Патенты с меткой «запрет»

Номер патента: 130239

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Гурвич

МПК: H03K 19/16

Метки: запрет, логическая, схема, ферротранзисторная

...14 при перемагничивании сердечника 2 импульсом тока запрета и направленная навстречу э.д.с, е, не может открыть транзистор,так как она оказывается включенной последовательно с обратным сопротивлением диода 4,Во втором такте подается импульс тока списывания в обмотки списывания 9 и И обоих сердечников, переводящий сердечники из состояния 1 в состояние О, В процессе перемагничивания сердечников вцепи база - эмиттер возникает напряжение У, . Оно складывается изэ.д.с. базовой обмотки 10 е;, стремяшейся открыть транзистор, и противоположно направленного напряженйя 0, созданного э.д,с. компенсационной обмотки 14 е, которая оказывается приложенной к сопротивлению б через прямое сопротивление диода 4: У, = е - Ь,Параметры ячейки...

Номер патента: 142078

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Гурвич

МПК: H03K 19/16

Метки: запрет, логическая, схема

...10 питаются от источника продвигающих импульсов, не показанного на чертеже. Обмотки 11 и 12 включены в коллекторные цепи транзисгоров 2 и 4. Свободный конец обмотки 11 подключен к нагрузке,В процессе осуществления запрета транзистор 2 основной ячейки остается запертым, а транзистор 4 запрещаюгцей ячейки входит в режим насыщения. При выходе из режима насыщения рассасывание неосновных носителей тока базы транзистора 4 может проходить не только через сопротивление 8, но также и через цепь эмиттер - база основногоЛо 142078 транзистора 2. При этом может иметь место открывание транзистора К сопровождающееся выдачей небольшого импульса помехи, Для устранения этого импульсасоцротивление 8 шунтируется диодом 13, через который и проходят...

Номер патента: 423251

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Артюх, Беспалько, Загурский

МПК: H03K 19/10, H03K 19/20

Метки: запрет, логический, элемент

...обратной связи 7закрыт.Имеющийся на входной шине 9 отрицательный импульс запирает накопительный диод 4и переключает ток в базу дополнительноготранзистора 5, вызывая срабатывание туннельного диода 6 усилителя-дискриминатора.Благодаря рассасыванию заряда, накопленного за время протекания через диод 4 прямоготока, и уменьшенному порогу срабатыванияусилителя-дискриминатора происходит ускоренное переключение диода 6 эмиттерным током транзистора 5. Вследствие этого выходной импульс на диоде 6 задерживается относительно импульса на входной шине 9 на доли наносекунды.Величина накопленного заряда экспоненциально зависит от длительности протеканияпрямого тока и существенна при длительностях 3 - 5 нсек, что соответствует частоте работы...

Номер патента: 587627

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Иванников, Кравцов, Федоров

МПК: H03K 19/38

Метки: запрет, логический, элемент

...4 запирается, обесточивает цепи диодов 9 и 11, под О готавливая схему к прохождению сигналов по входу 17, При поступлении на вход 17 высокого потенциала, диод 3 запирается, и ток от шины питания через резистор 13, диод 2 смещает в прямом направлении переход база-коллектор транзистора 1, который переходит в насыщенное состояние. Низкий потенциал с эмиттера транзистора 1 поступает на выход 19 усилителя. Ток, протекающий через резистор 15,ответвляется в цепь: диод 10, открытый транзистор 1, а цепь диода 11 обесточена запертым транзистором 4. Отсутствие тока через диод 12 и переход база-коллектор транзистора 8 обеспечивает запирание последнего. Высокий потенциал с эмиттера транзистора 8 поступает на выход 20 усилителя.При...