H01C 17/00 — Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления резисторов

Номер патента: 1739534

Опубликовано: 07.06.1992

Автор: Борисов

МПК: H01C 17/00, H05K 13/08

Метки: параметрам, переменных, резисторов, электрическим

...3 17тельно штыря 13, служащего ограничителем вращательного движения ее относительно подвижной системы резисторав момент нахождения конического ловителя 14 в верхнем положении. Пневмоцилиндр 15 предназначен для перемещения. планки 16, на которой закрепленрычаг 17, взаимодействующий с ловителями 14, и кронштейн 18, который воздействует на подпружиненную защелку19. Пневмоцилиндр 20 предназначендля воздействия через ролик 21 наскобу 22 контактора. Возможен вариантвыполнения устройства, при которомв качестве элемента, осуществляющегожесткую Фиксацию корпуса резистора,использован прижимной рычаг, а контактная группа расположена таким образом, что подпружиненные контактывзаимодействуют с лепестками резистора при его установке в гнездо...

Номер патента: 1751822

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Моткин, Пучков, Тихов

МПК: H01C 17/00, H01G 13/00

Метки: конденсаторов, обжатия, преимущественно, секций

...роторе, При вращенансоны с матрицами, перемедругу, обжимают секцию предпотом и окончательно, 2 ил. Устройство для обжатия преимущественно секций конденсаторов работает следующим образом;В зоне загрузки радиодеталеи 11 пуан- (Я сон 3 находится в верхнем положении,матрица 4 ниже боковой поверхности проточки 14 ротора 2, В этот момент радиодеталь 11 из механизма 10 загрузки поступает в глухое отверстие 5, образованное опущенной матрицей 4. При вращении ротора 2 пуансон -д 3 и матрица 4, взаимодействуя с профильными направляющими 8, 9, движутся навстре- (Я чу друг другу. Когда рабочая поверхность (торец) матрицы 4 начинает совмещаться с боковой поверхностью проточки 14 ротора 2, осуществляется предварительное обжатие радиодетали...

Номер патента: 1812561

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Гул, Ряхин

МПК: H01C 17/00

Метки: прецизионных, резисторов, тонкопленочных

...превышающей уровень +0,05%. Эта достигается эа Счет решения вопроса повышения тепло- стойкости реэистивных пленок путем дополнительной их термотренировки в укаэанных 55 режимах. При этом Овыхода годных поТКСй 10 10 1/С почти оо всех случаях луч ше уровня, достигнутого при изготовлении резисторов па способу-прототипу, или находится на таком ке уровне, Т,е, полученные5 10 15 20 25 30 35 40 50 аналогом. результаты наглядно показывают достижение цели изобретения.Кроме того, как следует из результатов табл,1, предлагаемый способ обеспечивает также в 2 раза улучшение уровня стабильности при испытаниях резисторов под электрической нагрузкой на долговечность (2000 ч)Как видно иэ примеров 1 - 3, при изменении времени термотренировки от 1 до 3 ч...

Номер патента: 1820416

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Волохов, Зеленцов, Песков

МПК: H01C 17/00

Метки: высокотемпературного, тензорезистора, тонкопленочного

...К - 0,14 определяли п 1 0,2 поб, ДлЯ полУчениЯ заДанной величины .удельного поверхностного сопротивления рл число циклов. нанесения тонких резистивных слоев поб составляет 120. Отсюда число циклов нанесения резистивных слоевсовместно наносимых пленок двух материалов составляет п 1 4, 1820416При скорости вращения. карусели Ч = 60о /мин время совместного напыления резистивных пленок (3, 4) из материалов Х 20 Н 75 Ю и МР 47 ВП составило 24 с, После совместного напыления магнетронный ис точник с материалом Х 20 Н 75 Ю отключали и продолжали напыление верхнего слоя 3 из материала МР 47 ВП в течение 84 с, Затем вновь напыляли пленку 4 из материала Х 20 Н 75 Ю до получения заданной величины 10 р,реэистивного слоя, После завершения напыления...

