Доменорасщепляющее устройство

ОПИСАНИЕ ЙЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(51) М. Кл. 6 11 с 11/16 Гасударственных комитет Совета Министров СССР оа делам изобретений и открытий(72) Авторы изобретения Е. В. Карасев и В, С, Потапов Институт электронных управляющих машин(54) ДОМЕНОРАСЩЕПЛЯЮЩЕЕ УСТРОИСТВО Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть применено в запоминающих устройствах, в которых в качестве носителей информации используются магнитные цилиндрические домены.Продвижение цилиндрических доменов в магнитоодноосных кристаллах обычно осуществляется под действием градиентных магнитных полей, создаваемых ферромагнитными аппликациями при их намагничивании во внешнем управляющем магнитном поле, вращающемся в плоскости пластины кристалла. Обычно ферромагнитные продвигающие аппликации имеют Т или У-образную и прямоугольную, а также нак называемую шевронную конфигурацию.Известно доменорасщепляющее устройство, содержащее пластину магнитоодноосного кристалла, на которой расположены расходящиеся под острым углом шевронные пермаллоевые аппликации. Расходящиеся шевронные аппликации служат для того, чтобы растянуть магнитный цилиндрический домен. Это необходимо для надежного его считывания,В таком устройстве может осуществляться разделение магнитого домена на два путем его предварительного растяжения с последующим образованием двух цилиндрических доменов,Однако область устойчивой работы такого устройства довольно ограничена, так как возможны сбои, проявляющиеся в том, что растянутый магнитный домен не расщепляется, а стремится сжаться к каналу, в котором 5 магнитный домен имеет наибольшее сцепление с шевронными аппликациями этого канала.Цель изобретения - повышение надежности работы домено-расщепляющего устройст ва.Это достигается тем, что предлагаемое устройство содержит элемент расщепления магнитного домена в виде прямоугольной ферромагнитной аппликации, расположенной на 15 поверхности пластины магнитоодноосногокристалла между расходящимися шевронными аппликациями. Элемент расщепления магнитного домена служит для того, чтобы расщепить магнитный домен, растянутый расхо дящимися шевронными аппликациями, с образованием двух магнитных доменов. Таким образом увеличивается область устойчивой работы устройства, содержащего расходящиеся шевронные аппликации.25 На фиг. 1 - 3 показана схема расщеплениямагнитного домена на два магнитных цилиндрических домена.На поверхности пластины 1 кристалла помещаются шевронные продвигающие аппли кации 2, которые дают начало двум продви446110 Предмет изобретения фиг фиг Составитель Е. Карасевактор С, Бычихина Техред В. Рыбакова Корректор Е. Хмелев каз 2129/6 Изд.574 ЦНИИПИ Государственно по делам и Москва, ЖПодписноССР Тираж 591о комитета Совета Министрообретений и открытий, Раушская наб., д. 4/5 пография апупова, 2 гающим каналамС, и Сз, Между расходящимися шевронными аппликациями на поверхности пластины кристалла помещается элемент 3 расщепления магнитного домена 4 в виде прямоугольной ферромагнитной аппликации.Магнитный домен, предварительно растянутый шевронными аппликациями в продвигающем канале С, при своем движении во внешнем поле управления захватывается одновременно расходящимися шевронными аппликациями, образующими продвигающие каналы С и С 2, и еще больше растягивается. Под действием отрицательного полюса, образованного при намагничивании ферромагнитной аппликации элемента 3, растянутый магнитный домен расщепляется с образованием двух доменов в продвигающих каналах С и С 2.В результате действия отрицательного полюса ферромагнитной аппликации элемента расщепления расширяется область устойчивой работы устройства и повышается надежность его работы; расщепление магнитного домена в таком устройстве облегчено за счет 5 предварительного его растяжения,10 Доменорасщепляющее устройство, содержащее пластину магнитоодноосного кристал-" ла, на которой расположены расходящиеся под острым углом шевронные пермаллоевые аппликации, отличающееся тем, что, с 15 целью повышения надежности работы устройства, оно содержит элемент расщепления магнитного домена, в виде прямоугольной ферромагнитной аппликации, расположенной на поверхности пластины магнитоодноосного 20 кристалла между расходящимися шевронными аппликациями,