Способ получения микроструктур

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ Своз Советскнх Соцналнстнч вских Республнк(23) Приоритет (32) Н 05 К 3/00 ФЬаударвтюай каиатет СССР ав ааааею вабретеай к отхрытай(72 Авторизобретения ностранная фирм(71) Заявитель 4) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ %ПРОСТРУКТУР аИзобретение относится к способам получения микроструктур металлов или сплавов и может быть использовано при изготовлении манипуляционных образцов накопителей и монтаже интегральных схем.Известен способ изготовления микроструктур, основанный на формировании рисунка в слое металла путем его травления через маску из фоторезиста И. Недостатком этого способа являет" ся значительное подтравливание, т.е. боковое снятие слоя в областях, защищенных фоторезистом.Наиболее близким к предлагаемому является способ получения микроструктур, включающий формирование маски из фоторезиста на тонкой пленке металла или сплава, гальваническое осаждение через маску из фоторезиста подслая золота, основного слоя металла или сплава и защитного слоя золота, удаление маски йз фоторезиста, а также расположенных под ней участков тонкой пленки металла илисплава химическим травлением 23.Однако известный способ не позволяет устранить боковое подтравливание металлической пленки, что сни"жает качество микроструктур.Цель изобретения - повьппенне качества микроструктур путем устранения подтравливания.(П Поставленная цель достигаетсятем, что в способе получения микроструктур, включающем нанесение надиэлектрическую подложку сплошнойпленки металла или сплава, формиров 15 ние на ией маски из фотореэиста,последовательное гальваническое осаждение подслоя золота, основногослоя металла или сплава и защитногослоя золота на участках, незащищен 2 ц ных фотореэистом, удалениемаски .изфоторезиста и расположенных под нейучастков сплошной тонкой пленки металла или сплава, удаление упомянутых участков сплошной тонкой пленки р 6 металла кли сплава проводят путем40 3 9 погружения подложки в слабокислую ванну золоТа и последующего травления образовавшегося слоя золота,В качестве материала сплошной тонкой пленки и основного слоя используют железоникелевый сплав. Причем травление слоя золота проводят в растворе цианистого калия.Способ позволяет получить микроструктуры желаемых размеров, обычно в пределах от 5 до 30 мкм. Равномерная толщина элементов структу" ры обеспечивается благодаря тонкому подслою золота.Уменьшение бокового подтравлива" ния достигается за счет электрохимической обработки подложки на заключительной стадии процесса в слабо- кислой ванне золота, в результате чего происходит замена участков сплошной пленки металла золотом, который легко стравливается в растворе для удаления золота.Способ предпочтительно пригоден для изготовления манипуляционного образца для накопителя, использующего цилиндрические домены.На Фиг. 1-3 изображено устройство, реализующее предлагаемый способ. На подложку 1, например из стекла,керамики или иного диэлектрика, напыляют тонкую сплошную пленку 2 М 1- фГе толщиной 200-300 А , на этот слойнаносят слой 3 фоторезиста. Из слоя3 фоторезиста с помощью фотолитографии Формируют маску, образующуюсоответствующие каналы 4 микроструктуры М 1-Ге.,Далее на незащищенные участкиМ 1-Ге гальваническим путем в ваннезолота осаждают подслой 5 золотаотолщиной около 600 А, который усиливается гальваническим путем основ"ным слоем 6 М 1"Ге толщиной около10000 А фиг. 2 и 3), На основнойслой 6 М 1-Ге гальваническим путемосажцается защитный слой 7 золота. В заключение снимается остаточный слой 3 Фоторезиста и покрытую таким образом подложку. помещают в слабо- кислую ванну золота, причем через несколько минут весь неусиленный слой М 1-Ге, в данном случае толщиной 300 1,.удаляется и заменяется слоем золота соответствующей толщины, который стравливается просто с ломо-. 02682 4щью средства для травления золота,например разбавленным раствором КСМ.При обработке используется слабокислая ванна золота следующего состава, г/л:Цианоаурат калияК(Ац(СМ), 4Сульфаминоваякислота М 50 МН 601 О ТетраэтиленпентаминМН СНСНМН) . 40К этой ванне добавляют 100-200 млглицерина на 1 л, при 25 С, рН5.В ванне проходит реакция обмена,вызываемая разностью потенциалов,возникающей между М 1"Ге и Аи, причемМ 1 Ге переходит в раствор и заменяется эквивалентным количеством Ац.Весь слой М 1 Ге, обычно толщиной 20 200-300 А, растворяется в течение нескольких минут и заменяется слоем золота, соответствующей толщины. Слойзолота стравливают разбавленным раствором КСМ без повреждения гальвани"чески нанесенного слоя М-Ге. Применяемые ранее травильные растворы для М 1-Ге, например раствор ГеС 1 , воздействуют на гальвани- чески усиленный слой М 1-Ге,так что при удалении слоя М 1-Ге толщиной 200-300 А значительно стравливается также толстый слой М 1-Ге. В предлагаемом же способе с использованием обработки в слабокислой ванне золота, наоборот, с более толстого слоя М 1- о Ге снимается только 200-300 А М 1- Ге,Формула изобретения 1, Способ получения микроструктур,включающий нанесение на диэлектрическую подложку сплошной тонкой пленки металла или сплава, формированиена ней маски иэ фоторезиста, последовательное гальваническое осаждениеподслоя золота, основного слоя металла или сплава и защитного слоя золота на участках, незащищенных Фотореэистом, удаление маски из фоторезиста и расположенных под ней участковсплошной тонкой пленки металла илиг, сплава, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения качествамикроструктур путем устранения подтравливания, удаление упомянутыхучастков сплошной тонкой пленки меСоставитель О. ПавловРедактор Е, Дичинская Техред А, Бабинец гар рректо Чаказ 124 Подписи Тираж 855Государственного ко делам изобретений и о 5, Москва, И,. Рауш тета СССРрытийая наб., д. 4 ВНИИПИ Филиал ЛПП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,5 9 агб 82 6талда или сплава проводят путем погру- слоя, золота проводят в растворе циа.жения подложки в слабокислую ванну нистого калия.золота и последующего травления обра" Источники информации,зовавшегося слоя золота, принятые во внимание при экспертизе2. Способ по и. 1. о т л и ч а ю- Б 1. Берри Р. и др. Тонкопленочнаящ и й с я тем, что в качестве ма- технология. М., "Энергия", 1972,териала сплошной тонкой пленки и ос- с. 114-121,новного слоя используют железонике" 2; Технология толстых и тонкихлевый сплав. пленок. Под. ред. А, Рейсмана иЗ,Способ по пп. 1 и 2, о т л и К, Роуза. М., "Мир", 1972, с. 130ч а ю щ и й с я тем, что травление (прототип).