Способ изготовления rc-интегральных схем

Номер патента: 486497

Опубликовано: 30.09.1975

Автор: Лобиков

МПК: H05K 3/14

Метки: маски, напыляемой, пленочной, подложкой, совмещения, схемы

...к которым при помощи пружинных фиксаторов прижата подложка, и выполнением узла крепления маски в виде охватывающих ее двух рамок, одна из которых снабжена шариковыми толкателями, установленными с внешней стороны рамки против базовых пальцев и расположенными по ее внутреннему контуру выступами, опирающимися на базовые пальцы со стороны, противоположной участку соприкосновения базовых пальцев с подложкой.Конструкция описываемого устройства приведена на чертеже.Приспособление для нагрмаски снабжено двумя рамкакоторыми размещена маска 3 ковыми толкателями 4 пр новленным на держателе 5 вым пальцам 7. К базовьв тивоположной стороны пр 5 жиненными фиксаторами 8 Таким образом, подложк зируются беззазорно одни; ) вымп пальцами 7; при это...

Номер патента: 1811041

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Коледов, Патрацкая, Томащенко, Черный

МПК: H05K 3/14

Метки: маски, металлической, подложкой, совмещения, фиксации

...с помощью микроскопа 1 и манипулятора совмещения, осуществляется подъем магнита 10 на подвижном носителе эа ручки 12 до полного совмещения магнита с подложкой и маской, Далее снимается магнит 5 идержатель 2 с направляющих 3,Подвижный носитель с магнитом, подложкой и маской передается за ручки на следующие операции или на межоперационное хранение.Пример конкретного выполнения,Устройство для совмещения и фиксации металлической маски с подложкой выполнено для металлической маски 6 с размерами,мм 48 х 60 х 0,5 и алюминиевой подложки с полиимидной изоляцией 7 с размерами, мм 48 х 60 х 1,0.Устройство состойт иэ микроскопа 1 с системой освещения, манипулятора совмещения, соединенного с подвижной плитой 13, имеющей отверстиеф 37 мм, в...

Номер патента: 1595277

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Ивановский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межсоединений, создания, схем

...напыления 250 С.Проводят гравировку и травлениеслоев аморфного кремния методом ПХТи титана жидкостным травлением дляформирования рисунка межсоединений, 25При этом аморфный кремний и титанудаляют с областей тонкого диэлектрика т.е. затворы остаются поликремниевые, и при термообработке на нихсилицид не образуется, Кроме того,кремний и металл Удаляют с областейформирования омических контактов кполикристаллическому кремнию. Проводят термообработку при 850 С.в течение 10 мин в реакторе пониженногодавления в среде азота. При этомпроисходит уменьшение сопротивленияшин межсоединений за счет диффузииаморфного кремния и поликристалличес"кого кремния в слой титана и образования фазы дисилицида титана сте"хиометрического состава....

Номер патента: 1760920

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Довнар, Лесникова, Сарычев, Сасновский, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межэлементных, соединений, схем, формирования

Способ формирования межэлементных соединений интегральных схем, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой пластины с созданными в ней элементами интегральных схем слоя алюминия или его сплавов, нанесение слоя кремния, создание фоторезистивной маски с рисунком межэлементных соединений, травление слоев кремния и алюминия или его сплавов через эту маску, удаление маски, отличающийся тем, что, с целью повышения качества межэлементных соединений путем уменьшения вероятности коротких замыканий и повышения стойкости к электромиграции, после удаления маски пластины со сформированным на них рисунком межэлементных соединений в течение 5-30 мин обрабатывают в атмосфере гексафторида...

Номер патента: 1840163

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Коваленко, Манжа, Сулимин, Шурчков, Ячменев

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляции, интегральных, схем, элементов

Способ изготовления диэлектрической изоляции элементов интегральных схем, включающий формирование скрытых слоев в полупроводниковой подложке, наращивание эпитаксиальной пленки, нанесение маскирующих слоев, вытравливание канавок в эпитаксиальной пленке, формирование противоканальных р+-стопорных областей, нанесение пленки поликремния и заполнение канавок окислом кремния, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции и процента выхода годных схем, после нанесения маскирующих слоев наносят легированную окисную пленку, канавки травят на толщину эпитаксиальной пленки, затем перед формированием противоканальных р+-областей формируют диэлектрическую пленку на стенках и дне канавок, удаляют локально окисел...