Способ измерения индукции магнитного поля

ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН олупроводник Сащук тво СССР2, 1979.о СССР6, 1975. ИЯ ИНДУКЦИИ ть использовано ительных магни Р ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Институт физикиАН ЛитССР(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНМАГНИТНОГО ПОЛЯ(57) Изобретение может бпри создании высокочувст тометров. Способ измерения индукции магнитного поля (МП) реализован в устройстве, содержащем плоскопараллельный полупроводниковый датчик (ППППД) 1 с боковыми гранями 2, 3, радиатор 4, источник 7 тока, измеритель 8 МП, температуры 9, 10, индикатор 11. Пропускают ток через ППП 11 Д 1 с проводимостью, близкой к собственной, и с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации на боковой грани 2, созда 1 от в ППППД 1 перераспределение температуры с градиентом температуры, цаправленцым к боковой грани 2, измеряют падение напряжения на ПППГ 1 Д 1 при воздействии ца него измеряемым МП. Способ высокочувствителен. 1 цл.1420560 25 формула изобретения 40 сывает второй и магда гран с пои мости рмуле (1) опный эффект,м температурьобразом, когправлен к граенение прово Первыи член в фо магнитоконцентрацион обусловлен градиенто нитным полем. Таким диент температуры на вышенной СПР, изм наибольшее,На чертеже схем устройство, реализую способ. ати чески изображено шее предлагаемый Составитель Техред И. Вер Тираж 772 ого комитета СС сква, Ж - 35,афическое пред. Синч Редактор С. ЛисинаЗаказ 4327/52ВНИИПИ Государственн113035, МПроизводственно-полиг СР Рау прия о делам ская на ие, г. Уж Изобретение относится к магнитным измерениям и может быть использовано при создании высокочувствительных магнитометров. Цель изобретения - увеличение чувст 5 вительности и расширение функциональных возможностей способа путем расширения диапазона измеряемых магнитных полей.На чертеже изображено устройство, реализуюшее предлагаемый способ,Физической основой способа является термоградиентный эффект, При помещении полупроводниковой пластины, вдоль которой приложено электрическое поле Е, имеющей область с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации (СПР), на одной из боковых граней при наличии направленного к грани с повышенной СПР градиента температуры в магнитное поле происходит перераспределение концентрации носителей заряда по сечению образца. Данное перераспределение обусловлено как магнитным 20 полем, так и градиентом температуры.Относительное изменение проводимости в магнитном поле в этом случае следующее; лааРп яйи г (сйп - и яйисй он п+,Ро сЕ 7/ с ае еехй В.й.йе 3 а Ц т. (и +Рп о) ЬР=Рт - Р - разность концентрации дырок на гранях с температурой Т 2 и Т 1, З 0 а, - Х,фактор; ри р - подвижности электронов и дырок; по, Ро - равновесие концентрации электронов и дырок; О= - д/Х, Х - диффузионная длина,д - толщина датчика; Е - напряженность электрического поля, В - индукция магнитногополя;по +Ро р2 Полупроводниковый датчик 1, имеющий область с повышенной СПР на боковой грани 2, боковой гранью 3 имеет тепловой контакт с радиатором 4. Токовые контакты 5 и 6 датчика 1 подключены к источнику 7 тока, Измеритель 8 магнитного поля подключен к токовому контакту 5 датчика 1. Термопары 9 и 10 размешены на гранях 2 и 3 датчика 1 и подключены к индикатору 11.Измерение индукции магнитного поля производится следующим образом.На датчик 1 подается электрический ток от источника 7 тока. При протекании тока через датчик 1 происходит его разогрев. В результате отвода тепла от грани 3 датчика 1 радиатором 4 грань 2 с большой СПР разогревается больше, чем грань 3. Создаваемый градиент температуры контролируют термопары 9 и 10. Датчик 1 помешают в измеряемое магнитное поле, измеряют измерителем 8 падение напряжения на датчике, а величину индукции магнитного поля определяют по формуле где Й - магниточувствительность датчика,определяемая параметрами полупроводникового материала, градиентом температуры и элементами схемы включения;ЛУ - изменение напряжения на датчике 1 под действием магнитного поля. Способ измерения индукции магнитного поля, включаюший пропускание тока через плоскопараллельный полупроводниковый датчик с проводимостью, близкой к собственной, и с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации на одной из боковых граней, и измерение падения напряжения на датчике при воздействии на него измеряемым магнитным полем, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности и расширения функциональных возможностей способа, перед воздействием магнитным полем создают в полупроводниковом датчике перераспределение температуры с градиентом температуры, направленным к грани с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации, а средняя температура полупроводникового датчика соответствует его рабочей температуре.