155559

Номер патента: 986329

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Бойко, Власенко, Карпов, Лупандин, Скочило, Сосков, Сычев, Яременко

МПК: A01D 25/04

Метки: диск, корнеплодов, органа, рабочего, уборки

...остат ки, забиваются ими и почвой, самовыглубляются, что приводит к наруше нию технологии уборки корнеплодов. Для эаглубления их в почву требуют повышенные усилия, способствующие по ломкам рабочих органов.Известен также диск рабочего орг на для уборки корнеплодов, содерж щий лезвие с наплавленным на него едовател ьский институт" о машиностроенмЕ " " "986329 . 4заменен на фрезерование почвы зубчатым лезвием, что позволяет улучшить крошение почвы, снизить усилие на заглубление, повышает работо-способность и увеличивается долговечность диска. 3На Фиг. 1 изображен диск, видсбоку; на фиг, 2 - то же, вид сбокув разрезе; на Фиг, 3 - сечение А-.Ана фиг, 1,Диск выполнен в виде основания 1и сьемного обода с лезвием 2, на которое наплавлен твердый....

Номер патента: 1426489

Опубликовано: 30.09.1988

Авторы: Боцман, Павлюченко, Полупанов, Шабельник

МПК: A01D 25/04

Метки: диск, извлечения, корнеплодов, органа, рабочего

...я корнеплодов.5На фиг. 1 схематически изображен диск,общий вид; на фиг. 2 - разрез А - А нафиг. 1; на фиг, 3 - разрез Б - Б на фиг. 1.Диск рабочего органа состоит из ступицы 1, частей обода 2, жестко связанных с 10ней при помощи спиц 3 и закрепленных наступице эластичных элементов 4, расположенных в свободных зонах между частями обода 2.Диск рабочего органа работает следующим образом.15При движении корнеуборочной машиныдиск, частями обода 2 заглубленный в почву, нарушает связь корнеплодов с почвой,извлекает их и транспортирует в областьмаксимальной сходимости зоны защемления. 20,Части обода 2, выполненные в виде криволинейного участка с выпуклостью вовнутрь, по мере проворота диска увеличивают угол защемления до величины,...

Номер патента: 397650

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: E21D 1/06

Метки: диск, органа, проходческой, рабочего, режущий

...дисков выполнены с выступами, снабженными накладками, соединенными между собой.Это сбссцс шваст разгрузку шарниров лиска От сцлий, НОзникаю 1 пих прп разрушении породы.Иа фиг.изображен рабочий орган проходСской машины с режущими дис 1 саыц ца фиг. 2 - место соединения частей режущегока; на фиг. 3 - шарнирное соединение часрежущего диска.Режущий диск 1 рабочего органа проходческой машины 2 состоит из нескольких частей, соединенных царнираыи . В местах разъема у шарнировверхняя и нпжняя плоскости диска выполнены с выступами 4, имеющими наклонные поверхности и снабжсццыми цакладками 5, стянутыми между собой, например, соединением шпилька - гайка, Штифты б, устанавливаемые в плоскости разъема, фиксируют установку в одной плоскости шарнирно...

Номер патента: 1787295

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Дереченик, Кононов, Олтушец, Пеньков, Полонин, Яцук

МПК: H01L 21/304

Метки: интегральных, кристаллами, пластин, полупроводниковых, приборов, схем, утонения

...стороны пластины с плоскостью держателя, Кроме того, нанесение защитного покрытия на планарную сторону пластины не улучшает ее геометрию в части прогиба и клина по отношению к держателю, на котором пластина крепится для проведения механического утонения. Поэтому в процессе закрепления ее на держателе происходит механическая деформация пластины с изме-. нением исходных геометрических параметров, это приводит к нарушению металлизации и соответственно к снижению выхода годных на операции "функ 1 ионирование".Целью изобретения является повышение выхода годных за счет исключения разрушения пластины и кристаллов.Цель достигается тем, что по способу водниковых приборов и интегральных схем, включающему нанесение высокомолекулярного соединения...

Номер патента: 1102433

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Дмитриев, Колычев

МПК: H01L 21/48, H01L 21/76

Метки: кристаллов, полупроводниковых, приборов

...подложка с пассивирующей пленкой, нанесенной на рельеФную поверхность; на Фиг,5 - завершенная полупроводниковая транзисторная структура со вскрытыми контактными площадками55На фиг.1-5 изображены полупроводниковая подложка 1, базовая область 2, эмиттерная область 3, за 33 4щитное покрытие 4, контактные площадки металлизации 5, слой Фоторезиста 6, канавки 7 диэлектрической изоляции, подтравленные канавки8 диэлектрической изоляции, пассивирующая пленка 9.П р и м е р. В полупроводниковойподложке кремния 1 толщиной 300 мкм,служащей коллектором, Формируют диФФузией бора из трехбромистого бораВВг базовую область 2 глубиной залегания - 10 мкм и противоположногоподложке р-типа проводимости,ДиФФузию проводят в две стадии:загонка примеси при...