Арзубов
Источник ионов
Номер патента: 1531745
Опубликовано: 15.09.1994
Авторы: Арзубов, Насыров, Пузыревич, Рябчиков
МПК: H01J 27/22, H01J 3/04
ИСТОЧНИК ИОНОВ, содержащий коаксиально расположенные анод и катод, составленный из различных рабочих материалов, поджигающий электрод, изолятор, установленный между катодом и поджигающим электродом, и ускоряющий электрод, при этом катод и анод подключены к источнику электропитания основного разряда, а катод и поджигающий электрод - к источнику вспомогательного разряда, отличающийся тем, что, с целью упрощения устройства, поджигающий электрод установлен в центре катода, выполненного из плотно прилегающих концентрических колец из рабочих материалов, причем внешнее кольцо катода подключено к источнику питания основного разряда, выполненному с регулируемой длительностью импульса.
Способ импульсно-периодической ионной обработки изделия и устройство для его осуществления
Номер патента: 1764335
Опубликовано: 15.09.1994
Авторы: Арзубов, Васильев, Насыров, Рябчиков
МПК: C23C 14/32
Метки: изделия, импульсно-периодической, ионной
1. Способ импульсно-периодической ионной обработки изделия, включающий импульсную генерацию плазмы, последующее ускорение ионов и многократное и поочередное облучение образца ускоренными ионами и нейтральными атомами и ионами, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества обработки материалов, в каждом импульсе генерации плазмы проводят напыление примесей и имплантацию, причем напыление осуществляют как в процессе имплантации, так и сразу после ее окончания, при этом длительность ускоряющего импульса у и длительность импульса генерации плазмы p выбирают в зависимости от сорта ускоренных...
Источник ионов
Номер патента: 1455926
Опубликовано: 30.09.1990
Авторы: Арзубов, Исаев, Луконин, Рябчиков
МПК: H01J 3/04
...величину падЕриянапряжения на дуговом разряде междукатодом 1 и анодом 2. Таким образом,необходимо, чтобы к моменту достиже-ния плазмой анода 2 емкость С 1 заря.-дилась до напряжения, превышающегопадение напряжения на. дуге Б междуанодом 2 и катодом 1. Соотношение, определяющее данноеусловие, можно подучить исходя из 4 О следующих соображений. После пробояпромежутка между катодом 1 и"поджигающим электродом 4 плазма, формируемая катодным пятном вакуумной дуги,достигнет анода 2 за время 45Ь(1)7 олгде 1, - расстояние от катода 1 доанода 2;Ч. - скорость распространенияплазмы от катода к аноду.Исходя из условия, что за,время,распространения плазмы Ы емкость С,"должна зарядиться дб напряжения Ос ,превышающего напряжение горения дуги бб...
Источник ионов
Номер патента: 1395024
Опубликовано: 30.09.1990
Авторы: Арзубов, Ваулин, Исаев, Рябчиков, Хлоповских, Шипилов
МПК: H01J 3/04
...сеткой 4.Источник ионов работает следующим 55образом. 11 ри подаче с блока питанияи.коммутации на электрод 9 поджигающего импульса длительностью - 1-10 мкс и амплитудой 2-5 кВ по поверхности диэлектрического кольца 3 происходит пробой промежутка между поджйгающим электродом 9 и дополнительным элементом 5, расположенным напротив него. Образовавшаяся после пробоя плазма после расширения создает дуговой разряд между данным дополнительным элементом 5 и анодом 2 за счет энергии, запасенной например, в емкостном накопителе 1.9. В этом случае амплитуда тока разряда определяется величиной зарядного напряжения и значением сопротивления резистора К 1.Длительность Формируемого импульса ионного пучка определяется длительностью разряда между...
Способ ионной имплантации
Номер патента: 1412517
Опубликовано: 07.09.1990
Авторы: Арзубов, Ваулин, Исаев, Кузьмин, Рябчиков
МПК: H01J 37/317
Метки: имплантации, ионной
...импульсный трансосновного дугового разряда плазмапоступает в ускоряющий зазор междуускоряющим электродом 1 и анодом 4. возможчость реализации предлагаемого способа за счет многократного и поочередного проведения облучения оби соответственно на образец 2 подаютускоряющее напряжение, В процессе облучения, например, образца СаАз.на;бирают дозу Р ионов внедряемой примеси, определяемую в данном случаекак Э=6 2510 1.Е Е- (8 К Б)8 ) где 1 - ток пучка ионов;Т - длительность импульса тока;1 - частота следования импульсов.Из литературных данных или дополнительного эксперимента определяют коэффициент распыления материала выбранного образца СаАз ионами данного сорта (например, В). При ускоряющем напряжении 0=60 кВ в выбранном случае 3=3, После...