Номер патента: 1308076

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Белогуров, Гостило, Лаце, Юров

МПК: H01C 17/00

Метки: высокоомного, резистора, тонкопленочного

...пленку с дельным сопро 5 тивлением (0,3-0,6)10 Ом см, Иэполученной пленки на подложке вырубаютпри помощи фотолитограФии резистионыеэлементы, размеры которых выбирают в зависимости от требуемого номинала рези 10 стара. Та 2 длл резистора 1 ГОм размер3 .15 м 4,После этого проводят напыление подводящих контактов, состоящих из слоев хро.Ма, меди и никеля при температуре 200 С.Сразу после напыления температуру поднимают до 250 С и подвергают подложки изотермическому отжигу в течение 10 мин.После остыоанил подложек до комнатнойтемпературы производят изготовление подводящих контактов методом фотолитографии,. Затем проводят измерение параметроврезисторов: номинала сопротивления, зависимости активной саставляощей импеданса от частоты в...

Номер патента: 1704575

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Вольфсон, Долгих, Колотий, Цзин

МПК: H01C 17/00

Метки: варисторов, качества, оксида, основе, цинка

...и варисторы со значениями 1 а+3 1 а+1,о, отбраковывают.В таблице приведены параметры варисторов, подвергнутых контролю согласно изобретению,Как видно из таблицы, если величина активной составляющей рабочего тока варисторов после прохождения отбраковочного импульса тока составила величину, меньше 3 мА, то эти варисторы являются годными (варисторы МЪ 16, 18, 20, 24, 35, 39,28,98,21,22,64,93-95,30,46,47,56,72, 73), а варисторы, у которых 1 а+3 1 а+1,о, нв выдержали испытания на импульсную устойчивость (варисторы ММ 32, 33, 38, 44, 662, 78, 8).Изобретение позволяет увеличить выход годных варисторов, проводить 1006- ный неразрушающий контроль и повысить надежность ограничителей перенапряжения, в которых используются эти варисторы,25 Патент...

Номер патента: 1251728

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Власенко, Воробьев, Маевский, Манчук, Пугачев, Сафина, Фомин

МПК: H01C 17/00

Метки: высоковольтных, защитных, оболочек, резисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАЩИТНЫХ ОБОЛОЧЕК ДЛЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий формовку заготовок из портландцемента под давлением с помощью цилиндрической пресс-формы с коаксиально расположенными в ней одним или несколькими цилиндрами, удаление цилиндров из пресс-формы, выдержку заготовок под давлением с одновременным насыщением портландцемента перегретым водяным паром, распрессовку и сушку, отличающийся тем, что, с целью повышения электрической и механической прочности защитных оболочек, перед операцией формовки цилиндры заполняют песком, осуществляют совместную формовку песка и заготовок, а насыщение портландцемента перегретым водяным паром осуществляют подачей его через песок, причем перед сушкой изделие освобождают от песка.

Номер патента: 1110327

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Автономов, Берней, Горелов

МПК: H01C 17/00

Метки: композиционного, резистора

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННОГО РЕЗИСТОРА, включающий смешение компонентов, прессование, выдержку в нормальных условиях, гидротермальную обработку и сушку, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности электроизоляции резистора и стабильности работы в агрессивных средах, после сушки производят обжиг резистора в воздушной среде при температуре 500 - 600oС до выгорания технического углерода с приповерхностного слоя на глубину 0,3 - 0,8 см и пропитывают его кремнийорганическим полимером на эту глубину.

Номер патента: 1671057

Опубликовано: 30.09.1994

Автор: Ряхин

МПК: C23C 14/00, H01C 17/00

Метки: белого, керамических, микрозагрязнений, обнаружения, поверхности, подложек, резисторов, тонкопленочных, цвета

СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ МИКРОЗАГРЯЗНЕНИЙ НА ПОВЕРХНОСТИ КЕРАМИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК БЕЛОГО ЦВЕТА ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий термическое испарение в вакууме и конденсацию материала-анализатора на поверхности подложки при комнатной температуре и последующее выявление микрозагрязнений путем визуального контроля наличия темносерых участков конденсата материала-анализатира на поверхности подложек, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности, в качестве материала-анализатора используют цинк, а его термическое испарение и конденсацию осуществляют при величине вакуума (3,99 - 13,3) 10-3Па.

Номер патента: 1259873

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Исаева, Плеханов

МПК: H01C 17/00

Метки: пленочных, резисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий последовательное нанесение на подложку резистивного слоя, адгезионного подслоя ванадия, слоя меди, защитной металлической пленки, формирование рисунка резисторов, стабилизирующий отжиг с последующим удалением защитной металлической пленки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения разброса значений температурного коэффициента сопротивления и повышения временной стабильности характеристик, в качестве защитной металлической пленки используют ванадиево-алюминиевый сплав с содержанием ванадия 15 - 30 мас.% и алюминия 70 - 85 мас.%.

