Одну часть (93 - 95%) жидкой фазы колонны 13 дросселируют до 3,8 МПа и частично испаряю 1 в теплообменнике 4 е диапазоне температур 179 - 191 К, после чего смесь разделяют в сепараторе 11, Жидкости сепараторов 10 и 11, о которых концентрации зтанапропана возросли более чем в 4 и 7 раз соотнетстоенно, после дросселирования и смешения при давлении 1,85 МПа понти полностью испаряют в диапазон: температур 177 - 238 К в теплообменниках б и 3 для конденсации и переохлаждения...

Номер патента: 1419241

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Гусев, Девятых, Изотов, Красотский, Крылов, Лазукин, Потапов, Саркисов, Чудинов

МПК: F25J 1/02

Метки: высокочистого, гелия

...10-30 изалипают в )(риостдт 1. Зонд 2 опускают до контакта теплопроводящего стержне держателя фильтра с жидки гели, ем, при этом глубина погруженил контролруетсе измерителем 6С поощьюнагревателя Э подводится мощность,, необходимал для создания требуемой скорости испарение жидкого гелин,затеи гелий проходиг через 4 ельтреощнй элемент 5 и иостутает к потреби" ,телю.П р и и е р 1. Жидкий гений вколичестве 30 и эюнвеот в криостат,зонд опускают до контакта с жидкимгелием. Глубин погружения тенлопро"водящего стержи держателе Фиьтраустанавливаетсе равной Э сл и ноддерживеетсл постолииой в течение проведение процессе, Пегрееегель пккнеет,и к жидииу геи иодеГ,т ощиость2 О33 т. Давление н кемере криостета устанавливают равным 3,2 етч....

Номер патента: 1686277

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Довбиш, Михайлов, Ронжин, Филин

МПК: F25B 21/00

Метки: гелия, магнитный, рефрижератор, сверхтекучего

...перехода гелия в сверхтекучее состояние, например нениже 2,2 К.Рефрижератор работает следующим образом.В период увеличения магнитной индукции в верхнем элементе 1 его температура увеличивается, при этом в процессе кипения . происходит отдача тепла от верхнего элемента 1 к теплоприемнику - жидкому Не. В это же время происходит уменьшение индукции магнитного поля в нижнем элементе 2 рабочего тела. При этом его температура понижается ниже температуры образования сверхтекучего гелия, что приводит к охлаждению сверхтекучего гелия в полости 6 криостатирования путем конденсации его паров на нижней торцовой поверхности элемента 2. В этот период времени тепловая связь между элементами 1 и 2 рабочего тела разорвана вследствие низкого...

Номер патента: 1709203

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Казакевич, Смирнов

МПК: G01N 27/62, H01J 49/26

Метки: газовых, гелия, концентрации, смесях

...так как напуск чистогпровеояемой смеси в течеискатедится при атмосферном давлфторопластовую пленку типа Фрая практически непроницаема длзов, кроме гелия,Способ осуществляют следующим об зом.Натекатели для чистого гелия и проверяемой смеси продуваются воздухом и фиксируют нулевой сигнал течеискателя аО. После этого в течение 50 - 60 с продувается натекатель с меньшей проницаемостью чистым гелием с избыточным давлением 0,05 0,1 кгс/см, Через 5 - 10 с после продувкигфиксируется сигнал на чистый гелий ане. Повторно продувается этот натекатель воздухом в течение 1 - 2 мин и фиксируется/нулевой сигнал ао. После этого в течение 50 - 60 с продувается другой натекатель проверяемой смесью давлением 0,05 0,1 кгс/см.,- -.:.ираж ПодписноеВЯИ 1...

Номер патента: 1770818

Опубликовано: 23.10.1992

Автор: Бородзич

МПК: G01N 7/10, G05D 11/00

Метки: газовых, гелия, измерителя, калибровки, массопотоков, мембрану, основе, селективную, смесей

...возможного локального отличия фоновой концентрации от принятого стандарта ( Сф в 510 об.).Таким образом, согласно заявленному способу калибровки измерений осуществляют следующим образом.В первом цикле измерений, как и в прототипе, в измерительный тракт к селективной (кварцевой) мембране подают путем продувки фоновую смесь, взятую в атмосфере в пункт измерения). Продувку осуществляют, как правило в течение й = Зт чтобы получить стационарное значение аф, т,к, .- Ьс/ха(Ь 1) =аф(1 - е ), Р) где т - постоянная времени индикатора; Ь 1 - время измерений (продувки). Давление смеси при продувке, как пра вило, выше атмосферного (на доли процента), эа счет аэродинамического сопротивления тракта, если фоновую смесь вдувают ( например...

