H01J 3/04 — ионные пушки

Номер патента: 511752

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Басова, Быковский, Горшков, Дегтярев, Лаптев, Неволин

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, источник, лазерно-плазменный

...работает следующим образом.Оптический квантовый генератор 1 на алюмоиттриевом гранате, активированном неодимом, в режиме модулированной добротности генерирует импульсы световой энер- К6 гии с пиковой мощностью до 10 вт и частотой повторения до 100 Гц, Излучение лазера проходит через телескопическую систему 3 для коррекции угловой расходи- мости и фокусируется на поверхности ми шени 4 объективом 2 в пятно диаметром 10-100 мкм, В целом система фокусировки позволяет создать на поверхности иссле- дуемого образца плотность потока энергии10излучения порядка 10 вт/см, чтэ эбеспе чивает безфракционное испарение различных элементов с их последующей полной ионизацией. Образующаяся плазма расширяется в объеме экспандера 7, и ее...

Номер патента: 529712

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Груздев, Крейндель, Семенов

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, источник, металлов

...эпектрически соединенными катодами 1, 2 и анодом 3 во вспомогательной разрядной камере зажигается ниэковопьтный попокатодный огражвтепьный разряд, Иэ ппазмы этого разряда при подаче напряженияО между катодом основной разрядной камеры и анодом 3 вспомогательной разрядной каме ры осуществляется эффективное извлечение эпектронов через отверстие 4. Эпектронный пучок, формирующийся впространстве ускорения между отражателемэлектронов 7 и анодом 3, проникает в основную разрядную камеру через отверстие8 и попадает в полость катода 9. Продопьное магнитное поле, создаваемое в основнойразрядной камере магнитом 11, оказь;ваетна пучок фокусирующее действие, вследствие чего потери электронов пучка при,юижении их к аноду 10 оказываются незнвчитепьны...

Номер патента: 496868

Опубликовано: 25.07.1977

Авторы: Злобин, Носков, Шибаев

МПК: H01J 3/04

Метки: ионная, пушка

...требуется получить и помещен в магнитное поле, создаваемое постоянными ферритовыми метнотами 3. Ддя получения ионов несколькихметаллов анод-испаритель изготовляют ввиде соосно расположенных ксчец из состветствующих металлов, Катоды 4, однсвремеццо являющиеся подюсными наконечниками,закреллены на магнитопроводе 5, изготовленном в виде полого цилиндра измагнитомягксго материала. Мегнитопроводзакреплен не кетодном держателе 6, мастсивном стержне из металла с большой теплопроводностью, проходящем через проходной цзолятор 7. Отвод тепле через катодный держатель обеспечивает стабильнуюрабочую температуру ферритовых магнитови наружной поверхности разрядной камеры.К проходному изолятору крепится внешнийэкран 8, в котором закреплен...

Номер патента: 544302

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Никитин, Романов, Якушев

МПК: H01J 3/04

Метки: высокочастотного, ионного, источника, питания, систкма

...регулятор увеличивает на- Опряжение; при равенстве токов с точностьюширины порогов регулятор оставляет напряжение неизменным, Более быстродействуюшее устройство 4 для извлечения ионовподдерживают наилучшее напряжение вытяги-вания при любом излсенении остальных параметров. Регулирование расхода газа нечинается при каком-то ранее произвольноустановленном значении расхода, котороеобеспечивает горение разряда. Программапоиска задается с помошью генератора 18,Команда начала поиска наилучшего газа ввиде одиночного импульса от генератора 18подает на регулятор 15 и отключаеТ ключевым устроиством 17 регулятор 12 анод 25ного выпрямителя от питания, Через время,необходимое для небольшого изменения натекания газа, подается второй сигнал, отключающий...

