G01N 25/72 — обнаружение локальных дефектов

Номер патента: 715985

Опубликовано: 15.02.1980

Авторы: Барминов, Зорина

МПК: G01N 25/72

Метки: дефектов, клеевого, обнаружения, соединения

...способе обнаружения дефектов наблюдается опадение выявленных при вакуумировании выпучи ваний диаметром более 20 мм при охлаждении иэделий и не происходитфиксации дефектов. целью изобретения является увеличение разрешащцей способности способа.Цель достигается тем, что по предлагаемому способу охлаждение изделия до исходной температуры производят под вакуумом.Таким образом, увеличивается раз" ность давлений, воздействующих на дефектное место, при этом сохраняется конфигурация дефекта.П р и м е р . Проводят вакуумирование изделий с обшивкой иэ фольгированного стеклопластика, склеенных эпоксиполиамидным клеем с температурой стеклования 333 К, в ко-торых искусственно созданы дефекты диаметром 25 мм, по следующему режиму:Остаточное давление Па...

Номер патента: 717639

Опубликовано: 25.02.1980

Авторы: Ворожцов, Гавинский, Кицанов, Потапов

МПК: G01N 25/72

Метки: бесконтактного, неразрушающего, теплового

...залеганиядефекта. При сканирующем контроле устройство устанавливается на тележку,перемещающуюся по поверхности изделия(на чертеже не показана).Попадая в улитку 6, воздушный потокприобретает интенсивное круговое вращение. Под действием газодинамических.процессов происходит перераспределение .энергии воздушного потока. Периферийныеслой (показаны стрелками) движутсявдоль трубки 5, подогреваются и вытекают через дроссельный вентиль 14 в/сопло 12, Приосевые слои воздушногопотока охлаждаются и, двигаясь противо - током от вентиля 14, выводятся черездиафрагму 7 и патрубок 8 в стакан 9.Крестовина 15 усиливает температурныйэффект вихревой трубы, Меняя положение7176 вентиля 14, можно изменять расходы итемпературы холодного и горячего...

Номер патента: 723442

Опубликовано: 25.03.1980

Авторы: Барминов, Зорина

МПК: G01N 25/72

Метки: дефектов, клеевого, обнаружения, соединения

...процесса дсфектоскопии достигается тем, что вакуумировипие иэделия происходит щън высокоэлистическомсостоянии полимерной основы клея илиизделия, при этом достпгиетсл полнил де42 420 мм на изделиях сложной конфигурации с любой кривизной поверхности. Способ позволяет определить дефекты на краях изделия. 3 7234 формация тонкой детали. Вакуумирование прекращается при такой температуре, при которой полимер перешел в стеклообразное состояние, а конфигурация дефекта сохраняется вследствие релаксационных свойств полимеров. Изделие извлекается из вакуумной камеры, дефектное место фиксируется визуальными, оптическими и инструментальными методами. Оконча - тельное охлаждение изделия до исходной 10 температуры происходит вне вакуумной...

Номер патента: 744301

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Басов, Белокур, Гаврилин, Дайкер, Конаш

МПК: G01N 25/72

Метки: дефектов, обнаружения, поверхностных, подповерхностных

...плотности вихревых токов на этихучастках.В районе дефекта происходит концентрация магнитного поля, вследствие чего удельная плотность вихревых токов становится вьпае, Большей плотности вихревых токов при прочих равных условиях соответствует и большая температура в нагреваемом участке.Задача повышения чувствительности способа сводится к обеспечению максимальной неравномерности плотности вихревых токов в местах дефектов,Максимальная неравномерность плстности вихревых токов в местах дефектовдос тига ется лишь в том случае, когдатолщина прогрева равна глубине преимущественного залегания дефектов(толщина слоя, подлежащего контролю)Градиент температур на поверхности заготовки между дефектными и бездеФектными участками может достигать...

