Способ обогрева поверхностного слоя почвы при выращивании овощных растений

Номер патента: 1598917

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Астафуров, Астафурова, Верхотурова, Левицкий, Симонова

МПК: A01G 7/00

Метки: выращивания, грунте, защищенном, культур, овощных, рассады

...в грунт на 28 - 30-й день после начала облучения.Данные морфометрических измерений 23-дневной рассады огурцов приведены в табл. 1.Пример 2. Рассаду огурцов выра шива ют при тех же условиях, что и в примере 1, однако при этом соотношение потоков лучистой энергии в спектральных диапазонах от 400 до 500 им, от 500 до 600 нм и от 600 до 700 им составляет 0,44:1:0,46. Облученность в области фотосинтетически активной радиации составляет 27,7 Вт/м.В данном варианте используются люминесцентные лампы типа ЛР,Через 20 - 21 день облучения появляется пятый лист и рассада готова к высадке в грунт.Данные морфометрических измерений 23-дневной рассады огурцов приведены в табл. 1.Пример 3, Рассаду огурцов выращивают при тех же условиях, что и в примере...

Номер патента: 1734012

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Голынская, Макаренко, Поспелов, Самородов

МПК: G01N 33/24

Метки: бобовых, выращивания, оценки, почвы, пригодности, растений

...пригодность чернозема типичного для выращивания клевера красного (лугового). При этом предшествующими культурами являются озимая пшеница, сахарная свекла и кукуруза на зерно, За год до выращивания клевера красного после уборки предшествующих культур в разных местах полей ручным пробоотборником отбирают образцы почвы в1734012 Формула изобретения 40 50 Составитель Р,ГуменюкТехред М.Моргентал Корректор А.Осауленко Редактор Ю.Середа Заказ 1666 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 горизонте 0 - 30 см. После ее высушивания и измельчения берут навески и заливают их...

Номер патента: 165027

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: A01G 31/02

Метки: выращивания, почвы, растений, субстрат

...отличающийся тем, что, с целью создания лучших условий аэрации корневой системы, а также прочного кома из корней и частиц субстрата для пересадки растений, оц изготовлен из пластмассы в виде стерженьков прямоугольного сечения шириной 0,5 - 2 мм, толщиной 0,1 - 1 мм, длицой 15 - 80 мм.2. Субстрат по п. 1, отличающийся тем, что, с целью создания прочного кома для транспортировки растеций, субстрат приготавливают в виде церассыпающихся горшков путем о;главления поверхности субстрата в металлической форме. гисцая грувга М 19 с прцсоедицеццем заявки М. Лля выращшыггия растений без почвы применяют твердые химически ццертпые и механически прочные субстраты из частиц округлой или цеправильцоц формы, например кварцевый гравий, Могут быть...

Номер патента: 28713

Опубликовано: 31.12.1932

Автор: Кондратьев

МПК: A01G 23/02

Метки: выдергивания, древесных, например, почвы, растений, саженцев

...имеются вертикально расположенные желобчатые шкивы 9, 10, П, 12 и Юдля канатика. Всего в машине имеются два бесконечных желобчатых ремня на шкивах Г, 2 и б, 8. и один, тоже бесконечный, канатик,- проходящйй .по аелобчатйм шкивам. Направление движения шкивов на чертеже,по- казано стрелками Как-видно из фнг. 1, бесконечный канатик со шкива 3, прнжа тый к желобчатому ремню 4, проходитпод шкив,б, изменяет .направление, дви-.жется вверх, все время прижатый к же лобчатому ремню 7, до шкива Я. Здеськанатик, проходя между; шкивами 8:и: 9, оставляет желобчатый ремень, меняет направление и по шкивам 9, 10, 11, 12, , . 13 (фиг. 1 и 2) возвращается вниз к шкиву 3 (фиг. 2).,Растения высотою более А (фиг. 1), попавшие в подающую часть между...

Номер патента: 1500176

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Алексанян, Арутюнян, Карякина, Мкртчян

МПК: A01B 13/00, A01B 79/00, A01B 79/02

Метки: выращивании, грядкобороздкового, культур, овощных, почвы, профиля, формирования

...ленты имеют противоположные направления с таким расчетом, чтобы пласт срезанной почвы смещался в направлении от гребня, т,е. в сторону центра широкого междурядья, После прохода агрегата профиль поверхности почвы (фиг. Зг) состоит из высоких трапециевидных гребней, двух борозд и и гребня с направляющей бороздкой в его середине, Полив высаженных растений проводят по бороздам с обеих сторон гребня.При междурядной обработке, которая осуществляется обычными пропашными культиваторами КРН,2, КОР,2, исходный профиль почвы изменяется, При первой культивации, когда растения еще недостаточно развиты, обрабатывается только зона широких междурядий. В зоне гребня проведение обработки нецелесообразно, так как на высоких гребнях из-за недостатка...