Номер патента: 619982

Опубликовано: 15.08.1978

Авторы: Злупко, Савчин

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, металлов, щелочных, эмиттера

...подвергается бомбар- дировке ионами щелочных металлов с энер гней ионов 25 - 30 кэВ и плотностью заряда на единицу поверхности эмитте.ра 500 - 750 мкА час/смЭмиттер ионов щелочных металлов по.лучают следующим образом.то Оксидный катод и вольфрамовую спиральс нанесенным алюмосиликатом помещают в вакуум. При давлении остаточного газа в вакуумной системе не менее 5 10"е тор производят актнвировку оксидного катода.После этого производится бомбардировка оксидного катода. Для бомбардировки оксндного катода ионами нагревают вольфрамовую спираль и подают напряжение 25 - 30 кВ между вольфрамовой спиралью и оксидным катодом, плотность тока619982поверхностной ионизацией атомов щелочных металлов, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности...

Номер патента: 619049

Опубликовано: 15.09.1979

Автор: Калыгин

МПК: H01J 3/04

Метки: источник, оинов

...3 и Формирующего электрода АО. Давление газа поддерживается таким, что длина свободного пробега ионов меньше радиуса электрода ( Л(гэ), а длина свободного пробега электронов - примерно равна ему (Л -ГЭ) . При 2 ГЭ =50-5 мм оно составйт 0,1-1 торр.Источник ионов работает следующим образом.После подачи вспомогательного газа и прогрева корпуса ионизатора3 подают напряжение на Формирующийэлектрод 4, При этом поток электронов от ионизатора 3 через сеткуэлектрода образует внутри этогоэлектрода область виртуального катодас отрицательным потенциалом относительно него, по величине близкимк потенциалу ионизатсра 3, РазмерыЬбласти виртуального катода определяются ф"законом степени 3/2 длятока электронов в вакууме, Послеэтого из испарителя...

Номер патента: 696556

Опубликовано: 05.11.1979

Авторы: Журавлев, Никитинский

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, источник

...на глубину, равную ширине щели между ярмоми стержнем, а анод выполнен в виде кольлен внутри магнитопровойа между полюсами магнитнойэлектрода 9 ионы ускоряются до необходимой энергии и формируются в пучок,Распыление атомов, их ионизация ипредварительное ускорение концентриру ются в одной и той же области; контрагирующей щели, что обеспечивает высокий коэффициент использования рабочегоматериала (20-30%) при высокой электрической экономичности.ОЗагрязнение пучка материалом ярмаустраняется постановкой в отверстии ярма втулки 12, выполненной из того жематериала, что и наконечник сердечника. 5Таким образом, изобретение обеспечивает достижение высокого коэффициентаиспользования рабочего вещества в источнике при работе на тугоплавких...

Номер патента: 550044

Опубликовано: 23.03.1981

Авторы: Абрамов, Панкратов, Самошенков, Спектор

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, источник

...до температур, достатоных для возникновения заметного тмоэлектроннбго тока. Между спирали анодом зажигается разряд и проиходит ионизация рабочего веществаОбразовавшиеся ионы вытягиваютсяразрядного промежутка и ускоряютск корпусу. 5 ре 20 ер ью г-. и 5 Описанный источник ионов эффективнее известных, кроме того, он прощепо конструкции. чн ника ио в я изктока.Наиболее близким к предложенномуявляется источник ионов 2, содержащий магнитную катушку:, корпус ввиде цилиндра, служащий извлекающимэлектродом, соосные с корпусом аноди катод. Этот источник ионов обеспечивает получение достаточно большихтоков, но имеет сложную конструкцию.Целью изобретения является упро,ение конструкции источника,Эта цель достигается тем, что манитная катушка...

