Патенты с меткой «334917»

Номер патента: 334917

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Мичев

МПК: H01H 47/32, H01L 29/78, H03K 17/56 ...

Метки: 334917

...потенциал затвора по отношению к потенциалу полупроводникового слоя, таз что в соседних точках этих слоев разность напряжений будет равна величине поданного сигнала. Диэлектрический слой 5 будет заряжен до этого потенциала. мутатор на полевом известных тем, что выго материала с сапропревышающигм максие полупроводникового его средней точки. Предлагаемыи катриоде отличается отполнен из высакоомнатввлением, равным илмальное сапротивленслоя, и имеет вывод о Равная разнос твором и полупр сохранить постоя ря на увеличение и истоком 4. Устр напряжения в заз кам и затвором и ть потенциалов меидоводниковым слоем позв иной величину тока, не расстояния между сток аняется также канцентр орах между затвором и Остаком. заяет отом 8, ацкя стоисходит...