Способ получения хлорангидридов эфиров

Номер патента: 628815

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Вульф, Гельмут, Герд, Гюнтер

МПК: C07C 179/10

Метки: атомами, кислот, надкарбоновых, органического, раствора, углерода

...кислоты, 19,6 Н 104, 3,47 пероксосерной кислоты, 6,54 НОи 25,13воды. Эту смесь охлаждают до 20 Си подают в снабженную 80 ситчатымитарелками пульсирующую колонну длиной 4 м и диаметром 2,5 см, в которой смесь подвергают прн температуре 20 С противоточной экстракциибенэолом, который в количестве961 г/ч подают в нижнюю часть экстракционной колонны. В качестве экстракта получают 1439 г/ч 20,6-ного повесу бенэольного раствора надпропионовой кислоты,который кроме того содержит, вес.1 11,78 пропионовой кислаты, 0,69 воды и 0,07 перекиси водорода.В качестве водного рафината отбирают 556 г/ч раствора, содержащего,вес.г 36,5 серной кислоты, 11,98 перекйси водорода, 6,45 пероксосернойкислоты, 0,1 пропионовой кислоты и0,08 надпропионовой...

Номер патента: 176414

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Артемов, Неймарк, Павлик, Чуйко

МПК: C08F 265/04

Метки: группы, группыизвестны, карбоксильные, катионитов, катиониты, кислоты, метакриловой, набухают, органиче, основе, полученные, сильно, содержащие, содержащих, сополимеров, такие

...с метакриловой кислотойследующим образом. Исходную смемодифицированной белой сажи, 1 л П р и м е р 1, Сначала получают карбоксилорганоаэросилы обработкой сухого кремнезема (аэросила нлн оелой сажи У) парами винплтрнхлорснлана.5 С целью получения различной степени замещения гндроксильных групп на виннлрадикал проводят двух- и трехкратное модифицирование поверхности кремнезема.Кар боксилсодержащие аэросилы получают 10 сополимеризацией виннлкремнеземов с метакриловой кислотой по следующен методике.Ампулы, содержащие 15 г винилкремнезема, 15 г метакриловой кислоты, 60 лл бензола и 0,6 г перекиси бензоила, нагревают при 70 С 15 в течение 6 час, затем при 120 С в течение2 час. Процесс сополимеризации протекает по следующей...

Номер патента: 148049

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Бугеренко, Чернышев

МПК: C07F 9/42

Метки: гамма-хлорсилилзамещенных, кислот, пропилфосфиновых, хлорангидридов

...аллилфосфиновой кислоты и 32,6 г (0,11 молей) хлорангидрида; -трихлорсилилпропилфос148049 Предмет изобретения Способ получения хлорангидридов -хлорсилилзамещенных пропилфосфиновых кислот на основе хлорсиланов, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения выхода целевого продукта, хлоркремнийгидриды присоединяют к хлорангидриду аллилфосфиновой кислоты в присутствии платинохлористоводородной кислоты. Составитель г 1. К. Кульбовская Техред А. А. Кудрявицкая Корректор Е. Л. Коган Редактор О, Д. Ус Поди. к печ. 18 Х 1-62 г Формат бум, 70 Х 108/к Объем 0,18 изд. л.Лак. 6250 Тираж 550 Цена 4 коп.11 БТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6.Типография ЦБТИ. Москва,...

Номер патента: 996419

Опубликовано: 15.02.1983

Авторы: Крутская, Крутский, Носкова, Сафиулина, Цивунин

МПК: C07F 9/40

Метки: кислот, хлоралкилалкоксиметилфосфоновых, хлорангидридов

...до 80-100 С, в .присутствииГес 1 или Епс 14П р и гл е р 1. ХлорангидридО--хлорэтиллропоксиметилфосфоновойкислот%.К смеси 10 г 2-хлор,3,2-диокса"фосфолана с 8,6 г хлорметилпропилового эфира вносят на кончикекапилляра несколько кристалликов треххлористого железа и нагревают смесь3 ч при 90-100 С. Перегонкой в вакууме выделяют 13,3 г (71,5) продукта с т.кип. 126 С (1,33 г Па),с 1 1,2584, и 1,4620.хо 20П р и м е р 2, ХлорангидридО- -хлорэтилбутоксиметилфосфоновойкислоты,К смеси 10 г 2-хлор,3,2-диоксафосфолана и 9,7 г хлорметилбутилового эфира на кончике кагилляравносят несколько кристалликов РеС 1 зи нагревают 3 ч при 90-100 С. Перегонкой выделяют 14 г 71 Ъ) продукта с т.кип. 132 2,66 гПа);й 4 1 г 2292 с и = 1 г 460920 ,...

Номер патента: 684810

Опубликовано: 30.08.1987

Авторы: Георгобиани, Котляревский, Лавров, Михаленко, Урусов

МПК: C30B 31/00

Метки: группы, кристаллов, металлоиды, полупроводниковых, содержащих, соединений, составом, стехиометрическим, цинка

...Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для управления стехиометрическим составом кристаллов полупроводниковых соединений цинка, содержащих металлоиды Ч 1 группы.Известен способ управления стехиометрическим составом кристаллов полупроводниковых соединений цинка, содержащих металлоиды Ч 1 группы, включающий отжиг кристаллов в парах металлоида при давлении 0,01-3 атм и температуре 200-1200 С.Недостатком указанного способа является то, что он не позволяет получать кристаллы полупроводниковых соединений цинка, содержащих металлоиды 71 группы, с проводимостью. дырочного типа...