Патенты с меткой «диоксидов»

Номер патента: 400103

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Вернер, Готтфрид, Гюнтер

МПК: C07D 497/00

Метки: 3-карбокси-1-тиа-изохроман-1, диоксидов, производных

...раствор перемешивают в течение 45 час при 80 С. Полученную реакци онную смесь отсасывают, а образовавшийся З-карбокси,7-диметокси-тиа - изохромаи- -1,1-диоксид промывают водой и высушивают.Выход продукта 12 г (61,9% от теоретического); т. пл. 272 - 275 С. 30Температура плавления смеси с аутентичным материалом, получешым в соответствии с описанием примера 1, ие имеет депрессии.Прим ер 3. 26,2 г а-хлор+(3,4-диметоксифенил)-аммоний пропиоиата вносят при посто янном перемешиваиии и охлаждении льдом в 160 мл концентрированной серной кислоты.Полученный сернокислый раствор оставляю";стоять при комнатной температуре в течение 24 час, затем прикапывают в 800 мл воды и 40 перемешиваот при 90 С в течение 48 час. По охлаждении реакционной...

Номер патента: 1118641

Опубликовано: 15.10.1984

Авторы: Бодриков, Васянина, Краснов, Матюков

МПК: C07D 285/08

Метки: 4-тиадиазолидин, диоксидов, замещенных

...г(О, 02 моль ) диметилдисульфида (соотношение бензальанилин:БО :диметилдисульфид 1;20:1). Смесь выдерживаютв запаянной ампуле при комнатной 15температуре в течение 1 сут. Затем5 О упаривают черезхлоркальциевуютрубку, остаток вакуумируют в течение 1 ч. Осадок промывают гексаном.Получают нерастворимого в гексанепродукта (1 а) 1,32 г (31 от расчетного), т. пл, 114 С.При упаривании гексанового фильтра"га выделяют 2,10 г (58 от загруженного) бензалианилина и 8 соединения (П);Найдено, : С 70,54; Н 4,25,М 6,30, Б 7,26.с Н ь,яо 2,Рассчитано, : С 73,24, Н 5,16,В ИК-спектре (спектрофотометрУН) таблетки с КВг соединения(Та)содержат характеристическиееВподосыпоглощения 1 сгл -": 1170-1180 ГвяО ),1400 (аББО), 1225 (С-Н)ю 1520 351620 (С-Сар),...

Номер патента: 1684263

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Горбунов, Уланов

МПК: C01G 43/00, C01G 56/00

Метки: диоксидов, плутония, раствора, твердого, урана

...от содержания АЕз в солевой смеси: при большем содержании требуется меньше времени для полной перекристаллизации исходных диоксида в урана и плутония и твердый раствор (О, 10 Рц)02 и наоборот.Указанные пределы температуры процесса определяются следуащим, Нижний предел (750 С) определяется температурой плавления эвтектической смеси фторидов 15 лития и натрия, величина которой составляет 650 С, Поэтому, чтобы работать без риска заморозить ванну, принят нижний предел температуры процесса, равный 750 С. Увеличение температуры выше 800 С нерациа нально, так как выше этой температуры становится заметной возгонка фторида алюминия из солевой ванны, что может привести к ухудшению условий протекания процесса, 25Установлено, чта при...

Номер патента: 1733383

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Петров, Цирульник

МПК: C01G 25/02, C01G 27/02

Метки: гафния, диоксидов, основе, отходов, пленкообразующего, регенерации, циркония

...после напыления, представляющие собой слитки определенной конфигурации с поверхностью черного цвета (2 гОг-х,5 10 15 20 НЮр-х) без изменения формы закладываютв алундовые тигли, дно и стенки которыхпокрыты тонким слоем порошка соответствующего диоксида (циркония, гафния), тигли помещают в нагретую до 300 С 30высокотемпературную печь с селитовым нагревателем типа "301 О". Печь нагреваютвместе с тиглями до 1200 С со скоростьюподъема температуры 4,5 С/мин. Выдерживают при этой температуре 2 ч, затем печь 35отключают. Восстановление стехиометрического состава 2 гОг, НЮ 2 подтверждаетсякачествам покрытия, полученного при напылении регенерированного материала(кривая 2), Покрытие, полученное из этого 40материала, выдерживает 500 стираний...

Номер патента: 1790551

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Губский, Евсегнеев, Захарченко, Корницкий, Остафьев

МПК: C01G 25/02, C01G 27/02

Метки: гафния, диоксидов, оптических, отходов, регенерации, циркония

...температурный режимпроведейия высокотемпературного окислительного обжига - 900-1.000 С;45Известно, что при 500-600 С гафнийслабо окисляется и покрывается черйымслОем окисла. Начиная с 700 С процесс ускоряется, резко увеличивая скорость при900-1000 С. При 1100-1200 С скорость процесса резко снижается, т,к, происходит спекание окиси гафния,. Это явление связано как с температурным фактором, так и с изменением дефектовв решетке. 55Увеличение времени проведения процесса нецелесообразно в силу большогорасхода электроэнергии, Уменьшение вре-.мени проведения процесса не обеспечиваетполного окисления поверхностной пленки металлизированных Н 1 и 2 г для их перемещения в соответствующие двуокиси,Использование более...