Способ контроля качества резисторов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1359715
Авторы: Канчуковский, Комарова, Мирошниченко, Мороз, Садова
Текст
СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИН 1 й 3/4 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОБРЕТЕНИЯ ИСАНИ ЕЛЬСТ(71) Одесский государственный университет им.И.И.Мечникова(54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА РЕЗИСТОРОВ(57) Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности кетехнологическому процессу изготовления толстопленочных схем. Цель изобретения - повышение надежности за счет учета способа изготовления резистора. Для этого в способе измеряют микротвердости резистивного слоя, нанесенного на керамическую подложку и на проводник, и по их относительному изменению в пределах 103 определяют степень качества.9715 пересчитывают число микротвердостипо Виккерсу (НЧ ). Например, НЧ=68,2.После этого вычисляют относи 5тельное изменение микротвердости реФзистивного слоя, обусловленное разец в исходное положение под объекСпособ контроля качества резистотив микроскопа и измеряют диагоналиров, заключающийся в том, что изме- отпечатка.ряют параметры, по которым определяВычислив среднюю длину диагоналиют степень качества резисторов, о т - отпечаткал и ч а ю щ и й с я тем, что, са"+ атс 12целью повьппения надежности за счетЧучета способа изготовления резистопересчитывают ее на число микротвер ра, в качестве параметров измеряют дости по Виккерсу. Например, НЧ = микротвердости резистивного слоя,=64,.На резистивном слое, нанесен- нанесенного на керамическую подложку, ном на поверхность керамической под- и на проводник, и определяют степень ложки, повторяют измерения. Вычислив качества по относительному изменению среднюю длину диагонали отпечатка, 50 микротвердостей в пределах 103.Составитель В.ШиманскаяРедактор М.Васильева Техред М, Ходанич Корректор Л.Патай Тираж 776 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Заказ 6149/46 Подписное Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная, 4 1 135Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологическому процессуизготовления гиб" оридных толстопленочных микросхем.Цель изобретения - повышение надежности за счет учета способа изготовления резистора.П р и м е р. Для контроля качества толстопленочных резисторов с сопротивлением 100 кОм устанавливают образец в держатели на столике прибора типа ПМТтак, чтобы его поверхность была параллельна плоскости столика, Установленный образец просматривают через окуляр и выбирают на резистивном слое участок в средней части области пленочного межсоединения резистивного слоя с проводником, в котором проводят измерение микротвердости по Виккерсу. Выбранный участок размещают в середине поля зрения микроскопа - точно в вершине угла неподвижной сетки. Затем устанавливают груз массой 40 г и поворачивают с помощью ручки стаолика на 180 (от одного упора до другого) для подведения выбранного участка образца под алмазную пирамиду. После этого медленным поворотом ручки на 180 в течение 30 с опускают шток с алмазной пирамидкой так, чтобы алмаз коснулся образца. В этом положении выдерживают образец под нагрузкой в течение 10 с, после чего поднимают шток с алмазом,Поворотом столика возвращают обНЧ - НЧ;РНЧ = - в100 НЧВ данном случае 3 НЧ = 5,17В результате исследований установлено, что относительное изменениемикротвердости связано с кинетикойстарения резистивных элементов прихранении и тем более при эксплуата 15ции под нагрузкой в условиях повышенных температур,Чем меньше относительное изменение микротвердости, тем выше качество сформированного пленочного резистивного элемента, тем менееон склонен к деградации с течением времени, тем вьппе его параметррическая стабильность.У образцов относительное изменение микротвердости после контролясоставляло 1, 2, 5, 1 ОХ и практически не изменялось в течение 12 месяцев, а также после их коррозионных30испытаний и испытаний под нагрузкой,т.е. параметры образцов стабильны.У образцов с относительным изменением микротвердости больше 103наблюдалось значительное иЗменениеих характеристик.35формула изобретения
СмотретьЗаявка
4095361, 11.06.1986
ОДЕССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. И. И. МЕЧНИКОВА
КАНЧУКОВСКИЙ ОЛЕГ ПЕТРОВИЧ, МОРОЗ ЛИДИЯ ВАСИЛЬЕВНА, КОМАРОВА НАТАЛЬЯ ВЛАДИМИРОВНА, САДОВА НИНА НИКОЛАЕВНА, МИРОШНИЧЕНКО АЛЕКСАНДР СЕРГЕЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 3/42
Метки: качества, резисторов
Опубликовано: 15.12.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1359715-sposob-kontrolya-kachestva-rezistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ контроля качества резисторов</a>
Приспособление для снятия части резистивного слоя с заготовки подковообразных свч-резисторов
Номер патента: 660098
Опубликовано: 30.04.1979
Автор: Крищюнас
МПК: H01C 17/00
Метки: заготовки, подковообразных, резистивного, свч-резисторов, слоя, снятия, части
...выемкой для укладки и фиксации заготовки резистора, а прижимной элемент выполнен в виде снабженной резиновой прокладкой и ручкой откидной крышки с продольным вырезом, З 0 Конструкция описываемого прпспния в двух проекциях изображена наи 2. На основании 1 закреплены направляющие 2, по которым в горизонтальном направлении перемещаются подвижные салазки 3 с выемкой (нд чертеже не обозначена) для кладки и фиксаци 11 заотови 4, которая здкимдется откидной крышкой 5, снабкенной шарнирами б, резиновой прокладкой 7 и ручкой 8. Кроме того, сверху основания 1 установлены упоры 9, а снизу 1 пксаторы 10.Приспособление работает следующим образом.Основание 1 неподвижно закрспляется нд столе станка 11. Затем стол станка 11 один раз на обработку всей...
