Накопитель для запоминающего устройства с зарядовой связью

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ пц 649 О 41 Сфез Сфветсюп Сфцпалмстнческик РЕСИУбПНИ, 0 11 С 17/00 рисоединениен заявки И -3) Приорите осударстаениый коиит СССР оо деМам изобретеннй н открытий(73) Заявител 54) НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОИСТВА С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮВ известномние информации в конденсаторе родом переноса диэлектриком с ложкой,Для вво них служит четга, который за го раз превьнаа Изобретение относится к вычислительной технике и может использоваться в запоминающих устройствах (ЗУ), ЭВМ, в системах обработки и хранения информации.5Известны накопители ЗУ, содержащие регистры сдвига на приборах с зарядовой связью и запоминающие элементы в виде МНОП-конденсаторов 1) .Недостатком таких устройств явля ется ниэк-я плотность хранения информации, в связи с. чем они плохо пригодны для построения накопителей большого объема.Известен накполупроводниковтую изолирующимкоторого выполнка с захватом эрасположены эле опитель ЗУ, содержащий(5 ую подложку, покрыслоем, в отверстиях ены области диэлектриаряда, поверх которых ктроды переноса заря- ф накопйтеле запомина(зарядов) происходит образованном электнижерасположенным захватом заряда и пода и вывода зарядов из рехтактный регистр. сдвиимает площадь, во мноющую площадь связанных с ним запоминающих элементов: на каждую ячейку регистра сдвига приходится один запоминающий конденсатор, связанный с одним иэ четырех ее элементов. Остальные элементы ячейки регистра отделены от запоминающего конденсатора с помощью изолирующей области сложной конфигурации, которая занимает относительно большую площадь.В результате на каждый запоминающий конденсатор приходится площадь, во много раз превышающая его собственную, в связи с чем плотность ячеек памяти в известном накопителе низкая.Цель изобретения - увеличение информационной емкости накопителя,Это достигается тем, что он содержит второй изолирующий слой и шины хранения, расположенные на поверхности первого изолирующего слоя над областями диэлектрика с захватом заряда перпендикулярно тактовым шинам, расположенным на. втором изолирующем слое, нанесенном на поверх-. ности шин хранения и первого изолирующего слоя.Такое выполнение накопителя позволяет совместить области запоминания с изолирующими областями, а также в четыре раза увеличить чх. кольйество, приходящееся на каждыйэлемент регистра сдвига.На чертеже изображена конструкция предлагаемого накопителя,Накопитель выполнен на полупроводниковой подложке 1, например,р"типа проводимости, покрытой первымизолирующим слоем 2, в отверстияхкоторого расположены области 3 диэлектрика с захватом заряда; в качестве которого может использоватьсяслой нитрида кремния над тонким . 10ослоем окисла 1(например, 810 - 25 А,81 Б - 600 А). Над областями 3расположены шины 4 хранения информации так, что получается набор запоминающих конденсаторов, образованных шинами 4 хранения информации, областями 3 диэлектрика с захватом заряда и полупроводниковойподложкой 1. Выше и перпендикулярношинам 4 сформированы тактовые элект- рроды 5, отделенные от шин 4 вторымизолирующим слоем 6. Электроды 5 переноса "вместе со слоями 2, 6 и подложкой 1 образуют систему связанныхМДП-конденсаторов - регистроз ПЗС,отделенных друг от друга шинами 4.В целом накопитель представляет собойсовокупность ПЗС - регистров, к каждомуэлектроду 5 переноса которого примыкает запоминающий конденсатор, образующий вместе с шиной 4 изолирующую 30область между ПЗС-регистрами.Накопитель работает следующимобразом.Предварительно стирается ранеезаписанная информация, Для этого на 35шины 4 подается отрицательный импульснапряжения (25/30 В), под действиемкоторого в диэлектрике всех запоминающих конденсаторов захватываетсяположительный заряд. 40Прн записи в ПЗС-регистры вводятся информационные зарядовые пакеты(электронов) , которые с помощьютактового питания передвигаются вдольрегистров. В это время на шинах 4поддерживается небольшое отрицательное напряже ие (-1 - -53), достаточное для обогащения нижерМсположеннойприповерхностной области подножки,что обеспечивает изоляцию регистров.друг от друга. Когда накопитель запол-фнится информационными зарядовыми пакетами,на шину 4 подается положительный импульс записи (25-30 В). В техразрядах регистра, где присутствовали пакеты отрицательных зарядов, 55произойдет их захват в диэлектрикезапоминающих конденсаторов н таким образом будет записана информация, Там, где зарядовые пакеты отсутствовали, сохраняется снятое состояние.При считывании в ПЗС-регистры вводятся опрашивающие зарядовые пакеты. Ими заполняется весь накопитель. Затем на шину 4 подается напряжение считывания (3-19 В), а тактовое питание снимается. Опрашивающие заряды перетекают под те запоминающие конденсаторы, где сохранилось стертое состояние (захвачен положительный заряд), и удерживаются там. В результате в накопителе под запоминающими конденсаторами будет образован зарядовый рельеф, проинвертированный по отношению к записанному, Затем напряжение считывания снимается, а рельеф с помощью ПЗС-регистров выводится из накопителя.Использование предлагаемого изобретения позволит повысить плотность хранения информации и создать микро" схемы полупостоянных запоминающих устройств с максимальной информацион-. ной емкостью. При существующей технологии может быть достигнута плотность выше 10 бит/см , а при ис 6 2пользовании электронной литографии плотность хранения информации может быть увеличена до 10 бит/см ".Формула изобретенияНакопитель для запоминающего устройства с зарядовой связью, содержа" щий,полупроводниковую подложку, ча поверхности которой расположен первый изолирующий слой с областями диэлектрика с захватом заряда и тактовые шины, о т л и ч а ю щ и й с я .тем, что, с целью увеличения информационной емкости накопителя, он содержит второй изолирующий слой и шины хранения, расположенное на поверхности первого изолирующего слоя над обнастями диэлектрика с захватом заряда перпендикулярно тактовым шинам, расположенным на втором изолирующем слое, нанесенном на поверхности шин хранения и первого изолирующего слоя.Источники информации, принятыево внимание при экспертизе1. Заявка Франции 9 2245053,кл, С 11 С 19/18, 1975.2. Заявка США 9 В 545945,кл, 340-173, 1975,649041 Составитель Ю.ушаковРедактор М.Рогова Техред М, Петко Корректор Л.Веселовская илиал ППП фПатент, г.ужгород, ул. Проектная, 4 568/49 Тираж 680 ЦНИИПИ Государственного ко по делам изобретений и 113035, Москва, Ж, Раушска