Патенты с меткой «371836»

Номер патента: 371836

Опубликовано: 15.05.1974

Автор: Голубев

МПК: H01J 3/04

Метки: 371836

...по его оси через эмиссионное отверстие в аноде. В результате область с повы 1 ненным содержанием отрицательных ионов, в данном случае внутренняя область разряда, используется более эффективно, и интенсивность полученного п рицательных ионов возрастаег, так кметр эмиссионного отверстия можночить 14 по 1 учить высокую плотностьтельных ионов в области отбора при равномерном распределении ее поэмиссионного отверстия.Оптимальный размер области разряда с повышенным содержанием отрицательных ионов и равномерное распределение плотности отрицательных ионов по радиусу эмиссионного отверстия получают регулировкой величины магнитного поля.Наличие кольцевого катода позволяет подавать рабочий гз или пар непосредственно в область отбора ионов. Это...