182402

ОП ИСАНИ ЕИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 182402 Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 06,Х 1.1964 ( 928192/26-24) Кл. 42 тп, 14/02 МПК 6 061 иоритет Комитет по делам изобретений и открыти при Совете Министров СССРОпубликовано 25 Х.1966, Бюллетень1 Дата опубликования описания 16,ЧП.196 УДК 681,142.07(088.8 3 с АвторыизобретенияЗаявитель Л, Иваськив и А. С. Ильиных Институт кибернетики АН ССС РОИЧНАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ СХЕМА мы не превьпорядок десят с изменением вуют участки, что при зноды лов, велинуля выУо в точОтди в имеет ну 1 тд ( 1 тд,присоединением заявкиИзвестны троичные логические схемы, содержащие транзисторы с разными типами проводимости.Предложенная схема отличается тем, что на ее входе включена пороговая трехстабильная пара на туннельных диодах.Это увеличивает надежность и логические возможности схемы.На фиг. 1 приведена схема с тремя устойчивыми состояниями; на фиг. 2 - вольт-амперная характеристика пары туннельных диодов, имеющая следующие характерные участки:АВ, СР, РЕ и Рб - с положительными сопротивлениями, ВС и ЕР - с отрицательными сопротивлениями, 15Схема содержит триод 1 (тип проводимости р-и-р) и триод 2 (тип проводимости п-р-п), сопротивления в коллекторных цепях 3 и 4, сопротивления связи 5 и б, два встречно включенных туннельных диода 7 и 8. 20Питающие напряжения обозначены Еи ЕСхема работает следующим образом.Как следует из приведенной характеристики,работа схемы, содержащей два туннельных 2диода, включенных последовательно - встреч.но, характеризуется следующими режимами:Реж им 1 характеризуется тем, что призначениях тока через туннельные диоды напряжение (Ьд) в точке 9 схешает значения Утд, имеющегоков милливольт, и изменяется1 тд незначительноУказанному режиму соответсхарактеристики СР и ЕР.Р е ж и м 2 характеризуется течениях тока через туннельные ди1 тд) 1 тд,рабочая точка на характеристике скачком перемещается на участок с положительным сопротивлением (Рб, если 1 гд)0, и АВ, если 1 тд(О) .В этом случае напряжение Уе в точке 9, оказывается больше значения 11 гд и имеет порядок нескольких сотен милливольт.При подаче на вход схемы сигнала, имеющего порядок единиц вольт (что соответствует реальному режиму ее работы на полупроводниковых приборах), в точке 9 устанавливается напряжение Ид. Ютд, происходит отпирание одного из триодов (Тт либо Т) и сигнал У имеет величину, порядок которой - единицы вольт. При подаче на вход схемы сигнчина которых определяется дрейфоходного сигнала схемы, напряженике 9 оказывается таким, что Уэтом случае сигнал на выходе схемлевой потенциал с точностью до десятков милливольт.Таким образом, при последовательном соединении схем с тремя устойчивыми состояниями, построенных на основе полупроводниковых приборов с различными типами проводимости и содержащих на входе пару туннельных диодов, включенных последовательно - встречно, в случае дрейфа нуля на одном из каскадов, на последующих каскадах не происходит усиления этого сигнала, Это позволяет строить схемы практически любой сложности.Величина дрейфа нулевого потенциала схемы на полупроводниковых приборах с различными типами проводимости определяется конкретными условиями ее работы: нестабильностью коллекторного напряжения, разбросом параметров элементов схемы, влиянием температуры. Эта величина определяет выбор ти па туннельных диодов, При этом к их характеристикам предъявляются следующие требования: величина напряжения пика Утд должна превышать возможный для заданных условий работы схемы дрейф нулевого потенциала.Предлагаемая схема проста, надежна, может выполнять логические операции, составляющие полную систему логических операций - инверсное И и инверсное ИЛИ.Например, высокий потенциал обозначен 2, низкий 1 и нулевой 0.Если амплитуда каждого из входных сигналов х, у обеспечивает условиеИЛИ у 1 о г 1 о г 1 о 2 1 О Если условие (1 тд)вх 1 тд, обеспечивается совместным действием сигналов х, у, получа 15 ИЛИ у 1 2 2 1 о 2 1 о г го 25 Предмет изобретения Зо Троичная логическая схема, выполненнаяна транзисторах с разными типами проводимости с заземленными эмиттерами, входом которой служит переход база-эмиттер, отличаюиаяся тем, что на входе включена цепочка из З 5 двух туннельных диодов, соединенных последовательно - встречно.Составитель В. А, СубботинРедактор Л. А. Утехина Техред Г. Е, Петровская Корректоры: Г. Е. Опаринаи 3, М. РайкинаЗаказ 1934/1 Тираж 1075 Формат бум. 60 Х 90/8 Обьем 0,24 изд. л. ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4Типография, пр. Сапунова,