Преобразователь логических уровней

(57) Изобреной технике ЕОБРА е относит к импуль может быть вания уров хем ИДП-ло тами на би использов ей логиче но для согла ких сигналов ики с разолярных ичными элем ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИИ(56) Мкртчян С.О. Преобруровней логических элемеРадио и связь, 1982, с.Авторское свидетельстР 1094150, кл. Н 03 К 19 АТЕЛЬ ЛОГИЧЕСКИХ УРОВ транзисторах, Целью изобретения является повышение нагрузочной способности. Для достижения цели в преобразователь, содержащий входной МДПтранзистор 1 с каналом .м -типа, выходной-Р-о-транзистор 2, резистор3, Р Р-транзисторы 5 и 6, вход 10,шину питания 11, выход 12, введейыдополнительные Р р-транзисторы 7 и8, дополнительный-р-л-транзистор 9и дополнительный резистор 4. Транзисторы 7, 9 и резистор 4 образуютнеинвертирующий усилитель, служа 1 цийдля увеличения нагрузочной способности преобразователя. Транзистор 6предназначен для устранения Факторанестабильности, а транзистор 8 -для согласования с базовой цепью выходного транзистора 2, что способствует его надежному закрытию в другом состоянии преобразователя, 1 ил.1 25Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для согласования уровней логических сигналов схем МДП-логики с различными элементами на биполярныхтранзисторах, например транэисторнотранзисторной логики (ТТЛ),Цель изобретения - повышение нагрузочкой способности,На чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого преобразователя.Преобразователь логических уровней содержит входной МДП-транзисторс каналом -типа, выходной ь -р-лтранзистор 2, резистор 3 и дополнительный резистор 4, первый 5 и второй6 р р-транзисторы, первый 7 и второй 8 дополнительные р р-транзисторы и дополнительный ь -ртранзистор 9, исток и подложка МДП-транзистора 1 соединены с эмиттерами транзисторов 2 и 9, базами транзисторов би 8 и с общей шиной устройства, затвор МДП-транзистора 1 подключен квходу устройства 10, а сток - к базетранзистора 5, эмиттер которого черезрезистор 3 соединен шиной 11 питания.Коллектор транзистора 5 соединен сэмиттером транзистора б, коллекторкоторого соединен с базой транзистора 9, а коллектор транзистора 9 - сбазой транзистора 7, змиттер которого через резистор 4 соединен с ши-:.ной 11 питания, коллектор транзистора7 соединен с эмиттером транзистора 8,коллектор которого соединен с базойвыходного транзистора 2, коллекторкоторого подключен к выходу 12 устройства.При запертом ИДП-транзисторе 1 токстока не протекает, поэтому и т ок в цепибазы выходного транзистора 2 равен нулю,При открытом входном МДП-транзисторев цепи его стока будет протекатьток, который является и током эмиттера транзистора 5. Преобразуясь транзисторами 5 и 6, работающими в инжекционном режиме, этот ток будет протекать в цель базы транзистора 9 и поддерживать его в открытом состоянии.Ток коллектора транзистора 9 является током эмиттера транзистора 7.Преобразуясь транзисторами 7 и 8, работающими в инжекционном режиме, этотток будет протекать в цепь базы выходного транзистора 2, поддерживаяего открытое состояние. 293 б2Поскольку входной МДП-транзисторв открытом состоянии обладает значительным остаточным напряжением(ос(десятые доли вольта), напряжениемежду коллектором транзистора 5 иобщей шиной имеет величину большую,чем инжекционное напряжение транзистора 5, на О , которое являетсяфактором нестабильности. Транзистор О б устраняет влияние,и между егоколлектором и общей шиной уже будетиметь место только инжекционное напряжение. Ток базы транзистора 9 будет несколько меньше тока стока вход ного МДП-транзистора 1. Транзистор 9вместе с резистором 4 и транзистором7 образует неинвертирующий усилитель;служащий для увеличения нагрузочнойспособности преобразователя. Транзистор 8 служит для согласования с базовой цепью выходного транзистора 2,подцерживая необходимый выходной токв одном состоянии преобразователяуровней и способствуя надежному закрытию выходного транзистора 2 в друом состоянии преобразователя. Ф о р м у л а изобретенияЗО Преобразователь логических уровней, содержащий входной МДП-транзистор, затвор которого подключен квходу преобразователя, основной резистор, первый вывод которого подЗ 5 ключен к шине питания, два основныхр-ь-р-транзистора, база первого иэкоторых соединена со стоком МДП-транзистора, и выходной-ртранзистор, эмиттер которого соединен с баф зой второго р р-транзистора, истоком МДП-транзистора и общей шиной,а коллектор подключен к выходу преобразователя, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения нагрузочной способности, в него введены два дополнительных Р р-транзистора, дополнительный ь -ртранзистор и дополнительный резистор,эмиттер первого дополнительного Ро л-р-транзистора через дополнительныйрезистор подключен к шине питания,база соединена с коллектором дополнительного"ртранзистора, эмиттер которого соединен с общей шинои 55 и базой второго дополнительного Р -л-р-транзистора, коллектор которогосоединен с,базой выходного-р-итранзистора, змиттер - с коллекторомСоставитель А, ЯновТехред Л.Сердюкова Корректор И. Самборская Редактор А. Козориз Заказ 4631/57 Тираж 816ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раущская наб д, 4/5 Подписное Производственно-полиграфическое предприятие, г. Узгород, ул. Проектная, 4 3 1252936 4первого дополнительного рг-тран- тор которого соединен с эмиттеромзистора, второй вывод основного ре- второго основного рр-транзистора,зистора соединен с эмиттером первого коллектор которого соединен с базойосновного р -л-р-транзистора, коллек- дополнительного-р-и-транзистора