Номер патента: 783667

Опубликовано: 30.11.1980

Автор: Бекешко

МПК: G01N 25/72

Метки: неразрушающего

...д.4/5Подписное филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4 случае это может соответствовать, например, трем нзаимнопермендикуляр-, ным сторонам изделия) температура будет,занисеть от тОго, как расположен дефект (перпендикулярно или параллельно амплитуде колебаний).Снятие картины теплового поля по всей3 поверхности изделия и сопоставление расположения участков с повышенной температурой, их площади, формы при различном приложении вибрации позволяет определять как глубину залега ния, так и ориентацию дефекта (направлеиие, раскрыв трещины и др). Дополнительную информацию о величине и форме дефекта дает сравнение тепло- ныХ картин, полученных при различных 13 частотах колебаний. Сравнение их позволяет судить о форме и размерах...

Номер патента: 787969

Опубликовано: 15.12.1980

Автор: Гавинский

МПК: G01N 25/72

Метки: бесконтактного, неразрушающего, теплового

...горячем конце энергоразделительной камеры 5 укреплено седло 14 с дроссельным вентилем 15, камерой 16 иканалами 17 для вывода горячего потока в кольцевую камеру 18, образуемую седлом 14, стенкой знергоразделительной камеры 5, фланцем 19 и раздвигающейся оболочкой 20. На конце,цроссельного вентиля 15 имеется 35 крестообразный развихритель 21. Во фланце 19 выполнено сопловое отверстие 22, направляющее горячий воздушный поток на поверхность контролируемого изделия. 40Фланцы 9 и 19 могут скользяще перемещаться по наружной поверхности энергоразделительной камеры 5 вдоль образующей и фиксироваться стопорными винтами 23 и 24 относительно направляющего стержня 25, укрепленного на приливах корпуса 1 и седла 14.Устройство работает...

Номер патента: 808925

Опубликовано: 28.02.1981

Автор: Романченко

МПК: G01N 25/72

Метки: дефектоскопииизделий, тепловой

...элемент;электрическое сопротивлениетермочувствительного элемента;Т - температура разогретого термочувствительного элемента;Тс - температура поверхностиконтролируемого иэделия;Н - коэффициент рассеяния термочувствительного элемента.Приоднородной массе тела изделия коэффициент рассеяния Н в любой точке его поверхности постоянен, при наличии в теле, изделия дефекта, например полостч, меняется количество тепловой энергии, рассеиваемой термочувствительным элементом в тело контролируемого изделия, что приводит к изменению постоянной времени Т термочувствительного элемента вследствие изменения величины коэффициента рассеяния"рН(2) где ,Г - постоянная времени термочувствительного элемента;в - масса разогретого участкатела;с - удельная...

Номер патента: 813225

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Головин, Киперман, Слетков

МПК: G01N 25/72

Метки: дефекто-скопии, электротермический

...зоне сварного соединения разнородных металлов 21 .Недостатком способа является не возможность обнаружения дефекта вне эоны сварного шва, Кроме этого, способ не позволяет определить геометрические параметры дефекта, его ориентацию. 30 Цель изобретения - повышение инФормативности способа, а именно, определение отношения длины дефекта ак радиусу кривизны г в вершине, атакже его ориентации.Поставленная цель достигается тем,что в злектротермическом способе деФектоскопии, основанном на нагревеизделия путем пропускания через негоэлектрического тока, первый импульстока пропускают в произвольном направлении и измеряют максимальный относительный перегрев 9, в зоне дефекта, через интервал времени, в течениекоторого 8 становится равным единице,...

Номер патента: 817567

Опубликовано: 30.03.1981

Автор: Романченко

МПК: G01N 25/72

Метки: дефектоскопииизделий, тепловой

...кривой переходного процесса (участок 1) изменения температуры Т термочувствительного элемента между уровнями ТА и Т, Крутизнакривой переходного процесса изменения температуры термочувствительногоэлемента определяется коэффициентомрассеяния Н термочувствительного элемента, однозначно связанного с еготепловой постоянной времени ь.Р ОСЬ д - 1Нгде % - тепловая постоянная временитермочувствительного элементта;в - масса нагретого уч стка тела;с - удельная теплоемкость материала контролируемого изделия;Н - коэффициент рассеяния термочувствительного элемента.Коэффициент рассеяния Н зависитот теплопроводности массы тела вместе разогрева, При наличии дефекта (полость, инородное тело и др.)в теле контролируемого изделия меняется тепловое...

