167669

Номер патента: 1334924

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Алешко-Ожевский, Головинов, Коряшкин, Шишков

МПК: G01N 23/207

Метки: дифрактометрического, излучения, использованием, исследования, кристаллов, реальной, синхротронного, структуры

...(фиг.6)и высшие гармоники через такую систеВ данной установке регулировкавторой пластины 18 первого кристалла"монохроматора 1 используется также вцелях уменьшения потерь интенсивности в результате разогрева первичным пучком места попадания. Функцию исполняющего элемента несет миниатюрный электромагнит 1, который перемещает конец второй пластины на расстояние 0-20 мкм, притягивая через пружинящую прокладку 20 приклеенный к монохроматору ферритовый диск 21. При этом отклонение Ь 8 имеет значеУстановка работает следующим образом.Полихроматический (первичный) йучок синхротронного излучения, пройдя входную диафрагму Ор и коснувшись краем входного мониторного детектора 5, попадает на первый канально-прорезанный кристалл 1. После двух (или...

Номер патента: 1025491

Опубликовано: 30.06.1983

Авторы: Котельников, Курбатов, Мифтахов

МПК: B22D 17/00

Метки: исследования, металлических, образцов, расплавах, растворения

...жидкого сплава, производят циклическую частичную или полную:кристализациюр и расплавление объема сплава, контактирующего с образцом, 65обаще- бъаэам. онт а. в обика,объенго ом он" стй риспла" 2 на ранаб" агаасоВремя полной кристаллизации0,5 мин, время расплавления эа счетеплообмена с ванной и выравниванитемпературы составляло 2,5 мин. Общее время цикла испытаний 3,0 мин,Способ осуществляют следующразом.Исследуемый образец помещают врасплав и приводят образец во вние. Циклическую кристаллизацию оема сплава, контактирующего с о рцом, осуществляют по двум нариантВ первом варианте местное охлажд "ние сплава производят так, что фкристаллизации сплава направленцилиндрической поверхности образЭто достиается путем размещениярасплаве симметрично...

Номер патента: 542128

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Бойко, Харченко

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, кристаллов, рентгенографического, структуры

...изобретения поясняет чертеж.10 Пучок рентгеновских лучей 1, ограниченныйщелью 2 до заданной ширины, направляют в торец образца под утлом Вульфа - Брэгга к отражающим плоскостям, которые параллельны поверхности образца 3, Отражающее положение образца, которое 15 соответствует выходу дифрагированных лучей 4из образца 3, проверяют счетчиком излученияс регистрирующим устройством, Рассеянные в направлении дифрагированного пучка лучи 4 регистрируют на фотопластинке 5, которую располагают 20 вблизи от поверхности исследуемого образца 3. Нафотопластинке получают топограмму с изображением дефектов структуры, находящихся в слое, параллельном поверхности образца, толщина которого определяется заданной шириной рентгеновского 25...

Номер патента: 543858

Опубликовано: 25.01.1977

Авторы: Батурин, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Миренский, Палапис, Семилетов, Шилин

МПК: G01N 23/22

Метки: исследования, кристаллов, совершенства, структуры

...рентгеновских лучей 13, механизм 14 для поворота счетчика излучения 5 относительно осиглавного гониометра 6,25На чертеже обозначено:м0 - ось вращения кристалл-монохроматора;О - ось вращения главного гониометра0-0 - оптическая ось спектрометра;- рентгеновские кванты первичногоизлученияЙ - кванты флуоресцентного излучения;Е - электроны внешней фотоэммиссии,Устройство рабоает следующим образом.Рентгеновские лучи от источника 3 огра-З 5ничиваются по расходимости коллиматором 4,кристалл-монохрома 1 ором 1 и падают подуглом дифракции Ч для выбранной системы кристаллографических плоскостей на исследуемый кристалл 2. Кристалл располо Ожен в геометрии Брагг-дифракции. Дифрагированные им лучи регистрируются счетчиком излучения 5,...

Номер патента: 1772711

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Мигаль, Ульянов, Чугай

МПК: G01N 27/22

Метки: кристалла, неоднородностей, распределения, структуры

...поля для частоты, равной нулю, судят о распределении неоВ предложенном способе определения распределения неоднородностей структуры кристалла новыми, в сравнении с прототипом и другими известными решениями, существенными признаками являются: измерение напряженности электрического. поля, соответствующей началу диэлектрической нелинейности, в кристаллах неполярных классов, использование напряженности поля, соответствующей точке перегиба ветвей петли гистерезиса, экстраполяция указанных значений поля на нулевую частоту,На чертеже приведена блок-схема устройства, с помощью которого реализован предложенный способ. Устройство содер- жит соединенные электрически последовательно: генератор электрических колебаний 8, повышающий трансформатор...