Номер патента: 708844

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Герасимов, Голубев, Тарвид

МПК: H01J 3/04

Метки: заряженных, источник, частиц

...эммитанса поттучаемого пучка частиц.Это достигается тем, что источник снабжен электродом, выполненным в виде тела вращения и установленным внутри экспандера соосно с эммисионным отверстием.Введение в экспандер электрода, расположенного на оси потока плазмы, позволяет управлять радиальным распределением плотности плазмы в потоке и обеспечивать согласование этого распределения с распределением потенциала электрического поля в орластиФормирования и первичного ускорения708844 формула изобретения 10 15 ВНИИПИ Заказ 5879/48 Тираж 784 Подпис г, Ужгород, ул. Проектная,Филиал ППП Патен пучка заряженных частиц, Конфигурацчя, эмиссионной поверхности плазмы приближается к сферической или плоской,эмиттанс получаемого пучка уменьшаетСЯ ьНа...

Номер патента: 574050

Опубликовано: 07.12.1981

Авторы: Елизаров, Зимелев, Мартынов

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, источник

...Через каналы 12 может осуществляться прокачка теплоносите- Оля,Источник работает следующим образом,При пропускании тока через катушкунамагничивания в объеме разрядной камеры создается магнитное поле, причем в 15области расположения эмиссионного отвер-.стия в аноде силовые линии магнитногополя 1 имеют преимущественно радиальноенаправление. Кроме того, эти линии вогнуты, если смотреть со стороны вытягива- щония, следовательно, они будут пересекатьповерхность анода,Разряд горит между анодом и катодомв парах цезия и рабочего вещества. Подбнрая расход цезия и величину напряженности магнитного поля, можно при заданном расходе рабочего вещества добитьсямаксимального тока отрицательных ионовпри достаточно низкой величине сопуствуюшего...

Номер патента: 793195

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Герасимов, Голубев, Тарвид

МПК: H01J 3/04

Метки: заряженных, источник, частиц

...электроды с отверстиями, отверстия,в эмвссионотом и вытягивающем элекпродах вьпполнены в виде радиального расположеыных щелей. На фиг. 1 схематически изображен предлагаемый источник заряженных частиц; на фиг. 2 - вид,на вытятивающяй и эмиссионный электроды,Источник заряженных частиц содержит генератор плазмы, состоящий нз термоэмиосионного катода 1, стромежуточного электрода 2, анода 3 и эхспаотдвра 4, жвляющегося отражательным электродом, Устройство 5 служит для создантся ародолыного магнитного поля. На выходе экспандера установлен эмиссионный электрод 6 и на некотором раостоянии от яего вы,7 тягивающий электрод 7. Как,показывает вид по стрелке А, отверстия в вытягивающем и эми/асио/нном электродах выполнены в виде...

Номер патента: 766384

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Новиков, Перельштейн

МПК: H01J 3/04

Метки: высокой, зарядности, ионов

...постоянным средние радиус кольца, Средний радиус кольца без учета потерь энергии электронов на синхротронное излучение возрастает при уменьЭ 5 шении индукции магнитного поля обратно пропорционального квадратному корню из индукции. Само магнитное поле зашунтированных катушек40 уменьшается во времени с декрементом, равным Ь/й(Т)С, где Ь - индуктивность катушек, Й(Т) - их сопротивление, которое вносит главный вклад в омическое сопротивление всей цепи, Т - температура катушек. Для45 катушек заданной формы, величина Ь/Й зависит от начального удельного сопротивления материала катушки, а не от сопротивления катушки или числа ее витков. Увеличение времени затухания магнитного поля достигается при охлаждении катушек за счет уменьшения...

Номер патента: 1005210

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Вандер, Шерешевский

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, источник

...показано предлагаемоеустройство.Источник ионов содержит экренируюший перфорированный электрод 1, кольцевой кагоп 2, расположенный в плоскосги перпендикулярной оси симметрииисточника 00, анод 3, выгягиваюшийэлектрод 4 и диафрагму 5 с отверстиемдля выхода ионов, расположенным наоси симметрии источника 00 ф. Анод 3и выгягиваюший электрод 4 препсгавляют собой металлические сегки с прозрачностью около 90 и выполнены ввице концентрично расположенных частейсферических поверхностей, Катод 2,аноп 3 и вьггягиваюший электрод 4 размещены внутри экранирующего электрода 1, а диафрагма 5 расположена так,что ценгр извлекающего отверстия вдиафрагме совпадает с общим центромкривизны анода 3 и вытягиваюшегоэлектрода 4,Источник работает следующим...

