341116
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 341116
Авторы: Бузанева, Кононенко, Паничевска, Стриха
Текст
ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 3416 Союз Советсиих Соцналистичесиих РеспуйлииЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 07,Ч 11.1970 ( 1461356/26-25)с присоединением заявкиКл, Н 011 7/50 Комитет по делам зооретений и стирмтий чри Совете Министров СССРо ите ДК 621,382,002(088,8) Опубликовано 05.Ч 1.1972. Бюллетень18 Дата опубликования описани Авторыизобретени Е, В, Бузаиева, В, И. Стриха, В. И, Паничевская и А. Киевский ордена Ленина государственный униве им. Т, Г. Шевченкоононенко Заявител ет СЕСОЮЗНАЯ ввИБЛИОтеИА УЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НА КРЕМНИИ ПОСО 2 кремния марки торого, предвари. вителе Нт: НМОзхслойной системе Изобретение опносится к способу подучения тонких диэлектрических пленок на кремснии толщиной до 100 - 120 А с диэлектринеокой проницаемостью,в,диапазоне 1,3 - 25 (широком диапазоне значений диэлектрической проницаемости),и может быть,использовано при разработке полупроводниковых приборов.Известный способ получения диэлектрической пленки сна кремнии путем последовательной обработки:в лтлавиковой кислоте и жидком окислителе, например на основе органи,- ческих веществ, позволяет получать пленками в узкои диапазоне значений диэлектрической проницаемости и толщины,Цель изобретения - создание способа, позволяющего управляемо изменять толщину диэлектрической,пленки и значение ее диэлектрической проницаемости, в.Для этопо пластину кремния помысле механической или химической полировки обрабатьввают в плавиковой кислоте, затем, не еынимая,на воздух, погружают в органический слой на основе насыщенного расввора иода в хлороформе, после чего,проводят процес 1 с сушки при бО - 70 С в течении, 20 - 30 мик. Для изменения значений диэлектрической постоянной и толщины получаемой пленки в раствор йода в хлороформе добавляют дитизон,или дитизонаты никеля и:меди. П р и, м е р. ПластинуКДБ-О,04 поверхность котел ыно пол ир уют в тра(1: 5), обрабатывают в дву5 одного из сост авов.1. Верхний слой - плавиковая кислота(48% ОСЧ): нижний слой - насыщенный раствор йода (ЧДА) в хлороформе (фарм.).11, Верхний слой - пл авидовая,кислота 10 (48% ОСЧ); нижний слой - ;насыщенныйраствор йода (ЧДА);в хлороформе (фарм,) с добавлением 0,01% раствора дитизона (ч перекристаллиаованный),в хлороформе (фарм.) в соотношеиии 4: 1.15 111. Верхний,слой - плавиковая кислота(48% ОСЧ); нижний слой - насыщенный раствор йода в хлороформе с добавлением 0,01 % раствора датизона в хлороформе;в соотношении 4:1,и с 0,05 мг/мл нижеля, вве денного в виде дитизоната.1 Ч. Верхний слой - ,плавиковая кислота(48%, ОСЧ): нижний слой - насыщенный раствор йода в хлороформе,с добавлениезт 0,01% распвора дитизона в хлороформе в со отношении 4: 1 и с 0,05 мгlмл меди, введеннойв виде дитазоната.Плавиковую,кислоту берут в таком количестве, чтобы она частично;поырывала нижний слой, не растекансь по всей поверхности, 30 Пластину кремиия погружают в верхний слойна 60 - 90 сек, затем опускают,в нижний слой341116 Таблица ск (А) Двухслойная система 86 - :91 30 - :95 80-:-120 50 - :86 58 - : 7,47,5 в ; 13,115 - :251,3 - ;1,5 111ШИ Составитель Б, Семенов Текред Л. Богданова Редактор А, Батыгнн Корректор Е, Миронова Заказ 1939/14 Изд.831 Тираж 448 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, 5 К, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2:на 5 - 10 сек, после чего извлекают из нижнего слоя через ту частыповерхности, которая не покрыта плавиковой кислотой, и сушат при 60 - 70 С в течение ЗО мин.Получаемые значения толщины а,и диэлектрической проницаемости е представлены в таблице (величина д и е иэмерены посредством элипсометра),Изменение толщины пленки для,каждой из системам 1 - 1 Ч достигают изменением времени нахождения образца в нижненем слое от 5 до 10 сек.Танским образом, предлагаемый;способ позволяет управляемо иыенять толпищину в пре 4оделах 30 - 120 А и диэлектричесаую проницаемость в пределах 1,3 - 25,Предмет изобретения51. Способ получения диэлектрических пленок на,кремнии путем последовательной обработки в плавиковой квслоте и жидком окислителе, отличающийся тем, что, с целью по леченая заданных значений диэлектрическойпроницаемости и толщены. в качестве жидкого окислителя используют насьвщенный раствор иода в хлороформе. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в жвдкий окислитель добавляют 0,01% раствор дитизона в хлороформе (з соопношении 4: 1). 3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что в жидкий окислитель добавляют 0,05 мг/мл никеля в виде дитизоната. 4. Способ по п. 2, отличающийся тек, чтов жидкий окислитель добавляют 0,05 мг/млмеди в виде дитизоната,
СмотретьЗаявка
1461356
Е. В. Бузанева, В. И. Стриха, В. И. Паничевска, А. Г. Кононенко Киевский ордена Ленина государственный университет
МПК / Метки
МПК: H01L 21/471
Метки: 341116
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-341116-341116.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">341116</a>
Предыдущий патент: 341115
Следующий патент: Вакуумный способ контроля герметичности полупроводниковых приборов
Случайный патент: Способ настройки дифференциальногомикрокалориметра