Номер патента: 1128694

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Алексеева, Мокров, Педоренко, Семенов

МПК: G01B 7/16, H01C 17/00

Метки: высокотемпературного, тензорезистивного, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ТЕНЗОРЕЗИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА, включающий последовательное нанесение на металлическую подложку изоляционного, тензорезистивного и проводящего слоев и термообработку после нанесения каждого слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности, расширения диапазона рабочих температур и уменьшения величины температурного коэффициента сопротивления, операцию нанесения тензорезистивного слоя осуществляют при температуре 360 10oС и выдерживают при ней в течение 3 - 5 ч.

Номер патента: 1172397

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Рыжаков, Цапулин

МПК: H01C 17/00, H01C 17/22

Метки: прецизионных, резисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРЕЦИЗИОННЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий формирование их на металлическом основании, термоциклирование, подгонку, технологическую герметизацию, охлаждение до температуры жидкого азота и циклическую электротермотренировку, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности резисторов в работе путем повышения стабильности их параметров, подгонку осуществляют после охлаждения резисторов до температуры жидкого азота пропусканием постоянного тока величиной, в 10 30 раз превышающей номинальный ток, в течение времени релаксации величины подгоняемого параметра к номинальному значению, а электротермотренировку осуществляют при изменении полярности тока после каждого цикла.

Номер патента: 1828306

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Крыжановский, Соколов

МПК: H01C 17/00

Метки: резисторов, тонкопленочных

...осуществляется после осаждения слоя кремния, а также с использованием ИК излучения при температурах 375 - 525 С в течение 15 - 25 минут на открытом воздухе, в результате чего на поверхности образуется защитный слой двуокиси кремния (ЯО ),В процессе окисления кремниевой пленки часть кремния диффундирует в приповерхностный слой резистивной пленки, в результате чего происходит упорядочение структуры приповерхностного слоя резистивного элемента, и как следствие, улучшается временная стабильность резистора в целом. Изменение фазового состава приповерхностного слоя резистивного элемента и упорядочение структуры пленки сопровождается уменьшением сопротивления, в то время как окислительные процессы увеличивают его,Способ изготовления...

Номер патента: 1598726

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Аванесян, Лазарев, Осипов, Савчук, Стусь

МПК: H01C 17/00, H01C 7/06

Метки: кремния, основе, резисторов, сплавов, тонкопленочных, хрома

1. Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния, включающий последовательное нанесение резистивных и проводниковых слоев на диэлектрическую подложку методом термического испарения в вакууме, формирование проводниковых и резистивных элементов методом фотолитографии, многократную термообработку в диапазоне температур 250 550°С, включающую нагрев, охлаждение, измерение сопротивления резисторов и расчет значений ТКС, изотермическую выдержку, подгонку величины сопротивления, причем термообработку прекращают по достижении заданных значений ТКС, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности изготовления за счет временной стабильности резисторов, подгонку величины сопротивления осуществляют в два этапа,...

Номер патента: 1598730

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Лазарев, Осипов, Стусь

МПК: H01C 17/00

Метки: кремния, основе, пленочных, резисторов, сплава, термообработки, хрома

1. Способ термообработки пленочных резисторов на основе сплава хрома и кремния, включающий многостадийную термообработку в диапазоне температур 350-450oС, каждая из которых содержит изотермическую выдержку, охлаждение до комнатной температуры, измерение величины сопротивления резисторов и расчет значений величин ТКС, причем операцию термообработки прекращают по достижении заданных значений величин ТКС, отличающийся тем, что, с целью повышения временной и температурной стабильности резисторов, после измерения величин сопротивления резисторов и расчета значений ТКС резисторы нагревают со скоростью 180-200oС/с до 460-500oC с последующим охлаждением и повторным измерением величин сопротивления резисторов и...

Номер патента: 1545825

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Исаев, Кузнецов, Филиппов

МПК: H01C 17/00

Метки: резистор

1. Резистор, содержащий диэлектрическую подложку с размещенными на ней резистивным элементом и контактными площадками, закрепленную в корпусе, отличающийся тем, что, с целью повышения термостабильности за счет уменьшения нелинейности изменения сопротивления в зависимости от температуры, он снабжен термочувствительным элементом, размещенным между подложкой и корпусом.2. Резистор по п.1, отличающийся тем, что он снабжен дополнительным термочувствительным элементом.