Номер патента: 551948

Опубликовано: 07.04.1983

Авторы: Белюк, Гавринцев, Груздев, Дзюба, Кокшаров, Крейндель

МПК: H01J 3/04

Метки: источник, электронно-ионный

...осуществляется извлече.ние электронов, холодный катод 2, в отверстие которого введена вставка у 3, образующая катодную полость, цилиндрический анод 4 и извлекающийэлектрод 5, Магнитное поле междукатодами обеспечивается постояннымкольцевым магнитом б. Рабочий газпоступает в разрядную камеру черезкатодную полость во вставке.При подаче напряжения между като.дами 1,2 и анодом 4, в разряднойкамере сначала возбуждается обыкновенный пеннинговский разряд междуплоскими частями катодов. С увеличением тоха этого разряда, когда протяженность области катодного паденияу апертуры катодной полости становится меньше радиуса апертуры, плазмапеннинговского разряда проникаетв полость, вследствие чего возбуждается эффект полого катода и пеннинговский...

Номер патента: 506236

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Владимиров, Линев, Саенко, Третьяков

МПК: H01J 3/04

Метки: веществ, ионов, источник, твердофазных

...катодного.распыления образцов рабочего вещества. 15Основными недостатками известныхисточников являются ограниченностьвыбора рабочих веществ, сложностьв эксплуатации и недолговечность.Кроме того, эффективность ионизации Щв известных источниках невысока,Целью изобретения является расширение круга рабочих веществ и новышение эффективности ионизации,Это достигается тем, что источник снабжен устройством для регулируемой подачи электрода из рабочеговещества в разрядную камеру поперекнаправления магнитного поля.На чертеже схематически изображенпредлагаемый источник ионов,На чертеже даны следующие обозначения: 1 - нить накала, 2 - катод,например из аВ , 3 - анодная диафрагма пушки, 4 - разрядная камера;5 - разрядный канал; 6 - эмиссионное...

Номер патента: 553879

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Бережковский, Либман, Слуцкий

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, источник

...является источник ионовсодержащий камеру иониэации, отражатель ичетыре М-образных катода, расположенных вокруг ускоряющей сетки. Всекатоды выполнены независимыми иво время работы масс-спектрометра 25питание подается лишь на один изних, остальные три являются запасными и их можно последовательно включать по команде с Земли. Источникионов монтируется на кольцевых плас,- 30тинах из нержавеющей стали. Все детали ионного источника, включаякрепежные, позолочены, что вызванонеобходимостью надежной теплоотдачи в работающем источнике ионоврассеивается мощность около 12 Вт) 2.Основным недостатком известногоисточника ионов является невысокаяэффективность; так как М-образнаяформа нити не позволяет получитьлокализованный узкий электронныйпучок...

Номер патента: 784601

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Иванов, Пачин, Сысоев

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, источник

...2 мА электронный пучок, формируемый кольцевой электронной пушкой, в силу аксиальной симметрии создает на оси источника потенциальную яму. Образующиеся ионы дрейфуют вдоль градиента потенциала, создаваемого электронным пучком, к оси источника. За счет установки экранирующего электрода исключается влияние вытягиваю- щего электрода во всей области ионизации, кроме приосевой зоны. За счет установки вытягивающего электрода исключается компенсация потенциальной ямы на оси источника. Поскольку потенциал средней части электронного пучка ниже, чем потенциал ионизационной камеры, вероятность ухода ионов на ее стенки чрезвычайно мала. Дрейф ионов вдоль градиента потенциала, создаваемого электронным пучком, и условия, создаваемые экранирующим и...

