Евсегнеев
Способ регенерации диоксидов циркония или гафния из отходов оптических материалов
Номер патента: 1790551
Опубликовано: 23.01.1993
Авторы: Губский, Евсегнеев, Захарченко, Корницкий, Остафьев
МПК: C01G 25/02, C01G 27/02
Метки: гафния, диоксидов, оптических, отходов, регенерации, циркония
...температурный режимпроведейия высокотемпературного окислительного обжига - 900-1.000 С;45Известно, что при 500-600 С гафнийслабо окисляется и покрывается черйымслОем окисла. Начиная с 700 С процесс ускоряется, резко увеличивая скорость при900-1000 С. При 1100-1200 С скорость процесса резко снижается, т,к, происходит спекание окиси гафния,. Это явление связано как с температурным фактором, так и с изменением дефектовв решетке. 55Увеличение времени проведения процесса нецелесообразно в силу большогорасхода электроэнергии, Уменьшение вре-.мени проведения процесса не обеспечиваетполного окисления поверхностной пленки металлизированных Н 1 и 2 г для их перемещения в соответствующие двуокиси,Использование более...
Материал для интерференционных покрытий
Номер патента: 1490100
Опубликовано: 30.06.1989
Авторы: Александров, Аликберов, Бабич, Гайнудинов, Евсегнеев, Козлов, Макаров, Тетерин
МПК: C03C 17/245
Метки: интерференционных, материал, покрытий
...добавку литий (1 фто- фф рид, Затем материалу придавали ком- Ж пактную форму и прокаливали на воздухе при 1350 С в течение 4 ч. Оптические покрытия иэ данного материала 1) получены методсм электронно-лучевогоиспарения на установке ВУА. Давление остаточных газов в камере составляло р=(7-8) 10 торрпвдл=150-200 фС, при этом были использованы подложки иэ следующих материалов: К, КУ, КС 1, НаС 1, Ге, Ско- й рость нанесения равнялась (6-10) хх А /с, Покрытия, полученные из данного материала, испытывались на влагостойкость и механическую прочность .1490100 ет. 15 20 40-60 40-60 Соотноаение Показатель озфФипиен т Граница оанороаностнпрозраеностн, 8- с501 нннпепа ееа Состав иатернала на руопа прочности конлонентов,иас,г...