Датчик уровня жидкого гелия
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
ДАТЧИК УРОВНЯ ЖИДКОГО ГЕЛИЯ, содержащий сверхпроводниковую нить и нагревательную обмотку, намотанную по длине нити, отличающийся тем, что, с целью уменьшения тепловыделения в жидкий гелий, нагревательная обмотка электрически соединена точечными контактами со сверхпроводниковой нитью через заданные промежутки по длине нити.
Описание
Цель изобретения - уменьшение тепловыделения в жидкий гелий.
На чертеже изображена схема устройства.
Датчик уровня жидкого гелия содержит сверхпроводниковую нить 1, нагревательную обмотку 2, электрические контакты 3, причем на сверхпроводниковую нить 1 укладывается равномерно нагревательная обмотка 2, которая соединяется с нитью электрическими контактами 3.
Устройство работает следующим образом.
Работа датчика поясняется эквивалентной электрической схемой (фиг.2), на которой изображены: R1 и R3 - эквивалентные сопротивления несверхпроводящих участков нити, R2 - эквивалентное сопротивление участков нагревательной обмотки, i1 - i5 - токи в элементах датчика.
При наличии жидкого гелия на уровне С часть АС сверхпроводниковой нити АЕ является несверхпроводящей, а другая ее часть СЕ, погруженная в жидкий гелий, находитcя в сверхпроводящем состоянии.
От источника питания в точки А и Е датчика подается стабилизированный ток i, который создает на эквивалентном сопротивлении участка АС датчика, находящегося над жидким гелием, падение напряжения
U= i1





lАЕ - длина всего датчика,
IСЕ - длина участка СЕ,
lАВ - длина участка АВ.
Напряжение на участке датчика, погруженного в жидкий гелий, равно нулю.
Ввиду того, что основная часть (ДЕ) погруженного в жидкий гелий датчика закорочена сверхпроводниковой нитью, не имеющей активного сопротивления, по тепловыделения будут только от погруженного в жидкий гелий участка нагревательной обмотки с сопротивлением R2 на участке СД, за счет протекания тока i5. Так как часть нити над гелием (участок ВС) несверхпроводящая, имеющая активное сопротивление R3, причем R3 < R1, то и ток i5, меньше тока i2, и, следовательно, тепловыделения на участке ВД будут небольшими по сравнению с прототипом. Эти тепловыделения уменьшаются с увеличением уровня жидкого гелия, когда величина сопротивления R3 падает, а ток i5 уменьшается за счет увеличения тока i4.
Неточность в измерении, появляющаяся за счет шунтирующего влияния нагревательной обмотки, уменьшается при сокращении длины шунтируемого участка и увеличении сопротивления R2 нагревательной обмотки по сравнению с сопротивлением R1 соответствующего участка нити.
Рисунки
Заявка
3902963/10, 29.03.1985
Дубасов В. Г, Мымриков В. В
МПК / Метки
МПК: G01F 23/22
Метки: гелия, датчик, жидкого, уровня
Опубликовано: 30.06.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1272860-datchik-urovnya-zhidkogo-geliya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик уровня жидкого гелия</a>
Предыдущий патент: Способ последовательной штамповки
Следующий патент: Конструкция крепления керамического элемента огнеупорного блока
Случайный патент: Погрузчик