Номер патента: 723970

Опубликовано: 23.10.1983

Авторы: Дьячков, Казанцев

МПК: H01J 3/04

Метки: высокочастотный, ионов, источник, металлов, тугоплавких

...материала, При атом геометрические размеры обеих ионнооптических систем вытягивания и формирования пучков выбираются оптимальными. В этом спучае потери ионов на катодах незначительны, вследствие чего их эррозия низка. Эффективной эррозии иэ-еа распыления будет подвергаться только торец распыляемого эпектрода выпопненного в форме стержня. При атом практически весь распыпенный материан попадает в плазму ВЯ, разряда и, следовательно его испопьзование более эф фективно, чем в известном источнике. 40 Изобретение позвопяет в 2-3 разаповысить ресурс источника к иа 20-25%ипотность извлекаемого ионного тока.Т 703орса,ул. Проектная, 4 Изобретение относится к технике получения ионных пучков в вакууме и может быть, использовано в тонкопленочной...

Номер патента: 776361

Опубликовано: 30.10.1983

Автор: Донец

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, многозарядных, перезарядки, сечений, эффективных

...накапливают две группы подлежащих исследованию ионов, после чего эти группы ионов смешивают в этом же электронно-лучевом источнике путем повышения потенциала с одной из сторондополнительного потенциального барьера.Кроме того, измерения проводят при различных величинах дополнительного потенциального барьера.После завершения накопления ионов по обе стороны дополнительного потенциального барьера энергию электронного луча в источнике предпочтительно снижают ниже порога ионизации исследуемых ионов электронным ударом.На чертеже приведены кривые распределения продольного потенциала в электронно-лучевом источнике многозарядных ионов, где кривая 1- от момента начала накопления до момента его завершения 1 ф кривая 2 от момента 1 р до момейта...

Номер патента: 854192

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Журавлев, Никитинский

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, источник

...питания и через ограничительное сопротивление с промежуточнымэлектродом.65 На чертеже изображено предлагаемое устройство.Источник ионов содержит катод 1 в форме металлической полости, ферромагнитный промежуточный электрод 2, сконтрагирующей кольцевой щелью, медный анод 3, электромагнитную катушку 4 для создания радиального магнитного поля в щели, ускоряющий электрод 5 источник б питания, положительный вывод которого соединен с анодом, а отрицательный - с катодом и через ограничительное сопротивление 7 с промежуточным электродом. Также в источнике имеются изоляторы 8-11. Напуск рабочего газа в источник производится с анодной стороны, а откачка разрядной камеры - через эмиссионные отверстия в стенке полости.Источник работает...

Номер патента: 1001817

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Успенский, Федяков

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, источник, плазменный

...питания, катод и анод выполнены в виде тел вращения и имеют сооснные выводные окна, анод выполнен из сетки и установлен внутри катода, при 40 этом отношение площади отверстия в аноде к площади ячейки сетки больше четырех. На фиг. 1 изображен плазменный 45 источник ионов, катод и анод выполнены в виде цилиндров; на фиг. 2 - то же катод и анод выполнены в виде сфер.Предлагаемый источник ионов со держит катод 1, который одновременно , является газонаполненной камерой.Анод 2 выполнен из сетки и установлен внутри катода 1 на изоляторе 3. Анод имеет отверстие 4, при этом отношение площади отверстия 4 к площа 817 2ди ячейки сетки больше четырех. Катод 1 и анод 2 имет соосные выводные окна 5 для вывода пучка ионов,Между катодами 1 и анодом 2...

Номер патента: 1045777

Опубликовано: 07.12.1984

Авторы: Михайловский, Полтинин, Федорова

МПК: H01J 1/304, H01J 3/04

Метки: автоэмиттер, заряженных, частиц

...УЭМВВ, х 10000. Острие с утолщением устанавливают затем в гелиевый автоионный микроскоп. Нагружение острия электрическим полем производят от высоковольтного генератора с плавной регулировкой напряжения в интервале от 1 до 30 кВ с длительностью импульса 5 10 с. Скорость подъема напряжения 4 кВ/мин. Генератор обеспечивает максимальный ток в импульсе 150 А. При этом получено значение плотности тока б 10 А/см. Вблизи граничных значений отношений диаметров (2/д= 1140 А /330 А=3,5;3 /д = 2270 А /2080 А = 1,1) значение плотности тока остается постоянным.35 Анализ продуктов испарения при механическом отрыве сферического утолщения на вершине показал, что механический отрыв утолщения, приводящий к повышению напряженности поля, приводит к...

