197769

Номер патента: 129753

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Елинсон, Ждан

МПК: H01J 1/312

Метки: аl2о3, введенными, выполненные, диэлектриков, донорными, др, малым, меньше, металлов, монокристаллов, них, обладающих, окислов, основе, отноше, полярных, порядка, примесями, электронов, эмиттеры

...ов, выпо окислов и приме электр ектрон кенни теров электрон диэлектриковних донорньв е) отношением я получения э газа при налоого поля. пненных наметаллов МЯями, обладнного сродсой эмиссии,а однороднь ие эмит оля рных енными ви меньш зоны, дл тронного ектрическ основе моно- О, А 120 з, 310. ющих малы и тва к ширине следствие псе кристаллы римене ллов п с введ ка 0,1 щенной а элек ров эл крис(поря запре регре эмитт При наложении на эмиттер достаточно сильного внутреннего электрического поля, вследствие ускорения электронов, температура эле;- тронного газа оказывается выше температуры решетки и достаточной для интенсивной эмиссии. Перегретая электронная эмиссия наблюдалась на монокристаллах п-кремния, но вследствие большого...

Номер патента: 482827

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Загребнева, Сидорова, Сухариер, Тимонина

МПК: H01J 1/316

Метки: электронов, эмиттер

...состоит из плоской диэлектрической подложки 1, пленочных контактов 2, 3, в зазоре между которыми находится собственно эмиттер, состоящий из слоя окиси бария или другого активатора, например: ВаГ, СзГ - 4 и т. д., толщиной от сотен атомных слоев и более, на поверхность которого наносится днспергпров.шная металлическая пленка 5, покрытая сщс одним актпвпрующим слоем 6 плп без него.Предлагаемый эмпттср позволяет получать максимальные токи эмиссии и 300 - 500 мк прп эффективности до 5 - .7 о 1-1 апряженпе па электродах прн этом составляет 20 - 30 в (Еср - =2,5104 в/см), Предлагаемый эмпттер электронов может стабильно работать в течение не менее 1000 часов, обсспс пшая токоотбор 15 - 20 мка при эффективности 1 - 1,5 ото.Более...

Номер патента: 1595947

Опубликовано: 30.09.1990

Автор: Самоделов

МПК: C25C 3/34

Метки: вторичных, драгметаллов, меди, рафинирования, сплавов, черновой, электролизом

...очистки.2 табл.1595947 Таблица 1 Параметры процессов Варианты Темпера- Плотность тока на стадии влечее меЬ Ве Ва А/ смИсходный материалПрототип Предлагаемый способ Исходныйматериал Прототип Предлагаемый способ 055 0,0510 0,01О 31 99,83 50 10+ 1,5 0,599,86 50 2,610 4 0,00110 3,810 0,5 99,1 1 О 0 10,5 1 5 О 5 98 3 25 Лродолхенне табл, 1 Вариан Содерхание основных компонентов и примесей в очидаемом метаяьпе 1 сплгво) Ав ВВ Г РЬ , А 8, Ац, Рс,г/т г/тг/тВ Вп Исходный материал Прототип Предлагаемый способПсхрдньаь материал ПРотОтип Предлагаемый способ 0,05 7 1 О 0,01 О 0,002 210 ь 0,06 1 О 4,81 ,18 10 0 1 О 10 в 0 ь 10 В третьей секции электролизера очищаемую медь подвергают анодной поляризации в хлориднооксидном расплаве щелочных...

Номер патента: 169591

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Сидоров, Фахрутдинов

МПК: G01R 31/00

Метки: amp, атмосферы, диффузии, зоне, коэффициента, линейной, метеорной, метеорных, начального, параметров, плотности, радиуса, следов, следовизвестные, способы, электронной

...изображена блок-схема, построенная по предлагаемому способу.Она содержит задающий генератор 1, умножитель 2 частоты, усилитель 3 мощности на частоту т, усилитель 4 мощности на частоту 2 з, усилители 5, б высокой частоты, смесители 7, 8, усилители 9, 10 промежуточной частоты, умножители 11, 12 частоты, гетеродин 13 и фазометрическое устройство Недоуплотненные следы полностью просвеодаасная группа89 чиваются излучением, и их фазовые центрынаходятся на оси симметрии, В случае переуплотненных следов подающая волна не может проникнуть в центральную часть следа,5 и след ведет себя как металлический цилиндркритического радиуса 1/ с, от которого и происходит отражение.Блок-схема позволяет измерять разностькритических радиусов на двух...

Номер патента: 581742

Опубликовано: 15.09.1979

Авторы: Афонина, Климин, Сотникова, Стучинский

МПК: H01J 9/12

Метки: электронов, эмиттера

...в объеме фотоэлектронногоприбора 2.При этом способе сложна технология при активировании эмиттера вфотоэлектронном приборе при комнатной температуре,Цель изобретения - упрощениетехнологии,Это достигается тем, что активирование ведут в парах цезия при100-250 С. Это обеспечивает возможность совмещения процессов изготовления эмиттеров электронов на основе алмазоподобных полупроводникови других элементов фотоэлектронногоприбора, в частности фотокатода идинодов, что упрощает технологию 10 прибора.Примером изготовления эмиттераэлектронов может служить изготовление эффективного вторичноэлектронного эмиттера на основе поликристал лического слоя фосфида галлия, используемого в качестве первого динода ФЭУ с сурьмяно-щелочным...