Цепь питания диода параметрического устройства

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНРЕСПУБЛИК 13744 1)4 Н 03 Р 7/04 РЕТ ескиири Том ете ССРпубли(54) ЦЕПЬ ЧЕСКОГО У ПАРАМЕТРИ ПИТАНИЯ ДИТРОЙСТВАетение отнулучшает ать парамет адио- фазов осится к мплитудн(57) Изобтехнике истабильноИзменение ч. уст ки или игнал уровня нак Ф СУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОПИСАНИЕ ИЗ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(56) Патент США 9 3824482,кл. Н 03 Р 7/00, опублик.Авторское свидетельствоН, кл, Н 03 Р 7/04,1972. приводит к изменению постоянного то- .ка через параметрич. полупроводниковый диод (ПД) 2 и через ПД 4, диф,сопротивление к-рого изменяется пропорционально постоянному току. Изменение сопротивления ПД 4 приводит кизменению режима ПД 2. При малых токах реализуется режим автосмещения,а при больших - режим принудительногосмещения. В результате расстройкарезонансных цепей 1 при измененииуровня сигнала или накачки уменьшается. Внутреннее сопротивление регулируемого источника 3 постоянного смещения не должно превьппать 0,1 величины диф. сопротивления ПД 4. Вольтамперная х-ка ПД 4 должна иметь тотже характер, что и х-ка ПД 2 дляобеспечения плавности перехода из режима с автосмещением к режиму с принудительным смещением. 1 ил.1374402 Формула из обретения Составитель В,ГазаровТехред М. Ходанич Редактор Л.Пчолинская Корректор В.Бутяга Заказ 618/54 Тираж 928 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в радиопередающих и радиоприемных устройствах.Цель изобретения - улучшение амплитудно-фазовой стабильности параметрического устройства.На чертеже приведена цепь питания диода параметрического устройства.К резонансным цепям подключен параметрический полупроводниковый диод 2, Параметрический полупроводниковый диод 2 подключен к регулируемому источнику 3 постоянного смещения через дополнительный полупроводниковый диод 4, который включен с диодом 2 последовательно и согласно по постоянному току. Устройство работает следующим образом.Напряжение накачки и сигнала подается на резонансные цепи 1, к которым подключен параметрический полупроводниковый диод 2, периодическое изменение емкости которого под действием напряжения накачки приводит к усилению либо преобразованию сигнала. Изменение уровня накачки или сигнала приводит к изменению постоянного тока через параметрический полупроводниковый диод 2 и, соответственно, через дополнительный полупроводниковый диод 4, дифференциальное сопротивление которого изменяется пропорционально постоянному току. Изменения сопротивления дополнительного полупроводникового диода 4 приводит к изменению режима параметрического полупроводникового диода 2. При малых токах реализуется режим автосмещения, а при больших - режим принудительного смещения, в результате чего расстройка резонансных цепей 1 при измененииуровня сигнала или накачки уменьшается, Внутреннее сопротивление регулируемого источника 3 при этом недолжно превышать одной десятой величины дифференциального сопротивлениядополнительного полупроводниковогодиода 4, вольт-амперная характеристика которого должна иметь тот же характер, что и вольт-амперная характеристика параметрического полупроводникового диода 2 для обеспеченияплавности перехода из режима автосмещения к режиму принудительного смещения,Цепь питания диода параметрического устройства, содержащая резонансные цпи, к которым подключен параметрический полупроводниковый диод,соединенный с регулируемым источником постоянного смещения, о т л и -ч а ю щ а я с я тем, что, с цельюулучшения амплитудно-фазовой стабильности параметрического устройства,в него введен дополнительный полупроводниковый диод, который включен между регулируемым источником постоянного смещения и параметрическим нолупроводниковым диодом последоватеЛьнои согласно с ним по постоянному току, при этом вольт-амперная характеристика дополнительного полупроводникового диода имеет тот же характер,что и вольт-амперная характеристикапараметрического полупроводниковогодиода, а отношение сопротивления регулируемого источника постоянногосмещения к дифференциальному сопротивлению дополнительного полупроводникового диода не превышает 0,1.