Антифрикционный материал

Номер патента: 1729086

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Воронин, Осипов, Шульженко

МПК: C01B 31/06, C01B 31/36

Метки: алмаза, карбида, композиционного, кремния

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННОГО МАТЕРИАЛА ИЗ АЛМАЗА И КАРБИДА КРЕМНИЯ, включающий формирование трехслойной системы из слоя алмазного порошка, пластины из кремния и промежуточного между ними слоя, нагрев этой системы под воздействием давления не менее 25 кБар до температуры, достаточной для плавления кремния, и выдерживание при этой температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости алмазосодержащего слоя композиционного материала, в качестве промежуточного слоя используют порошок или пластину со сквозной пористостью из карбида элемента из группы, включающей бор, кремний, переходные металлы IV VI групп Периодической системы или из смеси карбидов или из твердого сплава карбида вольфрама и кобальта, а нагрев...

Номер патента: 1834839

Опубликовано: 15.08.1993

Авторы: Кокушкин, Кравецкий, Шульчева, Шуршаков

МПК: C01B 31/02

Метки: карбидом, кремния, насыщения, пористого, углеродного

...образования определенного количества парообразного кремния,обеспечивающего объемную пропитку пористого углеродного изделия, Из опыта работы установлено, что в зависимости отисходной пористой структуры углеродногоизделия, и температуры нагрева "нормальная" степень насыщения, характеризуемаяпривесом (50-80) как для конструкционных графитов, так и для углерод-углеродныхматериалов) обеспечивается выдержкой неменее 1 ч. Выдержка более 3 ч нецелесообразна, т,к, особенно при температуре1800 - 1900 С начинается разложение образовавшегося карбида кремния,Сравнительные данные, иллюстрирующие преимущество заявляемого способа,приведены в табл. 1,Как видно из анализа данных таблицыпривеса карбида кремния по заявляемомуспособу в 1,5 - 1,6 раза...

Номер патента: 1026614

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Гусев, Демаков, Столярова

МПК: H01L 33/00, H05B 33/18

Метки: карбида, кремния, основе, светодиод

СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ, представляющий собой трехслойную структуру, содержащую n- и p-слои, отличающийся тем, что, с целью повышения яркости свечения, уменьшения падения напряжения и времени высвечивания, он содержит приповерхностный слой, обогащенный углеродом, с градиентом не менее 1024 см-4, при этом концентрация примеси в n-слое не менее 1016 см-3, а градиент концентрации в p-слое 1024 - 1026 см-4.

Номер патента: 593646

Опубликовано: 15.02.1978

Авторы: Вольфганг, Конрад

МПК: B01J 17/32

Метки: карбида, кремния, труб

...ета Совета Мииистровй и открьггидушскаи иаб., д, 4/5 го комит изобретеи ЖЗЬ, Р Государствеипо делам 35, Москва ППППа тъ,г.У род, уя. или ет токовые контакты, снабженные патрубками для ввода и вывода газов, содержащих кремний или карбид кремния. Кожух может быть снабжен средствами ввода и вывода инертного газа, чтобы защитить графитовый носитель от обжига во время нагревания.На чертеже изображено предлагаемое устройство. Оно содержит трубчатое полое тело из графита 1 с токовыми контактами по бокам 2 и 3, которое используется в качестве .носителя для внутреннего осаждения полупроводникового материала, Для этой цели графитовая трубка 1 снабжена затворами для впуска 4 и выпуска 5 газа для реакции. Для защиты тлеющего графитового тела 1 во...

Номер патента: 1080740

Опубликовано: 15.03.1984

Автор: Герт-Вильгельм

МПК: C01B 33/02

Метки: карбида, кремнезема, кремния, покрытием, производства, углерода, частиц, электропечи

...противотоком водяного пара и инертного газа. жидком виде с температурой 250 ОС,кипящий слой используют при 500-700 Си полученные частицы кремнезема спокрытием иэ углерода при 600-800 Сотводят иэ нижней части кипящегослоя, причем частицы, покрытиекоторых содержит углерод в количестве, меньшем стехиометрического, смешивают с исходным кремнеземом ирециркулируют в кипящий слой.Кипящий слой создают и поддерживают подачей противотоком водяногопара и инертного газа,На чертеже представлена установкадля осуществления предлагаемого способа.В реактор 1 по трубопроводу 2вдувают кремнезем с температурой600-800 ОС. При помощи водяного параи инертного газа, подаваемых раздельно по трубопроводам 3, 4, создаетсяи поддерживается кипящий слой 5...