Способ изготовления эмиттера вторичных электронов

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН Ия К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ368669 Союз Советских Социалистических РеспубликКомитет делаюоткрытий иоритет обретеии,". ири Совете МиСССР Опубликовано,26.1,1973. Бюллетень9 Дата опубликования описания 09,1 Ч.193 ДК 621,385,032.217,3 (088.8) Автор изобрете Тютико аявител СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭМИТТЕРА ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВИзобретение может быть использовано в электровакуумном производстве для увеличения коэффициента усиленвя приборов, в которых используется явление вторичной эмиссии.Увеличение коэффициента вторичной эмиссии о, например, динодов умножителей необходимо как для снижения рабочих разностей потенциалов, приборов, так и для повышения их амплитудного разрешения. Увеличениым коэффициентом вторичной эмиссии ,обладают, в частности, эмиттеры из сплавов с несколькими активными металлами, на поверхности которых после окисления возникает структура, обеспечивающая повышенный выход вторичных электронов.Целью изобретения является увеличение коэффициента вторичной электронной эмиссии эмиттеров при малых энергиях первичных электронов.Сущность предложенного способа заключается в том, что эмиттирующий окисный слой предварительно обогащают избытком металла, а затем подвергают сжатию каким- либо способом до относительного сжатия 0,301 о (для сплава медь - бериллий). В результате коэффициент вторичной эмиссии увеличивается на 20 - 30%.Способ поясняется фиг. 1 - 4.1-1 а фиг. 1 показана зависимость коэффициента вторичной эмиссии а от энергии первичных электронов чр по мере сжатия образца с эмиттируюшим слоем из ВеО, обогащенного Ве. На фиг. 2 показано изменение о (при фиксированных рр) эмиттирующего слоя (на СпВе) из ВеО, обогащенного Ве, двух образцов по мере сжатия слоев: кривые 1, 2, 3, 4 характеризуют а первого образца соответственно при ър -- 300, 500, 700 10 и 900 эв; кривые 5, 6 - о второго образцапри др=-500 и 700 эв. На фиг. 3 представлено изменение и по мере сжатия окисного слоя образца, не обогащенного избытком Ве; кривые 7, 8, 9, 10 соответствуют р -- 300, 500, 15 700 и 900 эв. На фиг. 4 изображены характерные спектральные зависимости фотоэффекта образцов; кривые 11, 12 - ,при сжатии слоев увеличивается о; кривые 13, 14 - о ие увеличивается.20 Из кривых на фиг. 1, 2, 3 следует, чтосжатие на -0,3010 эмиттирующих слоев из окислов на сплавах (например, ВеО), предварительно обогащенных избытком металла, приводит к увеличению коэффициента вто ричной эмиссии ст. О степени предварительного обогащения слоев избытком металла можно судить по спектральным кривым фотоэффекта (фиг, 4). В случае ВеО о присутствии в слое достаточного избытка метал ла свидетельствует наличие фотоэффекта3при йу)3,4 эв (кривые 11, 12), Если фото- эффект отсутствует, то о при сжатии лишь уменьшается. При изготовлении эмиттеров из сплавов обогащение эмиттирующих слоев металлом может быть достигнуто прогревом их в вакууме при Т)450 С. Слой окисла на сплаве может быть получены избирательным окислением соответствующих сплавов, например, Ве на СцВе, МдО на АдМд, А 1 Мд.Сжатие эмиттирующего слоя в приборах (например, умножителях) может быть выполнено различными способами. Например, эмиттер изготавливается вначале плоским например, путем окисления бериллиевой бронзы), а затем изгибается по форме корытообразного динода со стрелой прогиба в радиусной части й. Необходимую степень сжапия слоя можно обеспечить при заданной стреле прогиба путем выбора толщины подложки,-сплава по формуле Ыгде - относительное сжатие эмиттирующего слоя с толщиной, много меньшей толщины подложки д; О - расстояние между крайними точками изогнутой части,Эмиттер может быть изготовлен по форме динода, окислен в таком виде при повышенной температуре, а сжатие эмиттирующего слоя, сформированного при температуре Т, достигается при охлаждении до комнатной температуры за счет подбора коэффициентов температурного расширения подложки-сплава и эмиттирующего слоя по формуле Л 1-- (4 - А) Х (Т - 20), где 1, - размер тэмиттера при температуре формирования Окисного слоя Т; д 2,и а 1 - коэффициенты температурного расширения соответственно подложки-сплава и слоя. При этом для сжатия слоя берут д)4. Например, в случае эмиттеров из бериллиевой бронзы д,т 18 10 - , 4 = 10,6 10-, относительное сжатие слоя, 5 равное 0,3 , достигается охлаждением эмиттеров от -450 С. Для сплава на основе % с 4=13 10 -для создания такого же сжатия требуется температура 1000 С. Регулировать температурные коэффициенты можно 10 путем нанесения на сплав до его окисленияслоя соответствующего металла толщинойоне менее 300 А. Такой слой не препятствует формированию окисного слоя на,разделе вакуум - металл и принимает напряжения, возбуждаемые подложкой. Предмет из о бр етен и я1, Способ изготовления эмиттера вторич ных электронов из сплава с эмиттирующимслоем окисла активного металла на его поверхности, например, для динодов умножителей, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента вторичной электрон ной эмиссии эмиттера, в эмиттирующем слоеокисла создают избыток активного металла путем прогрева эмиттера в вакууме, после чего, слой подвергают сжатию.2. Способ по п, 1, отличающийся тем, что З 0 змиттер, например, из сплава медь - бериллий прогревают при температуре выше 450 С и подвергают сжатию до величины относительного сжатия 0,3+ 0,10/О.3. Способ по пп, 1, 2, отличтощийся тем, 35 что сжатие эмиттирующего слоя осуществляют путем изгиба. эмиттера по форме динода.4, Способ по пп, 1, 2, отличающийся тем,что сжатие эмиттирующего слоя осущест вляют путем его формирования непосредственно на диноде.368669 ц54 51 5 д 4 д 4 Е 44 4l 43 5 Л .74 Л ХП Ро РБ 24 ф , дактор Т. Орловска Заказ 730/14 Изд.191 Тираж 780 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж-З 5, Раушская наб., д. 4/5 Тнпог 11 афня,апунова,ставитель И. РатенберТехред Т. Миронова Ректоры М Коробова и Л. Корогод