Твердый электролит

Номер патента: 134091

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Иванов, Худяков

МПК: C23G 1/22, C25D 11/08, C25D 5/44

Метки: алюминиевых, непосредственного, силумин, сплавов, стандартном, типа, хромирования, электролите

...Детали перед хромированием обезжиривают в растворе, содержащем 30 - 50 г/л углекислого натрия, 30 - 50 г/л фосфорнокислого натрия и 20 - 30 г/л жидко. го стекла. Температура раствора равна 70 - 80, продолжительность опе рации 3 - 5 мин После промывки в горячей воде детали анодируют и электролите состава: хромовый ангидрид в 2 г/и и серная кислота 2,5 г/л, Режим обработки: плотность тока от 40 до 4 а/дл, напряжение 50 - 70 в и продолжительность операции 1 - 2 мин. Затем, не вынимая образец из ванны, производят хромирование изделия, изменяя направление тока.Этим способом можно получить качественные защитно-декоративные и износостойкие покрытия при хорошем сцеплении с основным металлом. В силу значительного сокращения количества...

Номер патента: 649270

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Ботвин, Горелкинский, Невинный, Сигле, Чеканов

МПК: H01L 21/263

Метки: кремнии, проводимости, слоев, создания, типа

...кэВ. Глубина залеганияслоя определяется пробегом протоковв кремнии. Гсли однако, необходимосоздать слой на глубине меньше,чем пробег используемых протонов, то это достигается путем изменения угла падения пучка протонов и плоскости подложки в соответствии с формулой3 л 1 п 0,где О 3Испытание радиационной стойкости проводят на кремнии с проводимостью 5:40 Ом см, который получают путем внедрения "- 10 смпротонов с максимальной энергией 6 МэВ с последующим отжигом при 250 С в течение 20 мин. Исходным материалом служит кремний Г -типа с проводимостью 60-10 Ом см, после отжига при+450 С он инвертируется в И -тип,глубина залегания слоя;пробег протонов в кремнии;угол между направлениемпучка протонов и плоскостьюподложки,Тот факт, что скорость...

Номер патента: 497899

Опубликовано: 25.03.1978

Авторы: Бочкарева, Парицкий

МПК: H01L 31/00

Метки: фотоприемник

...покрытием в контакте с твердым электролитом. оВ темноте в отсутствии внешнего напряжения и при гальванической разности потенциалов, равной нулю, что возможно при определенном разборе материалов электропроводящего покрытия и вещества твердого электролита, ток в Фотоприемнике равен нулю. При величине напряжения на фотоприемнике, отличной от нуля, в фотоприемнике (при замыкании внешней цепи) протекает темновой ток. При освещении Фотоприемника вследствие инжекции светом неосновных носителей сопротивление поверхностного барьера уменьшается, что приводит к появлению фото- тока. Если на поверхности Фотоприемника задано распределение интенсивности 25 света, то оно приводится к распределению Фототока по площади фотоприемника, что мсжет...

Номер патента: 561157

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Завалин, Иващенко, Максимов, Потыкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводников, проводимости, типа

...практически невозможно.Известно устройство для определениятипа проводимости полупроводников, содержащее источник питания, регистрирующий прибор, электроды для подклю енияисследуемого образца, истэчник магнитного поля 12,Принцип действия устройства основанна определении а,д.с. Холла,едостатком известного устройства561157 ПНИИПИ 7 .в: 1557 Л 51 Тирои 1101 Пониионовонниии пгппвтвнт г, уиаоров ун провитнвн 4 симостти от типа его проводимости и от пэнлярнэсти напряжения поляризации.На чертеже изображечо предлагаемоеустройство.Устройство содержит пластину 1 изсегнетозчектрического материал ,иала на противоположные грани которой нанесеныМект 1 эодьт поляризации 2, подключенныек источнику питания 3, контакт 4, измертите 1 ть...

Номер патента: 1827693

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Бестаев, Мошников, Томаев

МПК: H01L 21/66

Метки: гомогенности, границе, изменения, области, проводимости, соединений, температуры, типа

...о парах лигатуры соста 30 35 40 45 50 55 длиной 150 мм, которую предварительно подвергали травлению, затем термообрабатыоали о вакууме, создавали давление 10мм. рт. ст, и затем отпаивали, Процесс вы-. ращивания занимал 4 - 5 дней, Условия выращивания были следующие: температура роста 860 - 925 С, градиент температуры 3 - 10 С. На плоском своде ампулы, как правило, о конце процесса роста получали 5 -7. кристаллов с формой правильного параллелепипеда и с линейными размерами 3 х 3 х 2 мм.Состав полученных монокристаллов РЬо,дзЗпо,отЯе определяли методом локального рентгеновского анализа. Однородность по электрофизическим свойствам контролировали с помощью нестационарного термозондооого анализа. Для кристаллов была характерна высокая...