Утенкова
Способ изучения кинетики фазовых превращений в материалах
Номер патента: 1224686
Опубликовано: 15.04.1986
Авторы: Бабенко, Бешенков, Утенкова
МПК: G01N 23/20
Метки: изучения, кинетики, материалах, превращений, фазовых
...дифракционных кривых. После изучения структурных превращений при выбранных температурах устанавливают зависимость структурных изменений от времени изотермической выдержки.Предлагаемый способ изучения кинетики Фазовых превращений был применен в высокотемпературной рентгеновской камере, установленной на рентгеновском дифрактометре и содержащей стакан с подающим и приемным барабанами и механизмом перемотки образца.В качестве примера осуществления предлагаемого способа приводятся результаты изучения диаграммы иэотермического превращения аустенита в Феррит и цементит стали ЗОХ 13.На фиг. 1 показано изменение вида дифрактометрических кривых; на Фиг. 2 - диаграмма изотермического превращения аустенита.В нагревательном элементе обраоч эец...
Рентгеновский излучатель
Номер патента: 1213508
Опубликовано: 23.02.1986
Авторы: Андрущенко, Баженова, Бахтиарова, Минина, Смирнов, Утенкова, Харитонов, Щербединский, Щукин
МПК: H01J 35/08
Метки: излучатель, рентгеновский
...излучателя предусмотрено окно 7 (в данном излучателе два окна), закрытое пластиной 8 из рентгенопрозрачного материала. В аноде 6 выполнена выемка 9, в которую поступает25 охлаждающая жидкость, например вода, по каналу 10 охлаждающей системы 11. Для подвода к излучателю высоковольтного напряжения служат вы-, воды 12. 20 Формула изобретения30 Рентгеновский излучатель, содержаший вакуумированный баллон, в котором расположены катод, анод и выполнено окно для вывода рентгенов" 35ского излучения, закрытое бернллиевой пластиной, о,т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей излучателя, в окне эа бериллиевой пласи 40 тиной расположен в положении Напросвет" кристалл-монохроматор так, что его отражающая...
Приставка к рентгеновскому гониометру
Номер патента: 1190244
Опубликовано: 07.11.1985
Авторы: Бахтиарова, Боричев, Горбачева, Смирнов, Утенкова
МПК: G01N 23/20
Метки: гониометру, приставка, рентгеновскому
...6 на втулке, обеспечивающий вращение втулки 5 вокруг горизонтальной оси, перпендикулярной к вертикальной оси. приставки. К фланцу 7 жестко прикреплены стержни 10 параллельно оси втулки, а на их противоположных концах закреплена платформа 11. На последней монтируется устройство 12 типа гониометрической головки, обеспечивающее пространственную ориентацию и перемещение в трех направлениях держателя 13 образца, который введен внутрь втулки 5. Устройство 12 состоит иэ двух дуг, установленных во взаимно перпендикулярных плоскостях, и привода перемещения держателя в двух направлениях, перпендикулярных оси втулки, и вдоль этой оси. Держатель 13, несущий образец, выполнен съемным, а его форма и размеры варьируютсяв зависимости от размеров...
Установка для рентгенографического исследования текстуры
Номер патента: 1179178
Опубликовано: 15.09.1985
Авторы: Минин, Румак, Сакун, Сапожников, Тишкевич, Утенкова
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, рентгенографического, текстуры
...на уровне зубца держателя образца.1 11791Изобретение относится к рентгеновской аппаратуре для исследования текстуры поликристаллических материалов, металлов и сплавов методами построения полюсных фигур или сбора данных для расчета функций распределения ориентировок кристаллов.Целью изобретения является повышение точности и надежности исследования текстуры. 1 ОНа чертеже схематически изображена текстурная приставка.Приставка содержит корпус 1, в котором посредством втулок 2 смонтирована поворотная рама 3. На раме установлена каретка 4, которая с помощью электропривода 5 может совершать возвратно-поступательное перемещение по направляющим 6 относительно рамы 3. На каретке 4 установлен держатель образца 7 с возможностью вращения вокруг...
Устройство для высокотемпературного рентгеноструктурного анализа
Номер патента: 1155924
Опубликовано: 15.05.1985
Авторы: Никишин, Петьков, Утенкова, Шолин
МПК: G01N 23/20
Метки: анализа, высокотемпературного, рентгеноструктурного
...для прохождения рентгеновских лучей. Держатель 9 радиат ра 6 соединен с механизмом 1 О перемещения, привод 11 которого соединен со схемой получения сигнала (не показана), поступающего от дифференциальной термопары 12, контактов 6 , о ,. Спаи термопары 12 подведены к образцу 1 и эталону 2. Радиатор 6 соединен с охлаждаемым корпусом 13 камеры гибким тепло- проводящим жгутом 14. Нагреватель 5 соединен с токоподводами 15.Устройство для высокотемпературного рентгеноструктурного анализа работает следующим образом. 15 о35 40 45 50 55 Недостаток известного устройства состоит в том, что из-за того, что образец и эталон находятся в разных тепловых. условиях, снижается уровень рабочих температур, а это, в свою очередь, ухудшает условия получения...
