Логический элемент «не-или» на туннельных диодах и диоде с накоплением заряда

Номер патента: 1205060

Опубликовано: 15.01.1986

Автор: Есаулов

МПК: G01R 27/00

Метки: входного, заряда, сопротивления, усилителя

...переходные процессы (интервал времени 11 в 1 ). Этим сигналом ключи 4,7,9,и 12 переводятся в замкнутое состояние, и происходит разряд конденсаторов 3, 13, 14 и 15 Затем Формируется сигнал на выходе второго канала Формирователя 21 (второй интервал времени 1 -1), При этом ключи 4, 7, 9 и 12 размыкаются, а ключ б замыкается. Выходное напря-. жение усилителя 1 заряда определяется при этом его напряжением смещения нуля О,током смещения 3 сн сопротивлением утечки соединитель-, ного кабеля К и сопротивлением утечки К входной цепи усилителя. Влияние напряжения смещения нуля Ц, тока смещения нуля)0, сопротивлений утечки можно смоделиронать цепью, состоящей из источника приведенной эквивалентной ЭДС и приведенного сопротивления Й ,...

Номер патента: 388354

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Почтарев

МПК: H03K 3/315

Метки: диодах, триггер, туннельных

...4 с накоплением заряда,быстродействующего импульсного диода б,резистора б, а индуктивность 7 запуска зашунтирована обращенным туннельным диодом 8,На входную шину поступает спусковой сигнал синусоидальной формы. В результате действия отрицательной полуволны диод 4 с накоплением заряда смещается в прямом направлении, осуществляя накопление зарядавблизи перехода. Во время действия положительной полуволны происходит рассасывание накопленного заряда,и резкое восстановление обратного сопротивления диода 4 с накоплением заряда, Таким образом осуществляется формирование короткого переднего фронта 5 спускового сигнала, Импульсный диод 5 обеспечивает прохождение спускового сигнала только положительной полярности. Окончательное формирование...

Номер патента: 438945

Опубликовано: 05.08.1974

Автор: Смотрицкий

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, пикового, туннельного

...стрелки вольтметра и считывания с учетом возможного изменения пикового тока при очередном переключении туннельного диода. Поэтому возможности известного устроиства ограничены и исключено его применение для измерения быстроменяющегося пикового тока ТД, например, при определении влияния вибрации, температуры на ТД,Целью изобретения является уменьшение погрешности измерения меняющегося во времени пикового тока и исключение влияния величины входного сопротивления измерительп 11 438945438945 Составитель Т. ДозоровТехред Л. Акимова Редактор Т. Орловская Корректор И. Позияковская Заказ 3706/20 Изд,134 Тираж 678 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раугпская наб.,...

Номер патента: 566291

Опубликовано: 25.07.1977

Авторы: Ефременко, Малевич

МПК: H02K 5/08

Метки: диодах, заряда, импульсных, накоплением, порогом, срабатывания, устройств

...зависимость от режима переключения по току (точка Ь (Д) аля тока 1 А) и точка 1,И(,Ф ) для тока 1 ( ь ), При етом каждая зоив вшсогой проводимости диода М Нл под вержена флуктуациям и зона флуктуаций порога срабатывания 17 произвольно дрейфует на границе эоны высокой проводимо. сти 1 зп и зоны срабатывания в низкую провоаимость диода Фс, . При воздействии СВЧ колебания на диод с накоплением заряда гладкая непрерывная зависимость по рога срабатывания.от режима переключении в току диода исчезает, а.регистрируетса набор дискретных значений порогов срвба. тывания импульсного элемента, равных пе.оиоду СВЧ колебания (точки Ь ( 4, )к ( л ). Минимальная моиь.- ность СВЧ колебания, при которой наблюдается явление управления порогом...

Номер патента: 942252

Опубликовано: 07.07.1982

Автор: Фендриков

МПК: H03K 5/04

Метки: диода, заряда, импульсов, коротких, накоплением, помощью, формирования

...тока Ъ выбирают совпадающим с направлением прямого тока ДНЗ, вследствие чего в течение пер942252 Филиал ППП Патент, ,Ужгород,ул. Проектная вого и всех последующих нечетных полупериодов колебаний в ДНЗ накапливаетсязаряд. В течение второго и всех четныхполупериодов колебаний происходит рассасывание заряда в ДНЗ. Однако полного 5рассасывания заряда не происходит вследствие уменьшения амплитуды тока от одного полупериода к другому. ДНЗ в любоймомент времени в течение длительностиуправляющего импульса находится в заряОженном состоянии,По окончании управляющего импульсачерез ДНЗ пропускают затухающие колебания тока д протиповоложного направления (знак первого полуколебания совпа-дает с обратным током ДНЗ). Под дей Фствием первого же...