ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК ТЕНИ ОНОКРИСТАЛЛИЧ е зоб 0 гпузсевз / сится к области мавой электроники, ки, а также к люмим и может быть исых элементов ОКГ, , прозрачных в инлетовой и видимой реобразования иния в видимый свет дВпервые химическиМ а 0,5-х В 0,5 оединения: г+гх,д, были е.Йствдм к кристалл тся актиевы шала ащен меграмм со- согласно Та, тЬ в работ Ву и сво я моно б являе ия не пр был выр ове диа работе,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(56) ТЬова В.Е. ес а 1. ТЬЛиогбеапйап 1 бе сгЛцог 1 бе з /1 пог 9. СЬеа. 1966, У.5, р.1222,Багдасаров Х.С. и др, Оптическийквантовый генератор на основе кубических кристаллов 5 ИаР - 9 УР. Мб. Кристаллография, 1968, Т.13, В 5, с,900,Изобретение отно териалов для кванто конструкционной опти несцентным материала пользовано для активн оптических материалов фракрасной, ультрафио областях спектра, для и фракрасного излучен де В = Об, ТЬ, Ру, Но, Ег, олучены в виде порошкаБлижайшим по соста редлагаемым являетс КаР - 9 УРЗ:Кб", где М втором и его концентрац % массы. Монокристалл одом Стокбаргера на осн тояния, приводимых в 5 Ц 5 С ЗО В 29/12, 11/О(54) ОПТИЧЕСКИ СКИЙ МАТЕРИАЛ (57) Использовани ке. Сущность: мат натрия и фторида та ВРе в котором редкоземельный э да: ТЬ, Ру, Но, Ег ции С, которая уд соотношению: С мол.%, где г - ио Шеннона для ко или средний ионн щих в твердый ра е; в квантовой электрониериал на основе фторида редкоземельного элемен- В - по крайней мере один лемент, выбранный из ряТв, УЬ, Еп, в концентраовлетворяет следующему = (127,4 г - 84,127) .+1 нный радиус В по системе ординационного чи"ла 8 ый радиус всех В, входя- створ А. 11 ил. которым составы с конгруэнтным плавлением были определены одинаковыми для всех РЗЭ и равными 5 йаР - 9 ВЕз или 64,3 мол.% ВРз.Однако результаты экспериментов по выращиванию монокристаллов Йао,з 6 В 0,64 Рг,гв, где В=Об, ТЬ, Ру, Но, Ег,Тв, УЬ, показали, что составы с таким содержанием лантаноидов плавятся инконгруэнтно (состав жидкой фазы не отвечает составу кристалла).Выращивание монокристаллов из инконгруэнтного расплава приводит к неоднородному распределению элементов по длине и поперечному сечению. Такая неоднородность состава вызывает большие флуктуации всех физических свойств внутри кристаллов и ограничиваетвозможноСти их практического использования, В связи с этим были проведены исследования йо уточнению фазовых диаграмм МаЕ - ВЕз, где Р= Об -1 ц, методом дифференциально-термического анализа (ДТА).

Смотреть

Заявка

4863520, 10.08.1990

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ, ПРОЕКТНЫЙ И КОНСТРУКТОРСКИЙ ИНСТИТУТ СПЛАВОВ И ОБРАБОТКИ ЦВЕТНЫХ МЕТАЛЛОВ, ВЕРХ-НЕЙВИНСКИЙ ЗАВОД ВТОРИЧНЫХ ЦВЕТНЫХ МЕТАЛЛОВ

КУЗНЕЦОВ ВИТАЛИЙ СЕРГЕЕВИЧ, КУПРИЯНОВ ВЛАДИМИР АНДРЕЕВИЧ, БОГДЗЕВИЧ АЛЛА ВЯЧЕСЛАВОВНА, ВЛАСОВ ЮРИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ПЛОТНИКОВ АНАТОЛИЙ ЛЕОНИДОВИЧ, АГАПОВ ВЛАДИМИР ВЛАДИМИРОВИЧ, УСТЮГОВ МИХАИЛ ИВАНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: C22C 11/08

Метки: основе, свинца, сплав

Опубликовано: 07.10.1992

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1767006-splav-na-osnove-svinca.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Сплав на основе свинца</a>

Похожие патенты