Рентгеновская приставка для длинномерных образцов
Номер патента: 1101723
Опубликовано: 07.07.1984
Авторы: Бабенко, Григорьев, Райцес, Утенкова
МПК: G01N 23/20
Метки: длинномерных, образцов, приставка, рентгеновская
...контроляблагодаря сокращению времени сменыдлинномерного образца и устраненияобрывов при исследованиях,Поставленная цель достигаетсятем, что в рентгеновской приставкедля длинномерных образцов, включающей герметичный водоохлаждаемый корпус с крышкой, в котором выполненыокна, закрытые рентгенопрозрачнымматериалом, держатель образца, смонтированный внутри корпуса, съемныйстакан с отверстием в донной части,в котором смонтирован механизм поотяжки, выполненный в виде подающегои приемного барабанов, кронштейн,жестко соединенный с дном стакана инесущей пбвротный ролик и направляющие установленные одна вьние, а другая ниже окна, подающий и приемныйбарабаны смонтированы на индивидуальных осях, ось подающего барабана установлена на дне...
Способ изучения кинетики фазовых превращений в материалах
Номер патента: 1087855
Опубликовано: 23.04.1984
Авторы: Бабенко, Райцес, Утенкова
МПК: G01N 23/20
Метки: изучения, кинетики, материалах, превращений, фазовых
...и приемный барабаны протяжного механизма при этом должны быть смонтированы вне нагревателя. После монтажа камеры, вакуумирования и нагрева нагревателя камеры до заданной температуры включают механизм поступательного перемещения образца и рентгеновский аппарат. Рентгенографирование образца и поступательное перемещение его относительно рентгеновского пучка проводят одновременно. Перемещение образца через нагреватель осуществляют посредством перемотки его с одного барабана на другой. Скорость поступательного перемещения образца через нагреватель должна быть пропорциональна скорости протекания структурного изменения в материале, Скорость структурного изменения материала определяют предварительно по диаграммам изотермического превращения,...
Способ заложения кротовин и устройство для его осуществления
Номер патента: 1030484
Опубликовано: 23.07.1983
Авторы: Гостищев, Дубенский, Локшин, Малков, Мякотин, Новиков, Покромович, Утенкова, Щеголев
МПК: E02B 11/02
...но его недостаток - слабая устойчивость кротовин к размыву, который начинаетсяв нижней части их сечения и приводит к последующему обрушению свода. Способ осуществляют с помощью лемешного плуга, в нижней части стойки корпуса которого закреплен посредством гибкой тяги дренер, формующий кротовину,Цель изобретения - повышение устойчивости кротовин к размыву.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу, включающему вспашку почвы с одновременным формованием кротовин, нижнюю половину кротовин вырезают в ненарушенном подпахотнЬм слое, а верхнюю - в рыхлом пахотном слое.Устройство для осуществления способа содержит плуг, лемех которого дополнительно снабжен выступающим за его нижнюю кромку полукруглым стругом, расположенным по оси...
Способ рентгенографического исследования монокристаллов
Номер патента: 994967
Опубликовано: 07.02.1983
Авторы: Ингал, Минина, Мотора, Мясников, Соловейчик, Утенкова, Финкельштейн
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, монокристаллов, рентгенографического
...доби"ваются появления вторичного дифрагированного луча б, несущего скрытоетопографическое иэображение распреде.ления дефектов по облуцаемой поверхности монокристалла 5. Топографичес"кое изображение неподвижного монокристалла Фиксируют на Фотопластин-,ке 7, установленной параллельно илипод некоторым углом к поверхности мо"нокристалла 5, Проанализировав топо"графическое изображение, выбирают наповерхности объекта область, представляющую интерес для исследованияс помощью анализа Формы кривой двойного отражения . Для получения кривой5 .-9949двойного отражения от указанной об"ласти устанавливают новую фотоплас-тинку 7, повторно экспонируют ее 1,ноеще не проявляют )а затем в пучок 4вводят диафрагму 8, размер которой - 5выбирают таким, чтобы...
Способ измерения изгиба монокристаллов
Номер патента: 894499
Опубликовано: 30.12.1981
Авторы: Минина, Мясников, Сидохин, Утенкова
МПК: G01N 23/207
Метки: изгиба, монокристаллов
...радиус изгиба исследуемого монокристалла 4, нои выделить вклады составляющих изменения периода решетки и собственноизгиба. Этого можно добиться путемиспользования в качестве щели достаточно толстого эталонного монокристалла, подвергнутого такой же обработке, что и исследуемый, но в силу своейтолщины практически не испытывающегосколько-нибудь заметных изгибающих.деформаций..Кроме того, предлагаемый способобладает всеми преимуществами двухлучевых методов дифракционного исследования монокристаллов, выражающихся, в частности, в отсутствии необходимости Фиксации нулевой точкиизмерения, причем этот результатобусловлен именно поочередным регистрированием дифрагированных пучков,отраженных (одновременно 1 от эталонного и исследуемого...