Номер патента: 824003

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Головин, Киперман

МПК: G01N 25/72

Метки: дефектос-копии, электротермический

...координаты (а,о), она. равнаЕ Е 1-1 впуили, заменяя Ь через гасЯ (+ - у( ) С учетом закона Ома аналогич 1 ое выражение имеет место и для плотности. 45 тока. Таким образом, в вершние дефекта эллиптической форьы происходит увеличение плотности потока по сравнению со средней по образцу в р раз50Р= ЕдафнЯв Е где- .коэффициент концентрацииэлектрического тока в вершине дефекта (трещины);К= -- безразмерный параметр, определяющий степень вытянутости и остроты дефекта. 4Очевидно, концентрация тока вбли" зи устья трещины приводит к заметному повышению температуры в этой области, которое позволяет обнаружить дефект.Максимальной величины температура достигает в условиях адиабатического нагрева, когда за время действия импульса тока теплопроводность...

Номер патента: 834486

Опубликовано: 30.05.1981

Автор: Дятлов

МПК: G01N 25/72

Метки: изделиях, обнаружения, поверхностныхдефектов, электропроводных

...свойстваматериала изделия;глубина расположения поверхностного деФекта или трещины; 35частота, при которой умень- .шается .перепад температуры,К П р и м е р , Проводят контроль алюО миниевых изделий в виде пластин размерами 10 х 20 х 100 мм, имеющих трещины на поверхности с наибольшей площадью. Регистрацию температуры поверхности пластин осуществляют известным спосо-бом с помощью радиометра. Нагрев токами высокой частоты осуществляют с помощью индуктора с источником энергии в виде лампового генератора. Температура нагрева не превышает температуру окружающей среды более, чем на 5-8 С. Регистрируют температуру поверхности пластины, на которой имеется поверхностная трещина. Затем нагревают эту поверхность токами высокой частоты при частоте...

Номер патента: 857837

Опубликовано: 23.08.1981

Автор: Дятлов

МПК: G01N 25/72

Метки: дефектоскопии, тепловой

...обеспечивающей проникновение тока на расстояние от поверхности изделия, равное половине толщины цилиндра, Эту частоту определяют по известйой формуле, описывающей.скин-эффект в цилиндрическом иэделииЬ 2(2,С 1 фсц сй ) , (1) где Ь - глубина проникновения тока;,о - относительная магнитная проницаемость,кр, - магнитная постоянная;у - удельная электропроводность,ш - циклическая частота переменного тока.Для контролируемой заготовки из алюминия с дефектом в виде раковины эти параметры составляют; Ь = 10 мм,1, Фо= 4 Л 10 Гн/м, 3" = 3,6 х х 107 Ом "м ,ы = 4 45 10 рад/с, а2 частота электрического тока составляет 71 Гц. Затем увеличивают частоту переменного тока и одновременно измеряют величину перепада температуры поверхности заготовки в...

Номер патента: 879427

Опубликовано: 07.11.1981

Автор: Клименко

МПК: G01N 25/72

Метки: качества, сварных, соединений

...1964, с.110-115.2. Там же, с.189-198 (прототип). Тираж 910 Подписное филиал ППП "ППтент",г.ужгород, ул, Проектная, 4 том химического потенциала или градиентом термодинамической активности, Таким образом, в сварном соединении разнородных металлов или металлов с различной концентрациейхимических элементов существуютвозможность создавать условия интенсивного диффузионного массопереносакомпонентов.Зона сварного соединения, содержащая дефекты в виде пустот, непроваров, неметаллических включений,10.и т.п., является барьером для диффузионного потока, сокращающим количество диффундирующего компонентапри последующем после сварки нагреве,:обеспечивающем эту диффузию. 15В случае соединения конструкционной стали с быстрорежущей таким компонентом...

