Патенты опубликованные 07.01.1993

Номер патента: 1787313

Опубликовано: 07.01.1993

Автор: Келехсаев

МПК: H03B 19/14

Метки: умножитель, частоты

...в течение каждого периода колебаний формируются колебания треугольной формы, амплитуда которь 1 х пропорциональна Т -35 длительности полупериода 01 (Т), фиг, 2,2.. Сигнал 01 (Т) с выхода преобразователя 1 поступает на вход пикового детектора 2, ко. пряжение 02, соответствующее по величине40 амплитуде напряжения треугольной формы 01(Т), фиг, 2.3. Постоянное напряжение 02510 15 20 25 30 ложные по знаку, которые являются пороговыми напряжениями Оп 1 = 02/е и Оп 2 = = 02/и, и поступают на первый и второй входы порогового формирователя 6 разно- полярных прямоугольных импульсов.Напряжения + Оз и - Оз со второго и третьего выходов формирователя 3 постоянных напряжений поступают на четвертый и пятый входы порогового формирователя 6,...

Номер патента: 1787314

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Аляутдинов, Гаврилов, Костин, Светов

МПК: H03D 7/02

Метки: балансный, смеситель

...фильтр 3 (Ф 1) частоты гетероди на и полосовой фильтр 4 (Ф 2) промежуточной частоты, включенные последовательно в отрезок линии передачи 1, два смесительных диода 5, включенные последовательно в канале второго прямоугольного волновода 20 6 цепи сигнала и параллельно в отрезок линии передачи 1 между полосовым фильтром 3 частоты гетеродина и полосовым "фильтром, 4 промежуточной частоты. Расстояние от места включения диодов до по лосового фильтра частоты гетеродина определяют из выражения11 = агстд (- ),Л 1 Хд 130где Л 1 - длина волны в отрезке линии передачи на (2 п + 1) гармонике гетеродина;ХД 1 - реактивное сопротивление смеси- тельных диодов на (2 п + 1) 1 г гармонике гете родина,Е - волновое сопротивление отрезка линии...

Номер патента: 1787315

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Лупанов, Ратников, Сущев

МПК: H04N 13/04

Метки: стереоскопическая, телевизионная

...обоих каналов, так как управление диафрагмами обьективов осу 1787315ществляется по сигналу узкоугольного канала,На фиг. 1 приведена структурная схема стереоскопической телевизионной системы; на фиг. 2 - конфигурация светофильтра; на фиг, 3 - 6: а) телевизионное изображение, наблюдаемое оператором только левым глазом (широкоугольный канал); б) телевизионное изображение; наблюдаемое оператором только правым глазом (узкоугольный канал); в) зрительное ощущение, возникающее у оператора, при наблюдении ТВ-изо-. бражений обоими глазами, но на фиг. 3 - светофильтр снят, на фиг. 4 - светофильтр установлен, на фиг, 5 - светофильтр установлен, яркое световое пятно в периферий-. ной зоне широкоугольного канала; электро- привод 15 подключен и выходу...

Номер патента: 1787316

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Безбородов, Борзов, Гаврилов, Гильманшин, Стариков

МПК: H05B 3/42

Метки: трубчатый, электронагреватель

...спирали и находящиеся вческую прочностьизоляции нагревателя, 30 контакте с поверхностями, производящимиЦель"изобретения -" повышение элект- теплосъем. До нормального градированиярической барочности элеКт 3 жнагревателя. поля достаточйо соотношение диэлектриче-,ПОставпеннаяцель достигается тем, что ских проницаемостей слюдосодержащих" одна из гильз или обе, в зависимости от материалов - 1,5, применьшихсоотношенинаправлеййя тейлосъема с электронагрева ях, приближающихся к 1,0, режим работытеля, выполнены комбинированными из изоляции становится близким к режиму ра слюдосодержащих материалов с различ-. боты однородной изоляции,нымй величинами диэлектрйческой про- Кроме того, приходится увеличиватьницаемости при рабочей температуре...

