Универсальная логическая ячейка

Номер патента: 184521

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Галецкий, Любович

МПК: H03K 19/10

Метки: диодах, диоде, заряда, логический, накоплением, не-или, туннельных, элемент

...на ко подаются импульсы установки в ноль. м зг ику итемвост диод мленторо ннельном диодеюй импульс пеИзвестны логические элементы НЕ - ИЛИ на туннельных диодах и диоде с накоплением заряда, содержащие запоминающую ячейку и выходной формирователь,Предложенное устройство отличается от известных тем, что туннельный диод запоминающей ячейки соединен с заземленной шиной через сопротивление, на которое подаются импульсы установки в ноль. Это позволило повысить помехоустойчивость элемента путем устранения паразитного накопления заряда и помехи обратной связи, а также повысить надежность и упростить устройство, применив для обеспечения однонаправленной передачи информации только две последовательности управляющих импульсов.На чертеже...

Номер патента: 1568825

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Кальфа, Тагер

МПК: H01L 29/73

Метки: резонансно-туннельный, транзистор

РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий между полупроводниковыми слоями эмиттера и базы многослойную квантовую гетероструктуру из материалов с различными значениями ширины запрещенной зоны, включающую слой узкозонного материала, образующего квантовую яму для носителей заряда, ограниченную с двух сторон потенциальными барьерами, образованными слоями широкозонных материалов, отличающийся тем, что с целью повышения быстродействия транзистора, по крайней мере один из потенциальных барьеров, ограничивающих потенциальную яму со стороны базы, выполнен многослойным из полупроводниковых материалов, различающихся значениями скачка потенциалов для основных носителей заряда на гетерограницах между слоями этих материалов и узкозонным слоем,...

Номер патента: 259157

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Аверин, Гвнтно

МПК: G11C 7/06

Метки: информации, считывания, усилитель

...в нем, то промежуток менялу перфокартами цли у часток с перфо рацией по всем позициям находится прогцв фотодцодов.Ток фотодцодов открывает транзистор б 0 первого каскада считывания, эмцттерный токкоторого заряжает через диод 17 конденсатор 18 до потенциала, равного приближенно напряжению в точке 1 б делителя 14, 15, Это напряжение выбирается равным напряжению на эмиттере транзистора б в случае, когда с фотодиода 8 поступает ток максимальной помехи, т. е, транзистор б работает в режиме класса В, должен иметь приблизительно постоянный коэффициент усиления по току в зависимости от тока эмиттера, и никогда не входит в насыщение. Выбрать такой делитель оказывается возможным, благодаря тому, что отношение полноРо полезного сигнала к...

Номер патента: 363194

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Артюх, Вычислительной, Готлиб, Загурский

МПК: H03K 17/28, H03K 5/13

Метки: всесоюзная, плтгет1ш-тгш

...снимается с туннельного диода 2.Исходным для бцстабцльцой ячейки является нулевое состояние. Прц этом напряжение на туннельном диоде 3 мало, через этот диод резистор 4 и резистор 7 протекает ток. Напряжение на базе транзистора 1 релаксатора мало для переключения туннельного диода 2, находящегося в нулевом состоянии.Входной импульс, поступающий через диод 8 на тунцельный диод 3, переводит бистабильную ячейку в единичное состояние. При этом напряжение на туннельном диоде т и на аноде разделительного диода 9 скачком возрастает.л 9 переходит в цепроводящее состояние, и т анее протекавший через него, переклю363194 Состагп тель Г. Челейаракова Текред Т. Ускова Корректоры Е. Сапунова и Л. Новожилов Редактор аказ 988 Изд.54 Тираж 404 Подписи...

Номер патента: 150300

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Горин, Прохоров

МПК: H03K 3/53

Метки: источник, логических, магнитных, переменного, питания, устройств

...8, имеет вырез в начале управляющей полуволны, равный или больший выреза рабочей полуволны выходного напряжения. Амплитуду, размагничивающего управляющего напряжения при этом повышают так, чтобы его вольтсекундный интеграл был достаточен для перемагничивания сердечника элемента из точки верхнего насыщения петли гистерезиса в точку нижнего насыщения,Вырез напряжения в начале управляющего полупериода напряже ния может быть достигнут путем, например, включения магнитного дросселя 9 с двумя встречно соединенными обмотками, каждая из которых подключена к одной из двух фаз питающего напряжения. Дроссель может быть включен двумя способами. Во-первых, используется непрямоугольность петли гистерезиса сердечника. Ток при этом протекает150300 через...