C01G 27/02 — оксиды

Способ регенерации пленкообразующего материала на основе диоксидов циркония и гафния из отходов

Загрузка...

Номер патента: 1733383

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Петров, Цирульник

МПК: C01G 25/02, C01G 27/02

Метки: гафния, диоксидов, основе, отходов, пленкообразующего, регенерации, циркония

...после напыления, представляющие собой слитки определенной конфигурации с поверхностью черного цвета (2 гОг-х,5 10 15 20 НЮр-х) без изменения формы закладываютв алундовые тигли, дно и стенки которыхпокрыты тонким слоем порошка соответствующего диоксида (циркония, гафния), тигли помещают в нагретую до 300 С 30высокотемпературную печь с селитовым нагревателем типа "301 О". Печь нагреваютвместе с тиглями до 1200 С со скоростьюподъема температуры 4,5 С/мин. Выдерживают при этой температуре 2 ч, затем печь 35отключают. Восстановление стехиометрического состава 2 гОг, НЮ 2 подтверждаетсякачествам покрытия, полученного при напылении регенерированного материала(кривая 2), Покрытие, полученное из этого 40материала, выдерживает 500 стираний...

Способ регенерации диоксидов циркония или гафния из отходов оптических материалов

Загрузка...

Номер патента: 1790551

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Губский, Евсегнеев, Захарченко, Корницкий, Остафьев

МПК: C01G 25/02, C01G 27/02

Метки: гафния, диоксидов, оптических, отходов, регенерации, циркония

...температурный режимпроведейия высокотемпературного окислительного обжига - 900-1.000 С;45Известно, что при 500-600 С гафнийслабо окисляется и покрывается черйымслОем окисла. Начиная с 700 С процесс ускоряется, резко увеличивая скорость при900-1000 С. При 1100-1200 С скорость процесса резко снижается, т,к, происходит спекание окиси гафния,. Это явление связано как с температурным фактором, так и с изменением дефектовв решетке. 55Увеличение времени проведения процесса нецелесообразно в силу большогорасхода электроэнергии, Уменьшение вре-.мени проведения процесса не обеспечиваетполного окисления поверхностной пленки металлизированных Н 1 и 2 г для их перемещения в соответствующие двуокиси,Использование более...