428451

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Республик(11) 428451 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬ 1) Зависимое от авт. свидетельства 1) М, Кл, О 11 с 11/16,8 22) Заявлено 26.04,73(21) 19 исоединением заяв сударственныи комитетавета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий 2) Приоритетпубликовано 1.5(53) УДК 28 327 1)6 05)74 Бюллетень18ия описания 151274 ко ата о 72) Авторы изобретени ебедь, Ю. М, Яковлев, В, и П. П, Пахомов илон 71) Заявитель151)СПОСОБ УПРАВЛ ЕН ИЯИЛИНДРИЧЕСКИМИ МАГНИТНЫМИДОМЕНАМИ латся,ачиере. Изобретение относится к вычислительной технике, в 11 стцости, 1; построению зацомицак)ших и логических устройств на основе унр;:вляемсц О движения цилиндрических магнитных доменов (ЦМД), и к электронике СВЧ. Носителем информации в доменных5 усгройствах памяти явля)отся стабильные магнитные цилиндрические домены, способные перемещаться цри внешних воздсйлвцях, создающих в монокристалле учалкц пониженной энергии вдоль траектории дьцж.цця ЦМД. 1 о Известно несколько способов перемещения 1 сМД, основанных на создании локальных зоц пониженной эцс,ргии. Так, например, нродви)кение ЦМД с помощью 1 теавы х 1 роводникошнх схем, обтекаемых импульсами тока.Этот способ характеризустся малой плслностьк) информации, сложностьк) уравлеция последовательць)ми импульсами тока, Относительно большой потребляемой мощностью, необходимост ью термос габизации усгроистна из-за разогрева ласгиц),1 импульсами с большой цлогцостью Ока. Сцс)соб продвцжеци 5 ЦМД с 1 омоясьО 1)срмаллоевых клинообразных апцликаций и цульсцрук)щего магцигцого ноля, церцецдцкулярцого к ио:всрх 1(ктц 1,1 аст 1 ь, 1 рцОдсц тлько дл 51 доменоц, ииск)1 ццх Относит(1 но бс)льшой диа метр ( 1 сЭ мкм), что не позволяет достигать высокой плотности записи информации. Кроме того, продвижение ЦМД с помощью Т или термаллоевых ацпликаций и магнитного цо- ля, приложенного в плоскости пластины. По.слсдний способ, получивший в настоящее время наиболее широкое расцространечие, позво:ляет осуществлять достаточно высокую плотность записи информации, однако связан со значительными техцологичессими трудностями получения цермаллосвых ацпликапий определенной геометрии, жесткими требованиями к свойствам и толщине цермаллоя, а также требованиями, нала немыми на вращаюцсеся магнитное поле; црц этом самые незначительные дефс кты мс)иокрцсталлической и стинки или пленки Отршьзтельно сказываю на надежность работы устрс)йства.Дя обесцс.чеция в 1 с ОКОЙ скороси нерединформации предлагаегся направленное и мещенне ЦМД ос уцьестчля гь с помощью: ,ультразвуковых (УЗ) упругих вс)лн, в узлах соторых создаются локальные участки цоци:;женной энергии, определяющие иеремещецие 1 и фиксированное положение домена.Нафим. 1 показано устройлво для рсализа. .ции предлагаемого способа; ца фиг. 2 иластина с доменами и узлами (тоячей ультразвуковой" волны.Тонкая монокристаллическая пластина или пленкаиз магнитоодноосного материала помещается между двумя пластинами 2, образуя звукопровод. Для поддержания стабильного размера ЦМД иа пластину накладывается магнитное поле, вектор напряженности которого перпендикулярен к поверхности пластины, Для возбуждения ультразвуковой волны в звукопроводе с помощью связки 3 кре-, пится пьезоэлектрический преобразователь 4. с нанесенными на нем электродами 5.Пьезоэлектрическим преобразователем может служит пластина, изготовленная из пьезоматериала, либо тонкая пьезоэлектрическая пленка, осажденная в вакууме иа торец звукопровода, если необходимо управлять движением доменов с размерами меньше О мкм.Пьезоэлектрический преобразователь воз-буждает ультразвуковые колебания кристаллической решетки, При этомв пластине образуется стоячая ультразвуковая волна, Узлы стоячей ультразвуковой волны являются локальными зонами пониженной эисргии. Кроме того, упругое попе, воздействуя иа кристал,лическую решетку, модулирует величину силы связи доменов 6 с дефектами кристалпической решетки. Домен перемещается н состоянии с минимумом энергии, т, е, в узеп 7 стоячей ультразвуковой волны.Расстояние между узлами определяется длиной ультразвуковой волны. Изменяя длину волны (меняя частоту электромагнитного сигнала, поданного на преобразователь), мож- но осуществлять направленное перемещение ЦМД по трааекториям, образованным узлами ультразвуковых волн.. Этот способ управления движением доменов обладает следующими преимуществами, но сравнению с известными, и позволяет значи 4тельно повысить быстродействие устройства, так как скоростьдвижения доменов можно приблизить к скорости распространения ультразвуковых волн в твердом теле; значительно упростить технологию изготовления элементов памяти, исключая необходимость нанесения пермаллоевых аппликаций, снимает ограничения, налагаемые технологией изготовления пермаллоевых элементов чалых размеров (до 1 - 5 мкм), что требуется для увеличения 1 О плотности записи информации; производитьнаправленное распространение доменов в двух взаимно-ортогональных направлениях, что достигается при помощи двух пьезопреобразователей, расположенных по торцам монокристаллической пластины магнитного материала.Предлагаемый способ управления ЦМДпредназначается для осуществления направленного перемещения доменов в запоминающих устройствах вычислительной техники. Совместно с генератором ЦМД, аннигилятором и 20 устройством считывания информации пластн.на ионокристаллического материала, на которую воздействуют ультразвуком, представляет собой регистр сдвига.На чертежах позиция 8 - генератор.125П редмет изобретенияСпособ управления цилиндрическими магнитными доменами в пластине монокристаллического магнитоодноосного материала, основанный на приложении внешнего магнитного поля смещения, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, в пластине создают стоячие ультразвуковые волны, лока,лизуют цилиндрические магнитные домены вучастках с пониженной энергией, соответствующих узлам указанных волн, и перемещают цилиндрические магнитные домены путем поЗ 5 следовательного изменения частоты ультразвуковых волн.,фи Составитель В,филопичЛ,ТЮРИНЛКорректор ИТ,Курилов 03 Щ Изд,/ 3 Ч Тираж 3 з ХЗ одписно тров сударственного комитета Совета Мин по делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская наб., 4 НИИ 11 И Предприятие Патент, Москва, Г, Бережковская наб., 24