Патенты с меткой «дефектности»

Номер патента: 1714492

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Алексеев, Беспрозванных, Лапенко

МПК: G01N 29/04

Метки: дефектности, изделия

...определить по отношению частот колебаний возмущающей силы при заданном амплитуде отклика для каждого из Й прозвучиваний изделия, По разности между максимальным и минимальным из Й отношений упомянутых частот (выбранных из измеренных параметров резонансных колебаний, соответствующих й измерени55 ям) можно с большой достоверностью контролировать максимальный разброс ширины АЧХ и по ней дефектность изделий (микро- трещины, корроэийные повреждения, дефекты металлургического происхождения и т,п.), так как разность упомянутых отношений частот (максимальная ширина АЧХ или максимальный разброс ширины АЧХ) значительно меньше у бездефектных изделий,чем у дефектных.При контроле иэделий, закалка которыхпо глубине изделия неоднородна, например...

Номер патента: 1741025

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Гриценко, Кабанова, Смирнов, Яковлев

МПК: G01N 21/39

Метки: дефектности, монокристаллических, оксидов, оптически, прозрачных

...материала, но также могут приводить к его разрушению. Для данного рода оксидов пороговая плотность мощности лазерного излучения, приводящая к разрушению материалов)за счет эффекта оптического пробоя), составляет порядка 10 Вт/см и выше, Поэтому для выявления структурных дефектов и выбора бездефектных заготовок для изготовления линз и других оптических элементов без разрушения материалы необходимо облу 2- чать образцы лучом лазера с с10 Вт/см . Предлагаемый способ контроля позволяет выявлять не только структурные макродефекты на поверхности и в объеме материала, но и микродефекты (дислокации и точечные), а также изучать их процесс образования и преобразования при лазерном воздействии, Особенно предлагаемый метод усиливает эффект...

Номер патента: 1755143

Опубликовано: 15.08.1992

Автор: Жихарев

МПК: G01N 23/18

Метки: дефектности, исследования, твердых, тел

...совпадений по-разному зависят от времени, прошедшего после регистрации предыдущего совпадения,т, е. мертвого времени регистрацйи совпа.дений, Расчеты показывают, что при даннойактивности наибольшее отйошениепик/ф,с,с, имеет место, когда мертвое время преобразования время-амплитуда то составляет 2/и,где пс - скорость совпаденийпри малом мертвом времени. При этом следует учитывать, что увеличение мертвоговремени от величины 1 о 10 мкс, характер.ной для собственно регистрирующей аппаратуры, до величины 10 см, определяемойпрйведенным вь 1 ше соотношением, приводит к значительномууменьшению числа регистрируемых совпадений в единицу-времени, т. е. к снижению экспрессностиизмерений, Поэтому конкретная величинамертвого времени выбирается из...

Номер патента: 1772726

Опубликовано: 30.10.1992

Автор: Беспрозванных

МПК: G01N 29/04

Метки: дефектности, изделия

...по сближению полос индикатора устройства "Звук" и осциллографу.3, Частота колебаний определялась по частотомеру Ч 3-34.4. Вычисление отношений частот, а также выражение (1) производилось при помощи микроЭВМ МКс точностью до 7 знаков,5, Пороговые значения контрольных параметров получены после предварительного контроля 207 бездефектных и 423 роликов с разной степенью коррозийного повреждения.6, Были взяты сто бездефектных и стокорроэийно поврежденных роликов (с разной степенью повреждения) перемешаны и проконтролированы тремя способами.Данные контроля сведены в таблицу, По данным опытов (табл,1) видно, чтопредлагаемый способ повышает производительность и точность в оценке коррозий- ного повреждения изделий(в данном случае роликов...

Номер патента: 1772730

Опубликовано: 30.10.1992

Автор: Беспрозванных

МПК: G01N 29/12

Метки: дефектности, изделия, цилиндрического

...величиной этой силы, упругими свойствами изделия, а также соотношением частот внешней силы и частоты собственных колебаний изделия.Частота собственных колебаний изделия, а также его амплитуда определяется формой изделия, его размерами: длиной, шириной, толщиной диаметром). Кроме того эти параметры зависят: от модулей упругости, плотности и коэффициента Пуассона контролируемого материала, а также наличия всевозможных дефектов. Однако, как частота собственных колебаний изделия, так и его максимальная амплитуда при резонансе изменяется в очень малых пределах от величины дефектов поверхности изделия,При экспериментальных исследованиях было выявлено, что наиболее чувствительным параметром контроля и изменяющимся в более широких пределах,...

