G03F 7/26 — обработка светочувствительных материалов; устройства для этой цели

Номер патента: 1454116

Опубликовано: 25.07.1995

Автор: Кудряшов

МПК: G03F 7/26

Метки: фотолитографии

СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИИ, включающий нанесение на подложку позитивного фоторезиста, модификацию его приповерхностного слоя пучком высокоэнергетических частиц, экспонирование через фотошаблон и проявление, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей за счет плавного управления снижением фоточувствительности фоторезиста, в качестве высокоэнергетических частиц используют электроны с энергией 1 5 кэВ.

Номер патента: 1517663

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Алейникова, Бунин, Малахов, Сутырин, Федорова, Хриткин

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: структур, субмикронных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР, включающий формирование резистивной маски путем нанесения на подложку слоя резиста, его электронно-лучевого экспонирования и жидкостного проявления, удаление недопроявленных остатков резиста в кислородной плазме и реактивное ионно-лучевое травление подложки под углом к обрабатываемой поверхности, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления структур, удаление недопроявленных остатков резиста в кислородной плазме осуществляют путем реактивного ионно-лучевого травления под углом к обрабатываемой поверхности, равным углу при последующем реактивном ионно-лучевом травлении подложки.

Номер патента: 1577555

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Алейникова, Николенков, Сутырин, Хриткин

МПК: G03F 1/00, G03F 7/26, H01L 21/312 ...

Метки: хромовых, шаблонов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ХРОМОВЫХ ШАБЛОНОВ, включающий создание на поверхности заготовки шаблона защитной маски и реактивное ионно-лучевое травление пленки хрома, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических свойств шаблонов, реактивное ионно-лучевое травление пленки хрома проводят на 80 - 90% ее толщины, затем проводят ионно-лучевое травление в атмосфере инертного газа в течение времени t, удовлетворяющего соотношению t=(0,1-0,2) мин, где - время реактивного ионного травления пленки хрома на всю толщину, после чего осуществляют...

Номер патента: 1565302

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Бунин, Иноземцев, Кораблин, Малахов, Самохин, Серова

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: подложке, полупроводниковой, рельефа

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФА НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий последовательное нанесение на подложку слоев электронорезисторов с термообработкой каждого слоя, формирование многослойной маски путем экспонирования и проявления системы слоев и перенос рисунка маски в подложку путем химического травления подложки в окнах маски, отличающийся тем, что, с целью повышения точности получения точности элементов рельефа, нанесение на подложку первого слоя электронорезиста осуществляют из раствора сополимеров полиметилметакрилата и метакриловой кислоты в смеси бутилацетата, толуола и этилцеллозольва, причем данный слой наносят толщиной 0,01 - 0,1 мкм, а его термообработку проводят при 210 - 220oС.

Номер патента: 1501756

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Бунин, Курмачев, Мякиненков, Николенков, Павлова

МПК: G03F 1/00, G03F 7/26

Метки: фотошаблонов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОШАБЛОНОВ, включающий нанесение на подложку металлического маскирующего слоя, нанесение слоя электронорезиста на основе полиметилметакрилата, его сушку, экспонирование, проявление, термическое задубливание и селективное травление маскирующего слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет улучшения адгезии электронорезиста к металлическому маскирующему слою, перед травлением проводят обработку подложки в СВЧ-поле с удельной мощностью 0,2 - 0,8 Вт/см2 в течение 10 - 60 с.

Номер патента: 1834588

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Берестенко, Боков, Буравцев, Можаров, Мшенская, Сатаров, Шевченко

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: интегральных, микросхем, рельефа, формирования

...ф 10 кл/смприводит к тому, что резист не сшивается,а края рисунка расплываются, что существенно повышает дефектность.Экспонирование дозой более 5 ф 102кл/см может привести к полимеризациипленки резиста, которая является маской дляплазмополимеризованного слоя, что такжеповышает дефектность.Реактивно-ионное травление плазмополимеризованного стирола проводят при давлении не более 10 Па и удельной мощности2,5 - 3 Вт/см,Травление плазмополимеризованного стирола при давлении более 10 Па ведет кувеличению остаточных частиц в объеме и,к уменьшению длины их свободного пробега,а значит эти частицы имеют возможностьчаще сталкиваться с рабочей поверхностьюподложки и могут быть захвачены, ею, чтоповышает привносимую дефектность,Травление при...

Номер патента: 1112913

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: G03F 7/26

Метки: подложке, стеклянной, фотошаблона

Способ изготовления фотошаблона на стеклянной подложке, включающий нанесение на нее пленки хрома, фотолитографию по металлу и ионное облучение, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости фотошаблона, пленку перед фотолитографией облучают ионами бора или азота, или углерода с энергией, обеспечивающей средний проецированный пробег ионов (Rp) в пределах 1/3 Rp dM, где dM - при дозах обучения 1017-5oC1818ион/см2, а после фотолитографии нагревают фотошаблон...

Номер патента: 1598707

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Довнар, Кисель, Красницкий, Турцевич, Цыбулько

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: интегральных, схем, элементов

Способ изготовления элементов интегральных схем, включающий формирование на подложке функционального слоя, формирование на нем фоторезистивной маски, сухое травление функционального слоя через маску, удаление фоторезистивной маски, осаждение слоя планаризующего материала и его анизотропное травление до полного вскрытия планарной поверхности функционального слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения качества элементов интегральных схем за счет снижения их дефектности, перед формированием фоторезистивной маски на поверхность функционального слоя наносят слой тантала, перед сухим травлением функционального слоя осуществляют сухое травление слоя тантала, а перед осаждением слоя...