Номер патента: 1489479

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Исаев, Кузнецов, Филиппов

МПК: H01C 17/00

Метки: резистора, фольгового

Способ изготовления фольгового резистора, включающий формирование подложки, нанесение фольги, формирование резистивных дорожек с получением требуемого соотношения площадей сечений подложки и фольговых дорожек, подгонку величины ТКС, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности сопротивления в широком интервале температур, после операции формирования резистивных дорожек на поверхности подложки формируют ряд параллельных проводящих дорожек, при этом суммарную площадь сечения проводящих и резистивных дорожек определяют из следующего выражения:где Sn - площадь сечения подложки в направлении,...

Номер патента: 1491235

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Зайцев, Некрасов, Согуренко, Франк

МПК: H01C 17/00

Метки: резисторов, фольговых

Способ изготовления фольговых резисторов, включающий формирование на фольге резистивных элементов, травление фольги, химическую обработку резистивных элементов водным раствором соли, сушку и нанесение защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности и расширения диапазона рабочих температур, в качестве водного раствора соли используют раствор кислой калиевой соли щавелевой кислоты с концентрацией ее в пределах 0,5 - 1%, при этом время химической обработки составляет 10 - 20 с, а перед сушкой осуществляют промывку резистивных элементов дистиллированной водой.

Номер патента: 1082212

Опубликовано: 10.10.1999

Автор: Новокшонов

МПК: H01C 17/00

Метки: нерегулируемых, резисторов

1. Способ изготовления нерегулируемых резисторов, включающий формирование резистивного элемента из электропроводящих нитей, соединение нитей между собой и выводами и герметизацию, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения производительности труда и улучшения электрических характеристик, соединение нитей между собой осуществляют образованием петель и их взаимным переплетением в резистивное полотно плоской или трубчатой формы заданного топологического рисунка с последующим разделением полотна на отдельные резисторы.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что разделение резистивного полотна на отдельные резисторы по обеим координатам осуществляют неполными переплетениями нитей с...

Номер патента: 1318102

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Аванесян, Исаев, Кузнецов, Филиппов

МПК: H01C 17/00

Метки: резистора, фольгового

Способ изготовления фольгового резистора, включающий присоединение фольги к диэлектрической подложке, формирование к ней схемы резистора и подгонку величины температурного коэффициента сопротивления резистора, отличающийся тем, что, с целью уменьшения величины температурного коэффициента сопротивления в интервале температур от -60 до +140oС и повышения точности, перед операцией присоединения фольги к подложке осуществляют формирование подложки заданного сечения, площадь которого определяют из следующего выражения:где Sп - площадь сечения подложки, расположенной в плоскости, перпендикулярной...

Номер патента: 1667548

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Исаев, Кузнецов

МПК: H01C 17/00

Метки: резисторов

Способ изготовления резисторов, включающий намотку резистивной проволоки на цилиндрический каркас, состоящий из основной и дополнительной частей, выполненных из материалов с различными значениями температурного коэффициента линейного расширения, и регулировку характеристики температурной зависимости сопротивления, отличающийся тем, что, с целью снижения температурного коэффициента сопротивления, в качестве характеристики выбирают нелинейность температурной зависимости сопротивления, а ее регулировку осуществляют путем сматывания проволоки с дополнительной или основной части каркаса, при этом части каркаса располагают аксиально.

Номер патента: 900745

Опубликовано: 10.10.1999

Автор: Франк

МПК: H01C 17/00

Метки: резисторов, фольговых

Способ изготовления фольговых резисторов, включающий соединение металлической фольги с подложкой, нанесение маски на металлическую фольгу и ее травление через маску потоком ионов при напряжении потока ионов 1 2 кВ и плотности потока ионов 0,5 - 5 мА/см2 в течение 2 ч, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров и снижения температурного коэффициента сопротивления, после операции травления металлической фольги через маску осуществляют дополнительную обработку металлической фольги потоком ионов с напряжением потока ионов 3 - 6 кВ и плотностью потока ионов 6 - 10 мА/см2 в течение 1 - 6 ч.

Номер патента: 701381

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Григорьев, Дубровский, Терехов, Черепанов

МПК: H01C 17/00

Метки: пленочного, подгонки, резистора

Способ подгонки пленочного резистора, включающий нанесение проводящего материала на поверхность резистивного слоя с последующим проведением диффузии проводящего материала в материал резистивного слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения точности подгонки, проводящий материал наносят на поверхность резистивного слоя в виде островковой пленки, а диффузию проводящего материала в материал резистивного слоя проводят путем воздействия на островковую пленку световой энергии при одновременном охлаждении резистивного слоя.