Номер патента: 1785054

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Дюков, Митюхляев, Петросян, Сагань, Файфер, Шистик

МПК: H01L 21/66

Метки: дефектности, пластин, полупроводниковых, структур

...16 сигнала.,;,.; приведет к тому, что с Момента времени ЙУстройство работает следующим обра-. интегратор 16 будет интегрировать выходзом., : .:ной сигнал логарифмического усилителя 14,Лазер 1 под действием импульса под По истечении времени 2 Ж цифровойжига, сформированного в блоке, управления, Код, сформированйый Счетчиком 5, будет . 2, вырабатывает оптический импульс, кото- совпадать с цифровымкодом Кз, соответсгрый через приемопередающую оптическую вующим моменту времени тз. В момент совсистему 3 излучается в атмосферу по гори- паденйя кодов схема 9 вырабатывает зонтальной трассе. В момент излучения ла-30 импульс, по которому интегратор 16 законзера 1 датчик 4 формирует опорный чит интегрирование информационного сигимпульс,...

Номер патента: 1786414

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Косенчук, Смирнов, Хабаров

МПК: G01N 27/68

Метки: дефектности, изоляции, провода

...и заднего фронта импульса дефекта, позволяетизменять длительность сигнала с дефекта обратно пропорционально скорости движе15 20 25 30 35 40 45 50 55 ния провода, Это обесйечйвает постоянство длины участка провода 1 з, который остается непроконтролированным независимо от скорости движения провода, и уменьшение з по сравнению с прототипом на скоростях движения провода, больших минимальной. Все это повышает точность контроля количества дефектов,пряжений, поясняющие способ и работу устройства; на фиг.З изображена блок-схема формирователя импульса дефекта с коронного разряда; на фиг,4 - пример конкретного исполнения формирователя переднего и заднего фронтов импульса дефекта.Устройство (фиг,1) состоит из источника 1 высокого...

Номер патента: 1800309

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Ашкинадзе, Соловьев, Тикавый

МПК: G01N 1/28, H01L 21/66

Метки: дефектности, кремния, образца, подготовки, структуры

...травителем, на образце приготавливают наклонный шлиф с помощью электрохимического анодного растворения материала при воздействии на поверхность образца некогерентным светом с плотностью энергии Ю 500 Джейсм, после чего выявляют дефектную структуру, переводя процесс травления в селективный режим путем снижения интенсивности облучения до уровня Я 150 Дж/см.(я)5 0 01 И 1/28, Н 01 е относится к может быть исния образцов ния. Сущность разца подверм травителем. лектрохимичении поверхно, Травление ервой стадии е менее 500 е 150 Дж/см,1800309 Составитель А.щитаехред М,Моргентал едактор ректор И,Шулла аказ 1158 ВНИИПИ Гос Тираж Подписноерственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5...

Номер патента: 1582828

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Желамский, Стариков

МПК: G01N 29/14

Метки: дефектности, магнитных, сверхпроводящих, систем

...заведении тока в свер магнитной системе при налич обусловленных механическим ми сверхпроводящей токонесу вод действием пондеромотор никают импульсные электрич жения. С другой сторон возникают импульсы акустичес1582828 Составитель А, Куренков .Редактор Т. Куркова Техред М.Моргентал Корректор Л. Пилипе Заказ 1973 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина,.101 После измерения интервалами времени между моментами появления импульсов электрических напряжений определяется наличие и местоположение дефекта с учетом формулы5Я=Сгде 3 - расстояние отточки приема сигналов акустической эмиссии...

Номер патента: 1108962

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин, Чернышев

МПК: H01L 21/04

Метки: двухслойного, дефектности, диэлектрика, кремния, нитрид, окисел, проводник, структуре, уменьшения, —полупроводник

СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ ДЕФЕКТНОСТИ ДВУХСЛОЙНОГО ДИЭЛЕКТРИКА В СТРУКТУРЕ ПРОВОДНИК НИТРИД КРЕМНИЯ ОКИСЕЛ КРЕМНИЯ ПОЛУПРОВОДНИК, заключающийся в проведении термообработки структуры нитрид кремния окисел кремния - полупроводник в атмосфере кислорода перед нанесением проводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации в структуре, термообработку проводят в атмосфере влажного кислорода при температуре 800 - 1150 oС в пределах одного часа, затем с поверхности нитрида кремния удаляют пленку оксида кремния, образовавшуюся в процессе термообработки, и перед нанесением проводника проводят отжиг в атмосфере водорода при 700 - 1000oС в течение 30 60 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что отжиг...

Номер патента: 1454075

Опубликовано: 27.05.1995

Автор: Сластен

МПК: G01N 29/10

Метки: дефектности, структуры, ультразвукового

СПОСОБ УЛЬТРАЗВУКОВОГО КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТНОСТИ СТРУКТУРЫ МАТЕРИАЛА ИЗДЕЛИЙ, заключающийся в том, что в контролируемом изделии ультразвуковым преобразователем возбуждают импульсы упругих колебаний, периодически изменяют частоту заполнения в пределах каждого электрического импульса возбуждения ультразвукового преобразователя, перемещают преобразователь по поверхности изделия, вращают его вокруг своей оси, принимают эхоимпульсы, отраженные от донной поверхности изделия, и с учетом принятых эхо-импульсов определяют дефектность структуры контролируемого изделия, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контроля, возбуждают импульсы упругих колебаний широкополосным ультразвуковым преобразователем через плоскопараллельный стержневой...