Однотактный транзисторный инвертор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 492981
Авторы: Кардаполов, Сергеев
Текст
О П И С А Н И Е 11 иайИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Соцкапксткчесюа Республик(22) Заявлено 02,04, с присоединением за 4 (21)2011007/24 вки293/3 Государственный номнтот Совета Мнннотров СССР по рвлам нзоорвтоннй н отнРвтнй(45) Дата опубликования описания 23.02,7(72) Авторы изобретения Б, С, Сергеев и Ю, М. Кардаполов 1) Заяви 54) ОДНОТАКТНЫЙ ТРАНЗИСТОРНЫЙ ИНВЕ авляющих транзисторов вкша нэистор, база которого обр являющий зажим инвертора.дана схема предлагаемого состоит из транзисторов предконечного 2, первого 3 и второго управляюшего 4 зарядного 5 и разрядного 6 о конденсатора 7. и второго упр чен третий тра ет входной упрНа чертеж инвертора. Он конечного 1,управляющего из резисторо и запускаюше 1Изобретение относится к области преобразовательной техники и может быть ио польэовано в системах электропитании для преобразования постоянного напряжения.Известны однотактные транзисторные инверторы, содержащие оконечный транзистор, охваченный трансформаторной обрат- ной связью, предоконечный транзистор, ,включенный параллельно входной цепи оконечного транзистора, запускающий конден- . сатор и несколько управляюших транзисторов резисторов,Недостатком известных.инверторов такого типа является большая потребляемаямощность. ИС целью йовышения к.п.д. предлагаемого инвертора, цепи смешения базы предо- конечного транзистора выполнены в виде цепочки иэ последовательно соединенных первого управляющего транзистора, разряд ного резистора, второго управляющего транзистора и зарядного резистора. Конденсатор включен между базой оконечного транзистора и эмиттером второго управляющего транзистора. Между базами первогооЗ На вход тиристора 1 через диод 8 включена обмотка 9 положительной обратной связи выходного трансформатора 10 Между базами транзисторов 3 и 4 включен третий управляющий транзистор 11,Схема работает следующим образом,При поступлении на управляющий вход инвертора импульса, запирающего транзистор 11, открывается транзистор 4 и происходит заряд конденсатора 7 через резистор 5 и вход транзистора 1 Транзистор 1 открывается, и под действием напряжения на обмотке 9 остается открытым и после полного заряда конденсатора 7 и прекращения запускающего им Ъульса.Заказ ,фф Изд.,Ъ Я 3) Тираж 782 Подписное 1111 ИИПИ Государственного комит та Совеа Министров СССР по делам изобретегии и открытий Москва, 1130 Д 5, Рау ская наб., 4Предприятие Г 1 атеит, Москва, Г 19, Бережковская паб., 24 Прн снятии импульса, запирающего транзистор 11, и отпирании этого транзистора происходит отпирание транэиоторов 3 и 2 и запирание транзистора 4, При этом конденсатор 7, разряжаясь через р эзистор 6, транзисторы 3 и 2, обеспечивает форсированное запирание транзистора 1.Как при открытом, так и при закрытом состоянии транзистора 1 ток по резисторам 5 и 6 не проходит, так как закрыт либо транзистор 3, либо транзиотор 4. Следовательно, в этих резисторах отсутствуют потери мощности, и к.п.д, инвертора повышается. Форсирован-. ное запирание транзистора 1 уменьшает также его динаь.ические потери. Формула изобретения Однотактный транзисторный инвертор,содержащий оконечный транзистор, охваченный трансформаторной токовой обратной связью, предоконечный транзистор,включенный параллельно входной цепиоконечного транзистора, запускающийконденсатор, управляющие транзисторыи резисторы, отличающийсятем, что с целью повышения к.п.д., база предконечного транзистора соединенас зажимом источника питания инверторачерез цепочку смещения, состоящуюиэ последовательно включенных первогоуправляющего транзистора, разрядногорезистора, второго управляющего транзистора, зарядного резистора, при этомзапускающий конденсатор включен между базой оконечного транзистора и эмиттером второго управляющего транзистора, а между базами первого и второгоуправляющих транзисторов включен третий управляющий транзистор, база кото-,рого образует входной управляющий зажиминвертора,
СмотретьЗаявка
2011007, 02.04.1974
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-2969
СЕРГЕЕВ БОРИС СЕРГЕЕВИЧ, КАРДАПОЛОВ ЮРИЙ МИХАЙЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H02M 3/32
Метки: инвертор, однотактный, транзисторный
Опубликовано: 25.11.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-492981-odnotaktnyjj-tranzistornyjj-invertor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Однотактный транзисторный инвертор</a>
Ячейка памяти для регистра сдвига
Номер патента: 868836
Опубликовано: 30.09.1981
Авторы: Бычков, Пономарев, Фомичев
МПК: G11C 19/28
Метки: памяти, регистра, сдвига, ячейка
...коллектором первого двухколлекторного п-р-п-транзистора, коллектор первого п-р-п-транзистора соединен с базой второго двухколлекторного и-р-п-транзистора,На чертеже представлена электрическая схема ячейки памяти.Она содержит двухколлекторные п-р-п-транзисторыи 2, и-р-п-транзисторы 3 и 4, двухколлекторные р-и-р-транзисторы 5 и 6, шины 7 и 8 питания, шину 9 нулевого потенциала. При реализации предлагаемой ячейкипамяти в составе регистровых ИС с ин -жекционным питанием с целью увеличения степени интеграции элементов накристалле микросхемы коллекторные области р-и-р-транзисторов совмещены ссоответствующими базовыми областямип-р-п-транзисторов, а эмиттерные области п-р-п-транзисторов и базовыеобласти р-п-р в транзистор совмещеныв общей...