Номер патента: 1521139

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Буц, Зайцев, Крюков, Соболев, Франк

МПК: H01C 17/00

Метки: резистор

Резистор, содержащий подложку, выполненную из металла, с размещенными на ее поверхности резистивным элементом из фольги на основе никеля или его сплавов и контактными площадками, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности и уменьшения тепловой инерционности, отношение толщины подложки к толщине фольги выбрано в пределах 30 : 1 - 100 : 1, а величины температурных коэффициентов линейного расширения подложки и фольги выбраны так, что их разность не превышает 25 10-7 1/oC.

Номер патента: 1461281

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Исаев, Кузнецов, Филиппов

МПК: H01C 17/00

Метки: резистора, фольгового

Способ изготовления фольгового резистора, включающий формирование на фольге резистивного элемента с контактными площадками, присоединение его к электроизоляционному основанию, присоединение выводов к контактным площадкам, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости и повышения надежности, присоединение резистивного элемента к электроизоляционному основанию и вывод к контактным площадкам осуществляют одновременно путем обжатия колпачками резистивного элемента и основания в области расположения контактных площадок, при этом на контактных площадках выполняют прямоугольные вырезы с расположенными по периметру надрезами.

Номер патента: 1524732

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Кузнецов, Кузнецова, Смыченко, Цаплин

МПК: H01C 17/00

Метки: резистор

Резистор, содержащий диэлектрическую подложку с размещенными на ней двумя резистивными слоями, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности сопротивления за счет уменьшения коэффициента тензочувствительности и упрощения конструкции, резистивные слои расположены на одной из сторон подложки и выполнены из материалов с противоположными по знаку коэффициентами тензочувствительности.

Номер патента: 1688724

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Согуренко, Франк

МПК: H01C 17/00

Метки: пленочных, резисторов

Способ изготовления пленочных резисторов, включающий соединение фольги с технологической подложкой, последующее покрытие фольги химически стойким материалом, формирование в нем пробельных участков, травление фольги через пробельные участки, удаление химически стойкого материала, подгонку сопротивления и формирование выводов, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих температур до 600oC, технологическую подложку размещают между двумя эластичными пленками на основе стекла с возможностью герметичного соединения эластичных пленок по периметру путем приложения давления, после чего полученную структуру обжигают при температуре плавления стекла.

Номер патента: 1581094

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Анкирская, Головко, Каминская, Недорезов

МПК: H01C 17/00

Метки: резисторов, толстопленочных

Способ изготовления толстопленочных резисторов, включающий формирование на диэлектрической подложке резистивного элемента, термическую обработку, ионную очистку поверхности резистивного элемента и создание контактов к нему, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности за счет снижения и стабилизации величины, контактного сопротивления, ионную очистку поверхности резистивного элемента проводят при напряжении пучка ионов 2 - 4 кВ и плотности потока ионов 6 - 10мА/см2 в течение 0,5 - 4 ч.

Номер патента: 1470118

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Зайцев, Некрасов, Согуренко, Туркова, Франк

МПК: H01C 17/00

Метки: резисторов, фольговых

Способ изготовления фольговых резисторов, включающий формирование резистивных элементов на фольге, ее травление, нанесение со стороны вытравленных углублений стеклоцемента, отжиг и подгонку сопротивления, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих температур до 400 - 500oC, перед операцией нанесения стеклоцемента его обрабатывают 20 - 30%-ным водным раствором азотнокислого марганца и подвергают термообработке в интервале температур 180 - 200oC в течение 1 - 1,5 ч.

Номер патента: 1290941

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Кузнецов, Лазарев, Осипов

МПК: H01C 17/00

Метки: резистора, тонкопленочного

1. Способ изготовления тонкопленочного резистора, включающий формирование на диэлектрической подложке двух резистивных слоев с противоположным по знаку относительным изменением во времени и соединение их между собой последовательно или параллельно, отличающийся тем, что, с целью повышения временной стабильности сопротивления резистора, после формирования резистивных слоев с противоположным по знаку относительным изменением сопротивления во времени, определяют величину относительно изменения сопротивления каждого резистивного слоя по истечении 250 ч, после чего определяют величину сопротивления каждого слоя по выражению (1) в случае последовательного соединения резистивных слоев и по...