Номер патента: 1412383

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Буравлева, Чаркина, Чубенко, Эйдельман

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, иодистого, монокристаллов, цезия

...кристаллов при сохранении оптических свойств Способ включает нагрев шихты,содержащей иодистый цезий с добавкой 4-5 масВ бромистого цезия, После нагрева до плавления проводят выдержку в течение 1,0-1,5 ч. Нагрев и выдержку расплава ведут при непрерывном вакууми-гровании до давления 1 10 в , 510 г мм рт.ст а рост кристалла ведут в атмосфере азота при давлении 110 -1,10 мм ртст., Достигнут предел текучести 200-260 г/мм 2, 1 табл,1412383 условиях без добавления примеси бромистого цезия, улучшены при этом оптические свойства. формула изобретения Способ выращивания монокристаллов иодистого цезия, включающий нагрев шихты, содержащей иодистый цезий с добавкой бромистого цезия, до плавления, выдержку и последующий рост кристаллов по методу...

Номер патента: 1531398

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Бибаев, Загнойко, Мезенцев, Перепелицын, Сорокалет, Фарафонов, Хорошавин, Чирихин, Чуклай

МПК: C04B 35/04

Метки: огнеупора, периклазоуглеродистого

...приводит к Формированию гранул со следующей структурой: в цент ре - зерна периклаза, оболочка на зернах - керметная, состоящая из дисперсных порошков графита, Феррофосфора и периклаза, пропитанныхорганической связкой, 25Это обусловливает уменьшениекоэффициента внутреннего трения одновременно всех зерен, что приводит к повышению пластичности и гомогенности массы 30 Механизм Формирования керметной структуры периклазоуглеродистого огнеупора заключается в смачивании зерен крупнозернистого периклаэового и Феррофосфорного порошков органической связкой, ее полимеризации при низких темгературах и образовании тем самым прочного каркаса между зернами периклазового порошка, графита 4 О и антиоксиданта. С повышением температуры в условиях службы...

Номер патента: 717981

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Годлевский, Копытин

МПК: G01N 21/17

Метки: атмосферы, газового, состава

...сеяния относительно молекулярного или аэрозольного.Недостатком известных устройств для анализа газового состава атмосфе-; ры является недостаточная точность и надежность в определении газовых компонентов. Это обусловлено большими техническими трудностями, связанными с необходимостью высокой стабилизации частоты излучения лазера, настроенного на частоту спектральнойлинии газа атмосферы..Ы 2 717981 А 1 тно также устройсгазовых характеритическим зондировее лазер и оптическую пристему. В устройстве устано лазера, изменяющие длины на из которых совпадает со ьной линией исследуемого г угая не совпадает, Сравнитояния излучения от обоих определяют газовый состав ы.нтал КорректорЛ,фильЕ аЬФаеааааввеев ае Подписное бретениям и открытиям и аушская...

Номер патента: 1471546

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Виноград, Гуревич, Ковалева, Козлов, Любинский

МПК: C09K 11/55, C09K 11/61, C30B 11/06 ...

Метки: иодида, основе, сцинтиллятора, цезия

...комнатной температуры со скоростью 10 /чаВ таблице представлены свойства кристаллов, полученных по изобретению и данные сравнительных примеров.Из представленных в таблице дан ных следует, что величина послесвечения кристаллов, полученных по изобретению, в 2-9.раз ниже, а интенсивность радиолюминесценции в 2-2,5 раза выше аналогичных характеристик ЗО кристаллов, полученных известным способом. При этом кристаллы не имеют посторонних включений.Повышение скорости нагрева при термической обработке поглотителя выше 15 град/ч приводит к его спеканию, в связи с чем при его дальнейшем применении возможно образование кислород-содержащих примесей в кристалле и повышение интенсивности послесвечения, Снижение скорости нагрева ниже 5 О/ц...

Номер патента: 974763

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Дюнов, Чухланцев

МПК: C01B 39/06

Метки: цеолита, цирконосиликатного

...при концентрации едкого натра 5-20 мас.4.После отделения остатка щелочной раствор, содержащий до 10 г/л ЕгО, 1 О нагревают до 70-105 С. При этом выделяется осадок цирконосиликатного цеолита, который после промывки во, дой и высушивания при 105 С имеет состав (МаН) О,. ЕгО2,5 БхОХ 15к 5 НО, где Х = 0,7-1. В табл, 1 приведены данные, характеризующие состав получаемых продуктов. Изменение мольных соотношений 29 ЕгО/БО в соосажденном геле и Ма О/БО в растворе за пределы заявляемых значений приводит к образованию цеолитов с большим относительным содержанием кремнезема, обладающих низкой устойчивостью в растворах щелочей,Снижение концентрации едкого натра ниже 54 нецелесообразно, так как приходится брать большой объем раст" 30 вора на...