Инвертор на полевых транзисторах с управляющим переходом
Номер патента: 741473
Опубликовано: 15.06.1980
Авторы: Кильметов, Краснопольский, Механцев, Переверзев, Сухоруков
МПК: H03K 19/40
Метки: инвертор, переходом, полевых, транзисторах, управляющим
...принципиальная схема инвертора, в котором четыре полевых транзистора 1 - 4 с управляющим переходом и с чередующимися типами проводимости каналов попарно образуютпервый А-транзистор 5, включенныймежду выходной шиной 6 и общей шиной 7 и второй Х -транзистор 8 дополняющего типа, включенный между шинойпитания 9 и выходной шиной. Затворы транзисторов 1 и 4 подключены,квыходной шине, затвор транзистора 2 щчерез А-диод 10 в обратном включении и затвор транзистора 3 через)-диод 11 в прямом включении подключены к входной шине 12.На Фиг. 2 представлены вольтамперные характеристики А -транзисторов 5 (сплошными линиями) и 8(пунктирными линиями),Инвертор работает следующим образом.ЗОВ исходном состоянии сигнал нашину 12 не поступает, ее...
Инвертор на полевых транзисторах с управляющим переходом
Номер патента: 953732
Опубликовано: 23.08.1982
Авторы: Кильметов, Краснопольский, Механцев, Переверзев, Сухоруков
МПК: H03K 19/094
Метки: инвертор, переходом, полевых, транзисторах, управляющим
...Переверзев н А., И. СухоруксЬ3 98 твор 1 гранзистора 1 через 3 -диод 7 в обратном включении подключены к входной шине 8. У дополнительног введеннсго бипспярного транзистора 9 км- . лектор подключен к выходной шине 3, эмиттер - к общей шине 4, а база- к управляющему затвору 3 -гранзистора 1.Устройство работает следуккцим образом.В исходном состоянии сигнал на входно шине 8 отсутствует, ее потенциал равен потенциалу общей щнны 4,-диод 7 оькрыт, затвор 3 -транзистора 1 подвпочен к входу, имеющему нулевой потенциал, поэтому Я -гранзистор 1 закрыт. В то ж время 3 -транзистор 2 открыт, а 3- диод 6 закрыт, и поэтому ток через прямосмещенный переход полевого транзистора-транзистора 2 не протекает. При этом на выходной шине 3 формируеъ ся...
Управляемый махоритарный элемент на комплементарных мдп транзисторах
Номер патента: 1034191
Опубликовано: 07.08.1983
Авторы: Косоусов, Максимов, Петричкович
МПК: H03K 19/23
Метки: комплементарных, махоритарный, мдп, транзисторах, управляемый, элемент
...и 4, при этом параллельно транзистору 3 подключен третий-канальный транзистор 5.Вторая ветвь содержит последовательно включенные И -канальные чет-. вертый и пятый транзисторы б и 7 и шестой й-канальный транзистор 8, подключенный параллельно пятому транзистору 7, и включена между выНедостатком элемента являетсянизкое быстродействие, обусловленноебольшой паразитной емкостью выходной шины, образуемой стоками шестиМДП-транзисторов.Цель изобретения - повышениебыстродействия управляемого мажори-тарного элемента.Для достижения поставленной целив управляемом мажоритарном элементе 10 на комплементарных МДП-транзисторах,содержащем первую ветвь, включенную между шиной питания и выходнойшиной и состоящую из последовательно включенных первого и...
Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
Номер патента: 1828340
Опубликовано: 27.07.1996
Автор: Мац
МПК: H01L 29/808
Метки: p-n-переходом, полевой, транзистор, управляющим
...1 1 3 1 Ззи отс 2В настоящем решении выполняются основные требования, предъявляемые к ПТУП - входным транзистором электрометрического усилителя: обеспечение на выходной ВАХ линейного участка при изменении в широком диапазоне напряжения сток-исток: минимизация токов утечки затвора.1.В настоящем решении 11,о, связано с (.1 зо, соотношением (2) У = 4 +у - (Б +р )р ) (2) зиотс 1 зиотс 2 к зиотс 1 к оВ настоящем решении 1)зо, = (2,2 2,5) 1)так как 11,и о, определяет только одна область затвора, а Б,определяет как область второго затвора, так и подложка. При любом изменении значения 11 1),всегда в (2,2 - 2,5) раз будет больше, т.е. ПТУП 1- основной транзистор всегда будет работать на линейном участке выход1828340 б ной ВАХ, И реализуется...
Предыдущий патент: Генератор прямоугольных импульсов тока
Следующий патент: Способ управления вентильным преобразователем
Случайный патент: Способ определения предела пластич-ности металла при обработке давлением