Способ измерения индукции магнитного поля

Номер патента: 1305612

Авторы: Ефимова, Конин, Савяк, Сащук

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН ЯО 1 К 33(5 Н СССРНРЫТИЙ ПЬСТВ ТОРСНОМУ С олупроводников олупроводников им(57) Изобрете ным измерения тся к магнит расширение л от ЦелОСУДАРСТВЕННЫИ НОМИТ ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И(71) Институт физики пАН ЛитССР и ИнститутАН УССР(56) ПТЭ, 1975, ФАвторское свидетелР 542152, кл. С 01 К нейного диапазона измерения при одновременном увеличении магниточувствительности за счет изменения электроФизических характеристик датчика, Онадостигается тем, что в способе измерения индукции магнитного поля гальваномагниторекомбинационным датчикомэлектрический ток пропускают в направлении, совпадающем с главной кристаллографической осью датчика. Причемперед началом измерений в этом же направлении прикладывают одноосное давление и увеличивают его до значения,при котором падение напряжения надатчике достигает максимальной величины. Способ реализован в устройстве,конструкция которого дана в описанииизобретения, 3 ил..).Г 31:. И.)тГ 1 И - ,Ит с"ГГя и:ГП 51)КЕНИЯ1 с 1 Тс ":С . 3 Гс1111.".,ЛТ П 1.С 13: т 1У ХГ;1 т 1С,ит, .с1: 3 Н ГЯ 0 Т Б с П 1 Л 1 110: . . 1;1.;)Л 3:.ИЧНЫХП 035 РНОГ 1 5 Х П)т ст.сга 3 СГ)Г, 5 . СН. Ч 313:ГЬС;):::)С 3 331.)ссОТ, 10 Р)1 НЛ:ИИ., ОС Г,.): ГЛН) 35. и,) НЛНОМс 1 Н 1 ГрЕКГ ,;1 ЛИОНСЬ ЦЛ 1 - :1 КЬ, .".РИОН 11 Р СУ 1 Н.)1 Г ГЛГЛ)ЛВ)1 ЕНИ 1 ЧГЛННОР ч;И 3 Л . Г)3 11 С:ГЕ,)1; СИ, .ЛИ - 1 Гт 51 О:.ГасС 113. ; Н т:ЫХ .11 Л ГПИ 1РИ " ГГГ 1 т"3 Ттт ГГЦ ЬНОС 1" . К)КЕ Ноэат" Г)тс 3 ЧГ:ЫРЕ РЛ Л,11 НИС 3 ИНГ .1 Г, ,.,; Г 0:тт )ГГ.ЕПОСЬ) Н.,0 Г Пч) :,И ", ПЛ.ГЛВ):Е 1)ИИ, тт ГЛ1 К .С ,.Г Е , Н С И 3 ,т Ч Л 1313 И Ь С Я Г,"С КГГ)с", В 3 Л 3 10 Г. Г ГН И 5. )Л 3 К Т;)0 Нно Л-)туч;ГЬ: 3 Пар 3 с:.:.т: . 1,):Зттт)Г)ГЬГИ)ОесНГЬ; "1, ЬН ) 1 Г), чтЧС1 ЬЬ С 1 р;)1301 ГИЬГОВ)Г 13 1,:Ят;1;,Г )т)ВГ)д, ОГ"О И :чЕОтИЬ РЛ 13 : 31 Ьс Г );) УСТ ПС)НЕГ)Х - Г, )" 3 0 Й р е с Г т)5 и н Г Ги : В,чсн 1 Г н О.и 0,.Г ." Г 11 : Гтс 3 ;), 1: 1К : ,т с" .), Г т 1 с П Ц )Ь С 11 С. ) , Г1 Г " Гт 1 тГ 1 1 фН Г Т т;1 К Г ,С,1 КОНТЛКТЫ с. И 5 Ь 1 ЛГН 1.Т )т.ч 13 0 Т Нтельного дл чика 1 рлзьс)рлм: 1 К:из Зле кт)Олиного герьл:ия, ошеи г)ровВанногс В плэскости (1 ОУпналрлзЛЕНИО ГЛЛВНОЙ Крнс т ЛС,1 ОГрафстЕСГСООСИ ПэтсэОТ ТОК 3 ЕЛ 3 ЧИНОЙ ) сПРИМЕ)Р т3 М). ЛДЕН 5 Е 31 Л 11 РЯКЕт 1 И 51 ИЗ,С РЯОТ;с)потенцилльнык контактах ,у и 8.,"лл.)е Г Р ") .- Стижения на нем, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью расширения линейного диапазона измерений при одновременном увеличении чувствительности за счет изменения электрофизических характеристик датчика, электрический ток пропускают в направлении, параллельном главной кристаллографическойоси датчика, причем перед началом измерений в этом же направлении прикладывают одноосное давление и увеличивают его до значения, при котором падение напряжения на датчике достигает максимальной величины.

Смотреть

Заявка

3942009, 13.08.1985

ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ АН ЛИТССР, ИНСТИТУТ ПОЛУПРОВОДНИКОВ АН УССР

КОНИН АЛЕКСАНДР МИХАЙЛОВИЧ, ЕФИМОВА РЕГИНА НИКОЛАЕВНА, САВЯК ВАСИЛИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, САЩУК АЛДОНА ПОВИЛОВНА

МПК / Метки

МПК: G01R 33/00

Метки: индукции, магнитного, поля

Опубликовано: 23.04.1987

Код ссылки

<a href="https://patents.su/4-1305612-sposob-izmereniya-indukcii-magnitnogo-polya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения индукции магнитного поля</a>

Похожие патенты