341115

Соаз Саеетаеив Социалитичесиих РеопублинЗависимое от авт. свидетельства-62/26-25) М, Кл, Н 01 7/34 явлено 20.Х 1.1968 ( 128присоединением заявкириоритет Комитет по юепам изобретений и атирыти при Совета Миииатрае СССР.тец М 1323 Л 1,197 05 Х 1,1972, Бо 21.ЗЮ.002 (МК,В цата опубликования опцсдни Авторыизобретен Берлин, С. И. Мильма явитель СОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВЧ-СТРУКТ Изобретение относится к йолупроводниковым СВЧ-диоддм и может быть использовано при производстве всех видов СВЧ-диодов для осуществления защиты поверхности кристалла от потерь на скин - эффект,Известным способом изготовления СВЧ- структур, защищенных от,потерь на скин-эффект, является способ создания. плдцдрно кольцевой структуры, включающий нанесение защитной диэлектрической пленки двуокиси кремния, вскрытиеокон в пленке ЯО методом фотолитографии, нанесение слоя золота на незащищенную пленкой окисла поверхность полупроводника, вторичное нанесение защитной пленки двуокиси кремния на всю поверх. ность полупроводниковой пластины с последующим локальным травлением пленки двуокиси кремния в окнах на участке меньшего диаметра по сравнению с диаметром окна, нанесение металлической пленки в местах, не защищенных диэлектриком, и омического контакта - на обратной стороне пластины, резку пластин на кристаллы и нанесение металла на боковую поверхност. кристаллов.Однако, известный способ получения,планарно-кольцевой сгруктуры отличается трудоемкостью, длительностью технологического процесса, относительно низкой воспроизводимостью, необходимостьо,проведения совмещения фотошаблонов с изображенияви на пластине полупроводчцка и связанной с этим трудностью получения кольцевого учасгка мдлоц ширины (порядка 1 - 3 мкл),Предлагается способ, при котором цднес ние защитной диэлектрической пленки осувествляется окислением поверхностного слоя здгццгной металлической пленки. Такое осуществление способа упрощает технологшо;зоговлениа планарцо-кольцевых структур, зндчи тельно снцжаег трудоемкость ц длитель;осгьпроцессов, а также повышаег воспроизводимогть технолоического процесса по сравнению с известньм способом.Сущность изобретения поясняется черте око м11 оверхность полупроводника(см. черт.ж)подвергается тщательной очистке ц метдлли:руегс)т, 1 еталлизаццт оожет осущесгвл 5 ться напылением металла 2 на поверхность 20,тлдстинт, нанесением металла гальвациче кцм путем, пиролитическим разложении м метдллоорганических соедине;шй и др.Затем с помощью обычной фотолитогрдфиипроводится локальное травление слоя хстал.25 ;, в результате которого нд поверхности полупроводника получаются не защищенщпе металлом участки. Травитель подбирается ткцв образом, чтобы при травлении металла полу.проводник не травился. 11 осле локальна о 30 трдвления пластина полупроводника тщатель.сдактор Г. Гончар ректор Е, Усова 1 зд, Че 799 Тираж 448 Поднис лам изобретений и открытий при Совете Министров ССС осква, Ж-зб, Раушская наб д, 4/5 1981 5 ЦППГПП 1 Коитста пииография, пр. Саиуно но промывается, вслед за этим проводится окисление поверхностного слоя металла в результате которого образуется окисел металла 3. Окисление защитного металлического слоя может производиться одним из известных способов (анодное окисление, термическое окисление металла, газовое анодпроваппе и др). В участках, пе защищенных окисной пленкой, создается переход или выпрямляющий контакт одного из известных типов (диффузионный р-п переход, сплавной р-и. переход, поверхностно-барьерный контакт металл-полупроводник, точечный прижимной контакт металл-полупроводник и т. д.). Последний операцией является нанесение омпческого контакта 4 и р-п переходу. Очевидно, что для сплавных и поверхностно-барьерных контактов операции получения выпрямляющего и омпческого контактов совмещены.Ширина незащищенного металлом кольца равна толшппе слоя окисла металла, Минимальная толщина слоя окисла должна быть не меньше ширины области пространственного заряда при максимальном рабочем напряжении. 4Первоначальная толщина металлическогопокрытия должна быть пе меньше суммы толщин скин-слоя в данном металле и пленки окисла металла.5 Предмет изобретения Способ изготовления полупроводниковых 10 СВЧ-структур, путем нанесения выпрямляющего контакта па область полупроводниковой пластины, незащищенную окисной пленкой, разделения полупроводниковой пластины на диодпые структуры с последующей метал лпзацией боковой поверхности диодных струк.тур, отлпчатоацшася тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров приборов, перед нанесением выпрямляющего контакта, па поверхность полупроводниковой пластины 2 д наносят слой металла, толщиной, более суммарной толщины области объемного заряда и скин-слоя, получают в нем окна, с последующим окислением на глубину, порядка толщины области объемного заряда в полупроводнике.