Способ рентгенодифрактометрического определения ориентировки монокристалла
Номер патента: 890180
Опубликовано: 15.12.1981
Авторы: Новиков, Освенский, Утенкова, Фомин
МПК: G01N 23/20
Метки: монокристалла, ориентировки, рентгенодифрактометрического
...монокристалла, подвергнутого предварительной юстировке, направляют монохроматический пучок рентгеновских лучей и, поворачивая кристаллы вокруг оси гониометра, выводят в отражающее положение заданную кристаллографическую плоскость, фиксируя при этом значение угла ф, отвечающего этому положению, Затем объект поворачивают на180 вокруг оси, перпендикулярной плооокости среза и гониометрической оси, и,повторяя ранее совершенные операции,вновь выводят монокристаллы в отражение и фиксируют угловое положение кри-сталла , Ориентацию заданной кристаллографической плоскости относительноплоскости шлифа (т. е. угла отклоненияот нормали к плоскости среза) находяткак полуразность зафиксированных углов7 йООКак следует из таблицы,...
Дифрактометрический способ определения ориентировки монокристалла
Номер патента: 890179
Опубликовано: 15.12.1981
Авторы: Новиков, Освенский, Утенкова, Фомин
МПК: G01N 23/20
Метки: дифрактометрический, монокристалла, ориентировки
...рентгеновских лучей от источника 1 проходйт через систему коллимируюших щелей 2 и падает на поверхностьизучаемого монокристалла 3, подвергнутого предварительному ориентированию,при котором нормаль отражающей плоскости и нормаль поверхности и повыведенй в плоскость перпендикулярнуюгониометрической оси 4, Поворачиваякристалл вокруг оси 4 выводят нормальП 1,в отражающее положение фиксируя максимум интенсивности дифрагированного луча 5 детектором 6, Приэтом регистрируется отсчет углоизмеритедьного устройства поворота 9, Вданном положении вводят кодлимиатор 7с двумя круглыми диафрагмами, размеркоторых должен быть равен сечению дифрагированного луча 5, и, плавно перемещая его, устанавливают в позиции,обеспечивающей прохождение...
Устройство для ограничения расходимости пучка рентгеновских лучей
Номер патента: 873280
Опубликовано: 15.10.1981
Авторы: Горбачева, Кекелидзе, Остаев, Утенкова
МПК: G21K 1/02
Метки: лучей, ограничения, пучка, расходимости, рентгеновских
...установностью перемещения вдол взаимодействии со срещих элементов под дейвинтов, ввернутых, в873280 20 25 30 резьбовое отверстие каркаса, при этом прокладки между пластинами установлены друг над другом на боковых гранях около ребер, параллельно им.На фиг. 1 изображено устройство, продольный разрез; на фиг. 2 - то же, поперечный разрез.Устройство для ограничения расходимости пучка рентгеновских лучей включает,в себя рулон ленты 1, растягиваю щие элементы 2, каркас 3, выполненный в виде призмы сопорными шлифованными поверхностями и прорезями вдоль ребер. Оно содержит также нажимные винты 4, под действием которых осуществляется продольное перемещение конусов 5, раздвигающих растягивающие элементы 2.Необходимый зазор между слоями ленты...
Камера для прицельной съемки рентгенограмм
Номер патента: 853502
Опубликовано: 07.08.1981
Авторы: Горбачева, Минина, Утенкова, Фомин
МПК: G01N 23/20
Метки: камера, прицельной, рентгенограмм, съемки
...скамьи, если образец крупный, но при этом сбивается юстировка, по вышается вероятность ошибки, т.е. ухудшаются эксплуатационные качества камеры.Целью изобретения является рентгенографический контроль объектов про иэвольной формы и размеров.1Для решения поставленной задачи в камере для прицельной съемки рентгенограммы, содержащей основание и смонтированные на нем оптический50 микроскоп, коллиматор пучка рентгеновских лучей, детектор, держатель объекта, снабженный гониометрической головкой, систему взаимной юстиров 55 ки оптического микроскопа и коллиматора, включающую юстировочную диафрагму, ее держатель и дополнительный детектор, оптический микроскоп и коллиматор смонтированы по одну сторону от держателя объекта, ось коллиматора и ось...
213808
Номер патента: 213808
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Володкович, Мельников, Трунов, Утенкова
МПК: C07D 209/48
Метки: 213808
...лия при повышенной температуре, т. е, 175 - 210 С с последующим выделением целевого продукта обычными приемами.П р и м е р 1, Получение 1 ч-трихлорамил, 2,3,4,7,7 - гексахлор,4-эндометилентетрагидрофталимида. В круглодонную четырехгорлую колбу, снабженную мешалкой, обратным холодильником, капельной воронкой и термометром, помещают 15 г (0,04 г доль) имида хлорэндиковой кислоты и 2,8 г (0,02 г моль) поташа, предварительно измельченных в ступке, К смеси прибавляют из капельной воронки 10 г (0,048 г моль) 1,1,1,5-тетрахлорпен(СНя) а - СС 13.г 5 отличающийся тем, что, с новых веществ, обладающи активными свойствами, ими или тетрагидрофталевой к О взаимодействию с а, к, а,нами или оа, го-тр присутствии карбоната кал ре 175 - 210 С с...