Устройство для осаждения резистивного слоя на керамические заготовки резисторов
Номер патента: 524231
Опубликовано: 05.08.1976
Авторы: Боголюбова, Каланчекаев, Лен, Чопоров, Якутин
МПК: H01C 17/00
Метки: заготовки, керамические, осаждения, резистивного, резисторов, слоя
...которого поочередно взаимодействует через горизонтальный рычаг 15 с гребенчатым толкателем 16, а с другой стороны через вертикальный разноплечий рычаг17 с многоярусным отсекателем 18. Движение вверх отсекатель 18 получает отпривода 13, а движение вниз - под действием пружины 19. Толкатель 16 движе 4ние вперед получает от привода 13, а движение назад - под действием пружины 20, Отсекатель 18 размещен в направляющих корпуса 21 и удерживается от выпадания съемной прозрачной планкой 22 (фиг, 3), При этом штифт 23 рычага 17 входит в отверстие 24 отсекателя 18, а ось 25 входит в паз скобы 26 ограничения хода отсекателя 18. В отсекателе 18 выполнены приемные пазы 27 для керамических стержней, которые поступают по каналам 28 корпуса 21. Ось...
Устройство для групповой формовки резистивного слоя цилиндрических заготовок резисторов анодированием
Номер патента: 1101905
Опубликовано: 07.07.1984
Авторы: Аверьянов, Егорова, Юнусов
МПК: H01C 17/00
Метки: анодированием, групповой, заготовок, резистивного, резисторов, слоя, формовки, цилиндрических
...подложки. Основная трудность заключается в том, что в данном случае необходимо анодировать только ту часть тела заготовки резистора, которая находится между колпачками резистора, При этом температурный коэффициент сопротивления (ТКС) резисторов не должен сильно изменяться.Цель изобретения - расширение диапазона номиналов подгонки при сохранении стабильности сопротивления резистора.Поставленная цель достигается тем, что устройство для групповой формовки резистивного слоя цилиндрических заготовок резисторов анодированием, содержащее ванну, частично заполненную электролитом, источник питания, катод, погруженный в электролит, и анод, расположенный над поверхностью электролита, введен расположенный над поверхностью электролита стержень, а...
Способ получения резистивного слоя
Номер патента: 395906
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Атабек, Вассерман, Золотарев, Панин, Рыжков, Юсов
МПК: H01C 17/00
Метки: резистивного, слоя
...Способ получения резистивного слоя путем бомбардировки поверхности проводящего материала ионами легирующего элемента, отличающийся тем, что, с целью формирования резистивного слоя с требуемыми параметрами непосредственно в процессе легирования, бомбардировке ионами легирующего элемента подвергают металлическую пленку, например, из хрома, нанесенную на диэлектрическое ос. нование.2. Способв качестве лкремний. Изобретение относится к технологии изготовления компонентов радиоаппаратуры и может быть использовано при производстве металлопленочных резисторов.Известен способ получения резистивного слоя путем бомбардировки поверхности проводящего материала ионами легирующего элемента. Однако формирование резистивного слоя с требуемыми...
Аминаммонийэтилендиаминтетраацетатометаллат аммония в качестве дубящего вещества для желатиновых фотографических слоев черно-белых негативных кинофотоматериалов на стадиях обработки после проявления
Номер патента: 941373
Опубликовано: 07.07.1982
Авторы: Журба, Орлов, Стадницкая, Филек, Фридман
МПК: C07F 3/06
Метки: аминаммонийэтилендиаминтетраацетатометаллат, аммония, вещества, дубящего, желатиновых, качестве, кинофотоматериалов, негативных, после, проявления, слоев, стадиях, фотографических, черно-белых
...растворе, г: тиосульфат натрия кристаллический 330; пиросульфит натрия10; вода до 1000 мл, в течение 5 мин при20 С, обрабатывают в дубящем растворесостава: аминаммонийэтилендиаминтетраапетатоникелат аммония 150 г, вода до 1000 мл,в течение 5 мин при 20 С и определяют физикомеханические показатели фотослоя,П р и м е р 6. Фотослой проявляют ификсируют аналогично примеру 5 и обрабать 1 вают в дубящем растворе состава: аминаммонийэтилендиаминтетраацетатоцинкзт аммония150 г, вода до 1000 мл, в течение 5 мин при20 С и определяют физико-механические показатели фотослоя.П р и м е р 7. Фотослой проявляют аналогично примеру 3, фиксируют в дубящемфиксаже состава, г: квасцы злюмокзлиевые90; тиосульфат натрия кристзллический 330;пиросупьфит...
Предыдущий патент: Устройство для определения характеристик упругости низкомодульных материалов
Следующий патент: Малогабаритный цифровой твердомер
Случайный патент: Способ и устройство для автоматической записи звука