H01J 3/04 — ионные пушки

Номер патента: 1496614

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Глазков, Лобанов

МПК: H01J 3/04, H05H 7/00

Метки: ионно-оптическая, ионов, источника, плазменного

...отверстиемдиаметром й = 0,25-0,40 и выполне,ние выходного электрода линзы длиной .10,2-0,3 П, где 0 - апертура линзы,приводят к такому распределению радиальной компоненты Еэлектрическогополя в последнем ускоряющем зазорелинзы, что осуществляется согласование пространства линзы с ионнооптическими характеристиками пчка,поступающего на ее вход. При этомформируется пучок с малым эффективным эмиттансом правильной эллиптической .формы, В то же время в аналогич"ных ионно-оптических системах, содержащих одиночные линзы, фазовыйпортрет пучка частиц имеет Я-образнуюформу, что соответствует большемуэффективному эмиттансу,Формула и э о б р е т е н и я Ионно-оптическая система плазменного источника ионов, выполненная в виде одиночной...

Номер патента: 784600

Опубликовано: 23.02.1991

Автор: Чилипенко

МПК: H01J 3/04

Метки: ионный, источник, масс-спектрометра

...контактных колец одной секционированной по числу проб лентой и независимой электрической коммутацией каждой секции, а сам узел смонтирован на специальных траверзах, установленных на катодных стойках источника. 15Конструкция испарителя представлена на чертеже.На керамический цилиндр 1 по числу анализируемых проб напрессованы металлические кольца 2 (например, три). Цилиндр монтируется в серийном ленточном источнике масс-спектрометра параллельно щели вытягивающего электрода 3 на двух траверзах, обеспечивающих быстрый съем и установку испа рителя через боковые окна стакана ионнооптической системы. Лента 4 из вольфрамовой (танталовой, рениевой,1 фольги крепится точечной сваркой ко всем кольцам цилиндра, чем осуществляется независимый подогрев...

Номер патента: 1663641

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Голубев, Козачек, Комаров, Сердюк, Степаненко, Ткач

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, калия, твердотельный, эмиттер

...изискусственных алюмосиликатов получалисьлишь при более жестких режимах,Был проведен массовый и энергетический анализ пучка ионов, полученных с применением эмиттера, изготовленного изортоклаза, Исследования показали, что пучок состоит из ионов К и тяжелых примесей, масса. которых в 2 раза и болеепревышает массу К, количество примесей 15не превыШает 1 ф. При необходимости пол+учения пучка ионов К. высокой массовойоднородности эти примеси могут быть легко отсепарированы.Поскольку образцы ортоклаза из различных месторождений сходны по химическому составу (присутствуют лишьнезначительные количества примесей СаО,ВаО, Ге 20 з и др., влияющих на его эмиссионные свойства) и идентичны по всей кристаллической структуре, то не...

Номер патента: 543305

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Алексеев, Васильев, Гендель, Дмитриев, Егоров, Ивановский, Маишев

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, источник

...обладает тем н достатком, что интенсивность ионного пучка мала, что обусловлено режимом горения разряда и образования плазмы. Кроме того, накапливаемый катод обладает малым сро- Ь ком службы и затрудняет использованиехи мически активных газов в качестве рабочего Д тела, Наличие в источнике раздельных об- С ластей ионизации. газа и формирования (Л пучка, в свою очередь усложняет его конструкцию,Цель изобретения - повышение интенсивности ионного пучка, увеличение срока службы источника и упрощение его конструкции.Это достигается тем, что внутри корпуса соосно в ним на изоляторе установлен кольцевой анод, подключенный к источнику питания. На чертеже изображена присхема предлагаемого ионного.Гиринск каз 4631 Тираж Подписное ВНИИПИ...

Номер патента: 1108943

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Пузиков, Семенов, Сивко, Харченко, Чайковский

МПК: H01J 3/04

Метки: интенсивных, ионных, пучков

...замедления расходящегося пучка. В этом случае даже использованиеэлектродов замедления оптимальнойгеометрии приводит к большим потерямпучка ионов, .Этого можно избежать,если на вход системы замедления подавать сходящийся пучок с углом схо"димости, который бы обеспечивал формирование в промежутке замедлениянерасходящегося пучка,. что устранитпотери ионного:.пучка. Величину требуемого угла сходимости можно определить несколькими способами: электродинамическим расчетом, иСходя изгеометрии электродов замедления,экспериментально, а также используясимметрию электродов ускорения и замедления и известные расчеты для пушек Пирса. 108943 6 статические линзы,. Однако использо.вание конструкций линз, известныхиз литературы, не дало...

