Тищенкоп

Номер патента: 341115

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Берлин, Мильман, Тищенкоп

МПК: H01L 21/20

Метки: 341115

...также повышаег воспроизводимогть технолоического процесса по сравнению с известньм способом.Сущность изобретения поясняется черте око м11 оверхность полупроводника(см. черт.ж)подвергается тщательной очистке ц метдлли:руегс)т, 1 еталлизаццт оожет осущесгвл 5 ться напылением металла 2 на поверхность 20,тлдстинт, нанесением металла гальвациче кцм путем, пиролитическим разложении м метдллоорганических соедине;шй и др.Затем с помощью обычной фотолитогрдфиипроводится локальное травление слоя хстал.25 ;, в результате которого нд поверхности полупроводника получаются не защищенщпе металлом участки. Травитель подбирается ткцв образом, чтобы при травлении металла полу.проводник не травился. 11 осле локальна о 30 трдвления пластина полупроводника...