Мультивибратор

Номер патента: 600705

Опубликовано: 30.03.1978

Автор: Волошин

МПК: H03K 4/12

Метки: генератор, импульсов, треугольных

...пред(ставлена принципиальная электрическая схема генератора треугольных импульсов.Устройство содержит интегратор, выполненный на интегрирующем усилителе 1 с конденсатором 2 в цепи обратной связи, диффе- ренциальный усилитель 3, параллельно неинвертирующему входу которого пюдключен конденсатор 4, ключевой транзистор 5, резисторный мост на резисторах 6 - 9, резисторы 10, 11, включенные между одним источником опорного напряжения 12 и входом интегрирующего усилителя 1, резистор 13, включенный между друтим источником опорного напряжения 14 и входом интегрирующего усилителя 1,Генератор работает следующим образом.Линейно-изменяющееся напряжение с выхода интегратора наступает на резисторный мост (резисторы 6 - 9) с выходной диагонали которого...

Номер патента: 438106

Опубликовано: 30.07.1974

Автор: Шагурин

МПК: H03K 17/693

Метки: динамический, мдп-транзисторах, регистр, четырехтактный

...к генераторам импульсов б и а, а затвор ключевого транзистора 4 и зарядный конденсатор 6 второго инвертора - к генераторам импульсов г и 8. Входом каждого из инверторов являются затворы управляющих транзисторов 3 - 3, Выходами каждого из инверторов служат средние точки ключевых транзисторов и зарядных конденсаторов, к которым подключены паразитные диоды 7 - 7, образованные границей раздела стоковых областей ключевых транзисторов и подложки 5.Устройство работает следующим образом.Если в исходный момент на входе действует низкий уровень напряжения (фиг. 2,д), то транзистор 3 в первом каскаде заперт. Положительный тактовый импульс (фиг. 2,а) через диод 7 и сопротивление толщи подложки заряжает конденсатор 6. По окончании...

Номер патента: 940605

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Диковский, Каусова, Копицын, Назаревская

МПК: H01L 21/283

Метки: кремниевых, резисторами, тонкопленочными, транзисторов

Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами, включающий формирование активных областей, последовательное нанесение двух диэлектрических слоев, формирование в них контактных окон к активным областям, осаждение и фотогравировку нихрома для резисторов и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов при улучшении их параметров, после формирования контактных окон в диэлектрических слоях в эти окна дополнительно наносят пленку SiO2 толщиной 10 40 нм, локально формируют дополнительный слой металла со слабой адгезией к SiO2, растворяющийся в травителе, не взаимодействующем с нихромом, а после осаждения нихрома удаляют...

Номер патента: 1172003

Опубликовано: 07.08.1985

Авторы: Бочков, Лазаренко, Однолько

МПК: H03K 19/00, H03K 19/08

Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирователь

...конденсатор 22 к входной шине 4 и к затвору транзистора 20, сток которого подключен к входной шине 3. Затворы транзисторов 19 и 21 подключены к входной шине 6, стоки транзисторов 11, 12 16, 19 и 21 подключены к шине 1 питания.Формирователь импульсов работает следующим образом.В исходном состоянии на входных шинах 3, 5 и 6 высокое напряжение,на входной шине 4 ниэкое. Конлрнсь торы 13 и 22 заряжены до напряжения питания. Транзисторы 10, 11, 16 18 и 20 закрыты, ток по шине питания равен нулю. На шине 7 низкое напряжение, равное напряжению общй шины Работа формирователя начинается с приходом нд входную шину 4 положительного импульса и на входную шину 5 импульса запирающего транзистора 17, Через транзистор 14 заряжается конденсатор 15 и...

Номер патента: 1630564

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Асессоров, Велигура

МПК: H01L 21/18

Метки: балластными, многоэмиттерных, мощных, резисторами, свч-транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ МНОГОЭМИТТЕРНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ С БАЛЛАСТНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ, включающий создание в многокристаллической кремниевой пластине диффузионных областей баз и эмиттеров, формирование покрытия из диоксида кремния, нанесение на покрытие тонкопленочного резистивного слоя, создание резистивных элементов, вскрытие контактных окон к областям базы и эмиттера, формирование металлизации, наращивание защитного диэлектрического покрытия, травление окон в защитном диэлектрическом покрытии в области контактных площадок металлизации, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических характеристик транзисторов, одновременно с созданием резистивных элементов изготавливают тестовый резистор, измеряют его сопротивление, по значению...