Номер патента: 1531745

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Арзубов, Насыров, Пузыревич, Рябчиков

МПК: H01J 27/22, H01J 3/04

Метки: ионов, источник

ИСТОЧНИК ИОНОВ, содержащий коаксиально расположенные анод и катод, составленный из различных рабочих материалов, поджигающий электрод, изолятор, установленный между катодом и поджигающим электродом, и ускоряющий электрод, при этом катод и анод подключены к источнику электропитания основного разряда, а катод и поджигающий электрод - к источнику вспомогательного разряда, отличающийся тем, что, с целью упрощения устройства, поджигающий электрод установлен в центре катода, выполненного из плотно прилегающих концентрических колец из рабочих материалов, причем внешнее кольцо катода подключено к источнику питания основного разряда, выполненному с регулируемой длительностью импульса.

Номер патента: 1371434

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Журавлев, Зеленко, Никитинский, Стогний, Токарев, Хитько

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, источник, металлов

...формируется контрэгированный разряд с замкнутым дрейфом электронов в щели, имеющим структуру с двойным электростатическим слоем между плотной анодной и редкой катодной плазмами, Катодная плазма отделена от стенок полого катода электростатическим слоем напряжением ( "100 В), составляющим примерно половину от разрядного, и шириной 2 мм. Ширина 2 Ь эмиссионного канала (Ь - длина малой полуоси эллиптического отверстия) должна превышать в несколько раз (более 2) 55 ширину катодного падения, чтобы кэтодная плазма проникала в эмиссионный канал.При введении магнитного поля в дополнительной магнитной системе у стенок вставки 10, ограничивающих эмиссионный канал, формируется область со скрещенны 5 10 15 20 25 ние эмиссионного канала должно...

Номер патента: 1616412

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Богатырев, Никитинский, Объедков

МПК: H01J 3/04

Метки: заряженных, источник, частиц

1. ИСТОЧНИК ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ, содержащий катод, промежуточный электрод с контрагирующим отверстием, соосным с катодом анод, эмиссионный и ускоряющий многоапертурные электроды, установленные соосно, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективности извлечения потока заряженных частиц и равномерности распределения плотности тока по сечению пучка, в стенке промежуточного электрода, обращенной к катоду, выполнено по крайней мере одно контрагирующее отверстие, соосно которому со стороны катода расположен анод, причем анод и катод установлены в герметичных полостях, электроизолированных от промежуточного электрода.2. Источник по п.1, отличающийся тем, что аноды размещены вокруг катода равномерно по окружности.

Номер патента: 1625254

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Журавлев, Никитинский

МПК: H01J 3/04

Метки: газов, ионов, источник

ИСТОЧНИК ИОНОВ ГАЗОВ, содержащий многоапертурную ионнооптическую систему, размещенную с катодной стороны разрядной камеры, полый анод, полый катод диаметра d4 с контрагирующим отверстием диаметром d2 в обращенной к аноду стенке, удовлетворяющим условиямгде M относительная атомная масса газа;Ii ток ионов пучка на выходе из источника ионов;H осевой размер катодной полости;h высота контрагирующего отверстия,источники питания цепей разряда и ионно-оптической системы, систему подачи рабочего газа через анод и магнитную систему,...

Номер патента: 1402185

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Гапоненко, Журавлев, Лизин, Никитинский

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, источник

ИСТОЧНИК ИОНОВ, содержащий эквипотенциальный полый катод с входным отверстием со стороны анода и перфорированной противоположной стенкой, которая с ускоряющим электродом образует многоапертурную систему извлечения, кольцевой анод, магнитную систему, состоящую из магнитопровода, стенки полого катода с входным отверстием, стержня и катушки электромагнита и создающую радиальное магнитное поле в кольцевой контрагирующей щели между стенкой входного отверстия полого катода и введенным в него со стороны анода стержнем, и систему напуска газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы, в источнике ионов между стенкой полого катода с входным отверстием и анодом симметрично оси источника ионов введен диск с центральным отверстием,...

Номер патента: 1512397

Опубликовано: 10.11.1997

Авторы: Годник, Двуреченский, Кашников, Кучерявый, Потемкин

МПК: H01J 3/04

Метки: импульсного, отжига, пластин, полупроводниковых

Устройство для импульсного отжига полупроводниковых пластин, содержащее установленные в вакуумной камере катод с размещенными на нем искровыми источниками плазмы, сетку и анод, генератор высоковольтных импульсов и конденсаторную батарею, отличающееся тем, что, с целью повышения качества при отжиге пластин большого диаметра, оно содержит высоковольтный переключатель с системой фотоконтроля, выполненный в виде одного или нескольких неподвижных дисков с установленными на них контактами и соосных с ними подвижных дисков с выполненными в них радиальными пазами и снабженных пружинными контактами, причем число контактов неподвижного диска равно числу радиальных пазов подвижного диска, а каждый источник плазмы подключен к высоковольтному...