Номер патента: 879428

Опубликовано: 07.11.1981

Автор: Дятлов

МПК: G01N 25/72

Метки: дефектов, изделиях, многослойных, обнаружения

...приемниками теп ла 3 и 4 и исследуемой поверхностью изделия - соответственно 1 и 1 .На фиг.2 и 3 представлены выходные сигналы приемников тепла и датчиков . расстояния: на фиг.4 - предтавлен результирующий сигнал прием- иков тепла и датчиков расстояния.При сканировании нагретой поверх ности изделия приемники тепла зарегистрируют .перепады температуры Т над каждым из дефектов 10 и 11 юдоль линии сканирования Х. Кроме того, при кратковременном изменении рас- Я стояний между приемниками тепла иисследуемой поверхностью изделия,вызванным погрешностями сканирующего устройства, изменится ( при уменьшении расстояния увеличится) выходной сигнал приемников тепла, что вызовет появление локального максимума 12 на кривых б и д фиг.2.Кривые О и д...

Номер патента: 890203

Опубликовано: 15.12.1981

Автор: Дятлов

МПК: G01N 25/72

Метки: дефектоскопии, тепловой

...повышение выявляемости дефектов.20 Пример 1. Проводят дефектоскопию батареи пленочных фотоэлементов из сульфида кадмия (солнечная батарея). Через фотоэлементы пропускают электрический ток890203 Формула изобретения Составитель С. Беловодченко РедакторТимохина Техред А. Бойкас Корректор Г. Назарова Заказ095:/69 Тираж 910 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035,. Москва, Ж - 35, Раушская набд, 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4силой 0,1 А и при этом их облучают светом, вызывающим изменение протекающего электрического тока примерно в 1,5 раза, при освещенности, эквивалентной 100 мВт/см солнечного спектра, Распределение температуры регистрируют известным способом с помощью...

Номер патента: 890204

Опубликовано: 15.12.1981

Автор: Дятлов

МПК: G01N 25/72

Метки: дефектоскопии, диэлектрических, тепловой

...Государственного комитета СССР по делам изобретений и оз крытий 113 ОЗ 5, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г, Ужгород, ул, Проектная, 4дефект в диэлектрическом материале контролируемого изделия с иным, чем у дефекта показателем преломления, вследствие резонансного поглощения электромагнитных волн дефектом (вибратором) при частотах, соответствующих основной собственной частоте 1/1 и гармоникам высшего порядка, в области дефекта выделяется избыточное количество энергии, в конечном счете превращающейся в тепло, что и обеспечивает ряд максимумов. По значению частоты Ч, можно по известным формулам, описывающим резонансное поглощение электромагнитных волн, определить размер дефекта.Пример. Проводят тепловую...

Номер патента: 972367

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Долгов, Короткая

МПК: G01N 25/72

Метки: дефектоскопии, тепловой

...объекта. При этом в областях дефектов, прерывающих или уменьшающих тепловой поток, температура выше, чем в бездефектных. Это приводит к соответствующему изменению цвета в отраженном свете жидкокристаллической пленки. Наблюдение оптического изображения теплового рельефа может быть осуществлено через прозрачный поршень.Пример реализации способа. Пусть в сосуде под поршнем находится воздух при температуре Т -- 27 С (300 К) при нормальном давлении Р -- 1 атм, Образец - плоская металлическая пластина с тонким диэлектрическим покрытием, толщина которого с -- 0,2 мм, а коэффициент теплопроводности )= 0,5 вт/м.град, в котором имеется локальная неоднородность, представляющая собой воздушную прослойку толщиной й -- 0,01 мм и коэффициентом...

Номер патента: 976363

Опубликовано: 23.11.1982

Авторы: Головин, Киперман, Тялин

МПК: G01N 25/72

Метки: дефектоскопии, электротермический

...7,440 Р 1 ЪО =0077 м 3 9763Для пояснения сущности предлагаемогоспособа воспользуемся понятием мгновенного точечного источника теплоты. Физической схемой, воспроизводящей мгновенный точечный источник, является случай,когда в малый объем за весьма малыйпромежуток времени вводится количествотеплоты 9 . Электрический ток, концентрируясь у кончика трещины вызывает локальный разогрев этой зоны. 10Поэтому вершина трещины, обтекаемая,импульсом тока, хорошо соответствует модели мгновенного точечного источника,После окончания импульса тока тепловая волна распространяется по телу, под-"чиняясь уравнению теплопроводности, решение которого выражается формулойдТ С Н)д Е 4 жЬ,Чгде Т - температура в рассматриваемойточке с координатами Х, 3, 7.-...

