Способ контроля дефектности диэлектрических

39) 455 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 24,1.1972 ( 1743769/26-9) М 01 п 27/О 05 К 3/00 присоединением заявкиасударстеенныи камитвСевета Мииистров СССРва делам иаойретвиийи пткрытий иоритет Опубликовано 25.Ч 1.1973. Бюллетень31Дата опубликования описания 28.Х 1.1973 УДК 621.315,61:620.1Авторы зобретения Орешкин, А. И, Перелыгин, А, П. Колесников, Е. А, М А. К, Тлеубаева, А. А, Васютин и Н, И. Акованцева Рязанский радиотехнический институтявитель СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТНО ПЛЕНОКЛЕКТРИЧЕСКИХ кои10 эмульсионидимый отжения кото, напряжепособа являются дефекта диэлекна фотобумаге, стоположения дедиэлектрической 30 распределен дефектности м селективно и регистрир осажден- иэлектриравят диют конФчПредлагаемое изобретение относится к способу контроля дефектности диэлектрических пленок на металлических и полупроводниковых подложках и может быть использовано для контроля электропроводящих дефектов и пористости изолирующих пленок при производстве конденсаторов, полупроводниковых приборов, интегральных схем, для оценки качества слоев фоторезиста, диэлектричес пленочной изоляции.Известен электрографический способ контроля пор и других электропроводящих дефектов диэлектрических пленок на полупроводниковых и металлических подложкахзаключающийся в том, что при пропускании тока в системе катод - подложка - диэлектрическая пленка - фотоэмульсионный слой фотобумаги, смоченной в деионизованной воде, - анод в эмульсионном слое образуется скрытое изображение дефектов.При проявлении и закрепленииного слоя фотобумаги получается впечаток дефекта, характер изобрарого зависит от времени выдержкиния и других факторов.Недостатками известного снесоответствие конфигурациитрической пленки отпечаткутрудность в определении мефекта непосредственно на пленке и подложка, малая разрешающая способность,Целью изобретения является точное определение конфигурации дефектов, повышение разрешающей способности.Достигается она тем, что диэлектрическую пленку на проводящей подложке приводят в контакт с электролитом, электролитически осаждают металл на дефектах диэлектрической пленки, селективно травят ее и регист,рируют по виду осажденного металла конфигурацию и распределение дефектов на проводящей подложке.Диэлектрическую пленку приводят в контакт с электролитом, на который подают положительный потенциал. В качестве электролита (анода) применяют металл соответствующей соли, находящейся в электролите, или платину, на подложку (катод) подают отрицательный потенциал. Пропускают электрический ток через систему катод - подложка - диэлектрическая пленка - электролит - анод. В ,результате этого в местах электропроводяших дефектов осаждается металл, который повторяет конфигурацию и распределение этих дефектов.По конфигурации и июного металла судят о дческой пленки, Зате тэлектрическую пленку У391455 Предмет изобретения Составитель Э. Гилинская Техред 3. ТараненкоКорректор Е. Хмелева Редактор Т. Иванова Заказ 3112/4 Изд.848 Тираж 755 Подписное ЦНИИПИ Государственного Комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 гурацию и распределение металла на проводящей подложке. Так как электрический ток, проходящий через дефекты, пропорционален их сечению, то и количество осажденного металла пропорционально сечению дефектов. Диаметр ионов металла находящихся в электролите, гораздо меньше сечения дефектов, поэтому металл осаждается в местах самых мелких дефектов, Разрешающая способность увеличивается и может достигать до 10 дефектов на одном квадратном сантиметре, а,конфигурация и местоположение дефектов на диэлектрической пленке (подложке) .может сохраняться неограниченное время.В Качестве электролита применяют стандартные электролиты для меднения, лужения, никелирования и т. д. Способ контроля дефектности диэлектрических пленок на проводящих подложках вропу сканием электрического тока через исследуемую систему и регистрацией дефектов по виду осажденного металла, отличающийся тем, что, с целью точного определения конфигурации дефектов и повышения разрешающей способ ности способа, диэлектрическую пленку напроводящей подложке приводят в контакт с раствором электролита,производят электролитическое осаждение металла на дефектах диэлектрической пленки, се 1 пективно травят ее и 15 регистрируют по виду осажденного металлаконфигурацию и распределение дефектов на проводящей подложке.