Номер патента: 1144160

Опубликовано: 07.03.1985

Авторы: Агафонова, Васильева, Дьячков, Казанцев, Павлов

МПК: H01J 3/04

Метки: высокочастотный, ионов, источник

...доста,точного ресурса источника, так как тигли быстро выходят из строя.Целью изобретения является увеличение плотности тока. 45Цель достигается тем, что в высокочастотном источнике ионов, дополнительйый анод выполнен в виде прямо- накального нагревателя.Кроме того, дополнительный катод 50 может быть снабжен насадком с диаф.рагмой, установленным на его торце, при этом расстояние от торца распыляемого электрода до диафрагмы насадкабольше диаметра отверстия в диафрагме. 55Дополнительные анод и катод могутбыть соединены с анодом и катодомионно-оптической системы,На чертеже представлена конструкт,тивная схема источника.Источник содержит диэлектрическуюразрядную камеру 1, индуктор ВЧ-генератора 2, диэлектрическую вставку 3,ионно-оптическую...

Номер патента: 1127460

Опубликовано: 30.05.1985

Авторы: Быковский, Миронов, Саранцев, Сильнов, Сотниченко, Шестаков

МПК: H01J 3/04

Метки: исследования, лазерной, плазмы

...ионизации атомов электронным пучком и регистрации образующихся ионов, пучок образуют из собственных электроноь лазерной плазмы концентрации 10 " - 10" см путем разрыва плазмы, выделения и ускорения электронов до энергии ионизации; Для ударной ионизации нейтральной компоненты используют собственные электроны лазерной плазмы, которые имеют большие концентрации, а ионизация идет по пути разлета нейтральных атомов, что увеличивает время ионизации, Даже при относительно умеренных мощностях лазерного излучения с облучаемого пятна можно снимать большие токи (в особенности большие плотности тока). Однако известно, что энергии направленного движения электронов, в диапазоне плотностей ла,зерного излучения ч,10 - 5 10 Вт/см составляют 10- 10...

Номер патента: 668489

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Кандалов, Карелин, Кравцова, Максимов

МПК: H01J 3/04, H01J 37/08

Метки: контактный, эмиттер

...-того," "что" тблькочасть этих участков обладает максимальной эмиссионной способностью Причиной указанных недостатков являетО щлотуиярнаяСтруктура"и -низкая35 40 Данное обстоятельство может быть объяснено тем, что в подобных контактных эмиттерах сетки имеют обычно большую прозрачность и эмиттер обладает высокой проницаемостью. Следствием этого является малый перепаддавления рабочего вещества на эмиттере, что обуславливает сильную завйсимость эмиссионных свойств от величины Потока цезия сквозь эмиттерКрометого, вольфрам, часто используемыйдля изготовления контактных эмитте-.ров, имеет большую теплоту десорбции"йонов цезия, что определяет сравни-, тельно высокий уровень требуемых ра 45 бочих температур эмиттера,Целью изобретения является...

Номер патента: 1394271

Опубликовано: 07.05.1988

Авторы: Баталин, Волков, Кондратьев, Турчин

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, источник

...вне зависимостиот сигналов с датчика 7 давления. Система 6 управления расходом газапод действием сигнала с датчика 7давления изменяет длительность ичастоту следования электрическихимпульсов, управляющих работой электромагнитного клапана 5 таким образом,чтобы скомпенсировать возникающиеотклонения давления в камере источника,При заданных режимах работы системы 4 управления напуском газа исистемы 6 управления расходом газаклапан 3 открывается с определеннойчастотой на определенное время, обеспечивая напуск газа в разрядную камеру 1 источника строго нормированными порциями, а клапан 5 при этом открывается на соответствующее время ссоответствующей частотой, определяярасход газа через отверстие 2 эмиссии в объем ускорителя.Если давление в...