Номер патента: 1816228

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Джозеф, Карл, Клаус, Ханс, Херберт, Эрвин

МПК: B01D 53/04, C01B 23/00

Метки: гелия, извлечения

...суммарном времени цикла 720 с продолжительностью снижения давления противотоком в примере составляет 55 с,После снятия давления противотоком адсорбер А при операции Т 5 ЕЧ) при открытом клапане 11 с помощью вакуумного насоса 80 откачивают от атмосферного давления Р 2 до конечного давления Р 1, например до 50 мбар. Откачанная при этом бедная в отношении гелия газовая смесь поступает в трубопровод отходящего газа 93. При суммарном времени цикла 720 с откачивание в примере продолжается 115 с.В откачанном адсорбере А вслед за тем при операции Т 6 ОА) при выравнивании давления с адсорбером В, преимущественно осуществляемом как выравнивание давления головной части и дна, давление повышается от конечного давления Р до промежуточного давления...

Номер патента: 1816229

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Джозеф, Карл, Клаус, Ханс, Херберт, Эрвин

МПК: B01D 53/04, C01B 23/00

Метки: гелия, обогащения

...давлений в примере производится так, что обогащенная гелием газовая смесь прямотоком выво.дится из адсорбера С и в противотоке разгружается с уменьшением давления в адсорбер А выравнивание давлений верх- верх). При этом повышается давление в адсорбере А с промежуточного давления Рз до промежуточного давления Р, например, 11,7 бар, в то время как одновременно в адсорбере С давление снижается с давления адсорбции Рь до промежуточного давления Ра. После двукратного выравнивания давлений в конце полученным продукт-газом давление в адсорбере А повышается с более высокого промежуточного давления Р 4 до давления адсорбции Рь например, 20 бар (повышение давления ОАЗ, операция ТЯ). После этого в адсорбере А начинается новый шаг адсорбции...

Номер патента: 1838769

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Кузьменко, Лабутин, Лавренчук

МПК: B64B 1/58, G01M 9/00

Метки: водорода, гелия, интегратора, поверки, расхода

...динамометру 1. После этого динамометр 1 40 блокируется фалом 16 и по газопроводу через подается контрольная порция газа в оболочку 3 через интегратор, с фиксацией времени выдачи по секундомеру, Затем к оболочке аэростата подвешиваются образ цовые грузы 12 до примерного уравновешивания подъемной силы влитого в оболочку газа, оболочка 3 выдерживается в течение 30 мин для стабилизации подъемной силы и выравнивания температуры в оболочке, за тем динамометр 1 разблокируется, Путем суммирования показаний динамометра 1 с общим весом подвешенных образцовых грузов определяется значение подъемной силы влитого в оболочку газа М. Далее всеоперации выполняют еще 2 раза.Предел допустимой погрешности интегратора 9 определяется с использованием...

Номер патента: 1429791

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Большаков, Волконский

МПК: G01V 9/00

Метки: гелия, месторождений, поисков

СПОСОБ ПОИСКОВ МЕСТОРОЖДЕНИЙ ГЕЛИЯ, включающий обнаружение газовых ловушек в земной коре и их разбуривание с отбором и анализом проб, отличающийся тем, что, с целью целенаправленного поиска месторождений гелия в областях распространения многолетнемерзлых толщ, предварительно в исследуемом регионе измеряют пластовые давления и температуры, выделяют зоны, благоприятные для образования газовых гидратов, определяют в этих зонах фазовое состояние газов и по наличию газовых гидратов судят о наличии месторождений гелия в ловушках, расположенных ниже зоны гидратообразования.

Номер патента: 1272860

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Дубасов, Мымриков

МПК: G01F 23/22

Метки: гелия, датчик, жидкого, уровня

ДАТЧИК УРОВНЯ ЖИДКОГО ГЕЛИЯ, содержащий сверхпроводниковую нить и нагревательную обмотку, намотанную по длине нити, отличающийся тем, что, с целью уменьшения тепловыделения в жидкий гелий, нагревательная обмотка электрически соединена точечными контактами со сверхпроводниковой нитью через заданные промежутки по длине нити.

Номер патента: 527090

Опубликовано: 20.07.2000

Авторы: Витушинский, Горохов

МПК: F17C 13/00

Метки: гелия, жидкого, перелива

1. Устройство для перелива жидкого гелия из сосуда Дьюара, содержащее сифон, выполненный в виде размещенных одна в другой трубок, снабженных регулирующим вентилем, отличающееся тем, что, с целью повышения безопасности обслуживания при смене сосуда Дьюара, на погружаемом в сосуд Дьюара конце сифона закреплен открытый снизу сильфон из эластичного материала.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что нижний конец сильфона закрыт крышкой с отверстиями, сообщающими внутреннюю полость сильфона с сосудом Дьюара и атмосферой.