Шихта на основе титана для получения абразивного материала

(71) Отделение Ордена Ленина института химической физики АН СССР и Ордена Трудового Красного Знамени институт проблем материаловедения АН УССР(53) 621.762:669,295(088.8) (56) 1, Авторское свидетельство СССР В 644728, кл. С 01 В 31/30, 1979.2. Новые методы получения металлических порошков. Сборник статей АН УССР под ред. О.С.Ничипоренко, Киев, 1981, с,154-158. 54)(57) ШИХТА Н ОЛУЧЕНИЯ АБРАЗ 1 ОСНОВЕ ТИТАНА ДЛЯ НОГО МАТЕРИАЛА, и кремнИй, о т л тем, что, с цель одержащая углеро ч а ю щ а я е я повышвани ения про ти шли оодительн поверхн иков они качествполупроводненты примас.7: содержи оотноше омп ледующе нии 19,0-19,9 0,5-5,0 Остальноеремниитан ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТЮОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН1086026 25 Титан Шероховатость мкм Кремний Углеродсажа) Скорость съема, мкм/мин 1,9 0,05 0,5 19,9 79,6 19,6 0,05 2,5 2,0 78,4 0,05 2,3 5,0 19,0 76,0 0,07-0,08 1,0-1,2 Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к шихте на основе титана для получения абразивного материала, который ис" пользуется для шлифовки кристаллического кремния, германия и других полупроводниковИзвестна шихта на основе титана для получения абразивного материала содержащая углерод ,), 10Недостатком известной шихты на основе титана являются низкие производительность шлифования и качество поверхности шлифуемых полупроводников при использовании полученного , 5 из нее абразивного материала.Наиболее близкой к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является шихта на основе титана для получения абразивного ма териала 2 , содержащая углерод и кремний, имеющая следующий состав, мас.Е:Углерод 3-36Кремний 8-50Титан ОстальноеНедостатком известной шихты на основе титана для получения абраэивно", го материала являются низкие проиэнодительность шлифования пластин полупроводникового кремния (скорость съема 1 - 1,2 мкм/мин ) и качество поверхности шлифуемых полупроводникон 1,шероховатость 0,07=0,08 мкм) при использовании полученного из нее абразивного материалаЦелью изобретения является повышение производительности шлифования и качества поверхности шлифуемых по-. лупроводников.40Указанная цель достигается тем, что шихта на основе титана для получения абразинного материала, содержащая углерод и кремний, содержит компоненты при следующем соотношении, мас.7.: Состан предложенной шихты, мас.Е Известная шихта на основе титана Углерод 19,0-19,9Кремний 0,5-5,0Титан ОстальноеДля получения из предлагаемой шихты абразивного материала порошки титана марки ПТМ, углерода 1 сажи) марки ПМТС и кремния марки КРсмешинают в необходимой пропорции, загружают в герметичный реактор с водяным охлаждением и воспламеняют с помощью вольфрамовой спирали пропусканием через нее н течение 2-5 с электрического тока напряжением 46- 60 В при силе тока 60-80 А. Образование абразивного материала протекает в режиме самораспространяющегося высокотемпературного синтеза. При достижении в реакторе давления 50- 100 атм производят сбрасывание давления до 1 атм с последующим вакуумированием в течение 0-15 мин. Полученный продукт подвергают дроблению, классификации, а необходимую фракцию порошка используют н качестве абразивной составляющей н эмульсиях или пастах.В таблице представлены результаты сравнительных испытаний абразивных материалов, полученных иэ предложенной и известной щихт на основе титана, Абразивные свойства определены при шлифовании полупроводниковых пластин кремния спирто-масляной суспензией (спирт + 4 мас.7 трансформаторного масла), содержащей 1,5 мас.Е абразивного порошка.Как видно иэ таблицы, абразивный материал, изготовленный с использованием предложенной шихты, имеет в 1,58-2,5 раза более высокую производительность шлифонания и обеспечивает повышение качества поверхности шлифуемых полупроводников по сравнению с абразивным материалом, изготовленным из известной шихты на основе титана.