Способ получения сплавов монотектического типа на основе алюминия

Номер патента: 122380

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Бурмистров

МПК: C25F 3/08

Метки: кварц, нанесенной, например, пленки, поверхности, подложку, стекло, стойкую, травления, хрома

...металла в вакууме на стекло, кварц, а также накие подложки и травится по рисункам, выгравированнымупорной основе, или по фотографическим изображениям наном слое коллоида или смолы раствором марганцовокис,ппоследующим осветлением или соляной кислоты с припудривками металла (например, цинка или алюминия), выделтравлении водород.В последнем случае травление можно прос металлической поверхностью, например, пили алюминия. хрома, получе- лговечнк очные изображения, не лочам и кислотам без аспылением другие стойна кислото- хромированого калия с анием опиляющего при изводить в контакте слоя ластиной из листа цинка едмет изобретен о с Способ травления поверхности хрома или пленки хрома, нанесенноп на стойкую подложку, например, стекло,...

Номер патента: 1507287

Опубликовано: 15.09.1989

Авторы: Илич, Лексин, Макаревич

МПК: A23C 1/12

Метки: аппарат, вакуум-выпарной, многокорпусный, молока, падающей, пленкой, сгущения

...блок 11. Регулирующии бок 11 воздействуовод ние дельного расх На чертеже ногокорпусныйг вакуум-выпдрнои апи пленкой для сгуще парат с пдддннния молока.Каждый кори 1 многокорпусно аппарата осдержит кдлориздтор 2,наротдпител 3, насос 4, трубопро(21) (22) (46) (7) бюро ленин 4008356/28- 16.01,86 15.09.89, В Спе циал ное автоматизир мясной и м ецов В.В уум-аппд иятиях м ИИТЗИ мя я. Сер.М., 19 Средства автоматиратов, применяемых олочной промьшпенсомолпром ОбзорнаяМс 1 лочая промьш, с. 26-27е относится к техник1507287 5 16 7 111 Сос та втель В. Еремин ехред Л,Еравчук Кор.Борис Реда,.то 11 11 а Подписноеретениям и открытиям при ГКНТ СССРушская цаб., д. 4/5 раж 525 омитета иМосква, ЖЗаказ 575/ В 11 ИЙ 1 И Госуда гвено 11303 Прои...

Номер патента: 1484193

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Красницкий, Крищенко, Лесникова, Турцевич, Шкуть

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, подложку, поликристаллического, полупроводниковую

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния на полупроводниковую подложку, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40,0-100,0 нм разложением моносилана при температуре 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига в течение 5-20 мин при температуре осаждения и доращивание пленки до требуемой толщины при температуре осаждения подслоя, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок путем повышения их термостабильности и увеличения дисперсности, доращивание пленки до требуемой толщины проводят послойно с толщиной каждого отдельного слоя, составляющей 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя операции...

Номер патента: 1797628

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Джон, Юджин

МПК: C23C 14/00

Метки: вакууме, осаждением, плазменным, пленок, тонких

...с основного энергетического квантового уровня п=1 на более высокий энергетический квантовый уровень п=З. Когда этот возбужденный электрон переходит на соседний, более низ.кий энергетический квантовый уровень п=2, испускается фотон на волне альфа-водорода. Аналогично фотон на волне бета-водорода испускается, когда возбужденный водородный атом после столкновения с 45 электроном, энергия которого больше 12,73 эВ, сходит со своего возбужденного п=4 квантового уровня обратно на энергетический квантовый уровень п=2, Как результат, интенсивности этих эмиссионных линий во дорода оказываются связанными с плотностью электронов в плазме, обладающей этими энергетическими уровнями. Отношение этих интенсивностей водородных эмиссионных линий дает...

Номер патента: 477317

Опубликовано: 15.07.1975

Автор: Жаравин

МПК: G01K 17/06

Метки: вакуумного, напыления, пленок, поверхности, подложки, процессе, температуры, тонких

...измерения по предлагаемому способу один конец подложки нагревают до температуры испарения напыляемого вещества, а другой ее конец - до температуры в два раза меньшей, затем производят три последовательных напыления с заданной плотностью парообразного теплового носителя с определением после каждого напыления положения границы пленки и чистой поверхности подложки.Измерение температуры подложки производят следующим образом.На исследуемую подложку напыляют в виде тонкой пленки парообразный теплоноситель, зависимость скорости С осаждения атомов которого от температуры поверхностного слоя подложки имеет вид ется конденсация атомов тепло- поверхности подложки вследстя напыляемого вещества. Поревания одного из концов подпературы Тр, а другого...