Номер патента: 1294189

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Косицын, Рябчиков, Солдатенко

МПК: H01J 3/04

Метки: ионный, источник

...электрод цилиндрическ й 8 нахо" ким образом, чтобы вторичные ионы, дятся под отрицательным потенциалом 55 выбитые из мишени, распространялись по отношению к экстрактору. в направлении дополнительного ускоряУстройство работает следующим об- ющего электрода 8, не попадая на по- разом. По трубчатому вводу .через анод верхность дополнительного электрода 6,анод-катодном зазоре магнитное полевеличиной 200-500 Э. На анод подаетсяположительный относительно катода потенциал амплитудой 300-800 В. При напуске газа, например аргона или азота, в системе зажигается разряд с током 100-1500 мА. На экстрактор 7 идополнительный электрод 6 подаетсяотрицательный по отношению к катодупотенциал " 5 кВ. При этом величинаизвлекаемого из разряда ионного...

Номер патента: 1385900

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Исаев, Нечаев, Пешков, Рябчиков

МПК: H01J 3/04

Метки: ионного, пучка

...металлическую трубкуна глубину,равную пяти диаметрам 25трубки, при этом ее. стенки способствуют формированию струипара рабочего вещества.,фокусирующая линза 5и лазер 6 расположены также на оптической оси вне вакуумной камеры. ЗОИонный пучок формируется электрода.мн 7,Способ осуществляется следующимобразом,Предварительно сфокусированноелинзой лазерное излучение через окно353 и отверстия в электродах 4 направляют наповерхность вещества, запрессованного в трубке 2, Мощность лазерного излучения выбирается такой,чтобы начиналось интенсивное испарение рабочего вещества, а потери теплаза счет теплопроводности становилисьмалыми. Под действием мощного лазерногоизлучения вещество в трубке испаря 45ется и истекающая струя пара распространяется...

Номер патента: 1395024

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Арзубов, Ваулин, Исаев, Рябчиков, Хлоповских, Шипилов

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, источник

...сеткой 4.Источник ионов работает следующим 55образом. 11 ри подаче с блока питанияи.коммутации на электрод 9 поджигающего импульса длительностью - 1-10 мкс и амплитудой 2-5 кВ по поверхности диэлектрического кольца 3 происходит пробой промежутка между поджйгающим электродом 9 и дополнительным элементом 5, расположенным напротив него. Образовавшаяся после пробоя плазма после расширения создает дуговой разряд между данным дополнительным элементом 5 и анодом 2 за счет энергии, запасенной например, в емкостном накопителе 1.9. В этом случае амплитуда тока разряда определяется величиной зарядного напряжения и значением сопротивления резистора К 1.Длительность Формируемого импульса ионного пучка определяется длительностью разряда между...

Номер патента: 1455926

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Арзубов, Исаев, Луконин, Рябчиков

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, источник

...величину падЕриянапряжения на дуговом разряде междукатодом 1 и анодом 2. Таким образом,необходимо, чтобы к моменту достиже-ния плазмой анода 2 емкость С 1 заря.-дилась до напряжения, превышающегопадение напряжения на. дуге Б междуанодом 2 и катодом 1. Соотношение, определяющее данноеусловие, можно подучить исходя из 4 О следующих соображений. После пробояпромежутка между катодом 1 и"поджигающим электродом 4 плазма, формируемая катодным пятном вакуумной дуги,достигнет анода 2 за время 45Ь(1)7 олгде 1, - расстояние от катода 1 доанода 2;Ч. - скорость распространенияплазмы от катода к аноду.Исходя из условия, что за,время,распространения плазмы Ы емкость С,"должна зарядиться дб напряжения Ос ,превышающего напряжение горения дуги бб...