Номер патента: 1292456

Опубликовано: 07.01.1993

Автор: Козьякова

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, лавинно, пролетных, сопротивления, теплового

...ВАХ в точке перегиба;температурный коэффициентпробивного напряжения;эффективное значение токагреющего импульса;начальное значение пробивного напряжения диода,где 63 ППР 1 Приведенные соотнощения между параметрами импульса тока и тепловыми постоянными времени перехода и диода найдены экспЬрииентальныи путем, При50;,Р приращение пробивного напряжения (или приращение ВАХ в точ. ке перегиба) относительно начального довольно незначительно ( с 0,1 В), что затрудняет его определение. При 7 0,11 ВАХ плывет по экрану, потому что при этом происходит изменение температуры корпуса диода эа время измерения. При 10,1 г и скнажиости 4 на экране осциллографа отчетливо наблюдаются две ВАХ, не изменяющие своего положения за время измерения, с...

Номер патента: 791157

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Маричев, Неделькин

МПК: H01S 3/115

Метки: лазер, твердотельный

...3, кювету с Фо-,тотропным раствором 4 и откаченные или наполненные непоглощающим газомкюветы 5.Активный элемент 1 помещен в резонатор, выходным элементом которогоявляется резонансный рефлектор 2, аплотным зеркалом - электрооптическийотражатель 3 Кювета с фототропнымраствором 4 размещена между активным элементом 1 и электрооптическимотражателем 3, В свободном пространстве на оптической оси между активным элементом 1 и кюветой с фототропным раствором 4, а также междуактивным элементом 1 и резонанснымрефлектором 2 размещены кюветы 5,откачанные или наполненные газом, непоглощающим на длине волны генерациилазера, которые практически исключают паразитную селекцию атмосферы врезонаторе,Лазер работает следующим образом, Во время накачки...

Номер патента: 1300856

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Бугаев, Галкин, Головина, Киселев, Перепелицын, Попов, Рутман, Сорокин, Устьянцев, Чернега

МПК: C04B 7/32

Метки: высокоглиноземистого, клинкера, плавленого, цементного

...содержании дополнительно вводимого глинозема наряду с высокоактивнь- СаО 2 А 1 О происходит образованиегидравлически инертного СаО 6 А 1 О31ухудшающего вяжущие свойства цемента.полученного из клинкера. Если колич.ство дополнительно вводимого глинозема менее 20 мас.7., то совместно сСаО 2 А 1 Ообразуется ловьппенцое количество легкоплавких алюминатов кальция (СаО Л 1 О и др.), резко сцижаюзщих огнеупорцость клинкера.Осуществление последующего плавления при температурах менее 1750 С приводит к увеличению длительности процесса и появлению непроплавленных включений корунда в клцнкере, что о снижает вяжущие свойства цемента. Проведение последующего плавления при температурах более 1800 С экономически цецелестобразцо в связи срезким...

Номер патента: 1480329

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Головина, Латыпова, Овчарук, Перепелицын, Румянцев, Сахаров, Хаиров, Ярин

МПК: C04B 7/36

Метки: высокоглиноземистого, клинкера, плавленого, цементного

...клинкеризмельчают в вибромельнице до удельной поверхности 5000 см/г,получения сра.внительных пока предлагаемого и известного в часть расплава охлаждали в й чаше в течение 25 ч, скохлаждения при этом составила д,/мин Клинкер после охлажзмельчали на щековой, валко1480329 кую активность цемента при снижениизатрат на его производство. При этомсокращается время помола, цто позволяет снизить намол железа в цементе, а также высвободить помольноеоборудование. Ожидаемый экономический эФФект образуется за счет снижения трудозатрат при помоле клинкераи повышения кацества цемента,Формула изобретения Равмеробъемная Пример Иикроструктура цементного клинкераконец клинкер кристаллы нгцало 20 26,3 8-00 15-00 10 8,2 2-10 4-30 5 3,5 1-20 3-30 СаОА 1...