Номер патента: 1004847

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Белокур, Владыченский, Гаврилин, Луфт, Марченко, Плинингер

МПК: G01N 25/72

Метки: дефектов, обнаружения, поверхностных, подповерхностных

...чтобы уменьшить количества переданного вглубь заготовки тепла при дальнейшем нагреве, при предварительной стадии ее нагревают на большую глубину, чем глубина пре имущественного залегания дефектов.Частота тока следующей стадии нагрева заготовки, имеющей магнитную проницаемость 1 ед составляет 5-30 мГц и определяется глубиной преимущественного залегания дефектов, которая, как уже было сказано, 25 равна 0,5-3 мм. На чертеже изображена установка, с помощью которой реализуется предлагаемый способ (вариант) .Установка для обнаружения поверхностных и подповерхностных дефектов изделий включает транспортный роль- ганг 2, по. которому может перемещаться заготовка 1. Над заготовкой по 35 ходу ее перемещения расположены пирометр 3,...

Номер патента: 1038857

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Иванов, Лобанов, Сухарев

МПК: G01N 25/72

Метки: дефектоскопии, тепловой

...его тепловую дефектоскопию.В качестве примера расчетной схемы рассмотрим определение локального коэффициента температуропроводности в изделии, математической моделью которого может быть принята неограниченная пластина толщиной 2 Й.Величина относительной избыточной температуры в точке контроля на поверхности пластины, в случае ее симметричного охлаждения при конечных и неопределенных граничных условиях третьего рода, для регулярного режима в моменты времени и сг может быть выражена следующими соотношениями:6= Р(в ехр (-и Ро) (4) СеврВ 4 )еер е р ), 1 е относительная избыточная температура в точке контроля на поверхности пластины в моменты времени с" и Ф и г - абсолютные значения температур в моменты времениф ЯЗп ь СОЗ 11 1 (з) ИВ)- пгз...

Номер патента: 1075131

Опубликовано: 23.02.1984

Авторы: Вавилов, Иванов, Ширяев

МПК: G01N 25/72

Метки: активного, теплового

...просто отемпературе в некоторой точке, находящейся на определенном расстоянииот источника нагрева, а о температурах И точек, располокенных вдольлинии сканирования,В предлагаемом способе при правильном выборе длины строки сканирования можно выявить дефекты на всехглубинах при одноразовом сканировании, поскольку дефекты на различныхглубинах будут создавать максималь"ные сигналы в различных элементахстроки.Скорость сканирования 1 полученаисходя из условия, согласно которому один просмотр строки сканирова- .ния должен производиться за время,равное времени перемещения объектаконтроля на,один элемент сканирования, т. е. 1/у = П, где 1 - скоросттперемещения объекта, И - число элементов сканирования, определяющееячеек и 1 строк матрицы...

Номер патента: 1081510

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Вавилов, Симанчук, Ширяев, Янисов

МПК: G01N 25/72

Метки: активного, дефектов, теплового

...11, регистрирующую собственноеоптическое излучения 12 и соединенную 60через электронный блок 13 с блоком14 индикацииУстройство, реализующее предлагаемый способработает следующим образом,Объект 1 контроля, содержащий дефекты 2 - 4, перемещается со око" ростью Ч относительно приемника 7 ультразвуковых колебаний и оптической головки теплового дефектоскопа 11. Скорость Ч выбирается иэ условия Ч(1 Р , где Е - частота следования импульсов, Э - характерный размер зоны нагрева, которое обеспечивает сканирование объекта, беэ пропуска дефекта.Источник 5 нагрева генерирует импульсное излучение б, периодически попадающее на поверхность объекта 1 контроля. В зоне падения пучка формируется эона повышенной температуры, Размер зоны нагрева и...

Номер патента: 1111085

Опубликовано: 30.08.1984

Авторы: Битюков, Кормушкин, Куртев, Смирнов

МПК: G01N 25/72

Метки: дефектоскопии, изделия, тепловой

...свою очередь, дает возможность после измерения числа элементов разложения между изображениями первого опорногоизлучателя и проекцией дефекта нанаправления сканиронания количествен"но определить местоположение дефектаи его размеры, Например, при тепловой дефектоскопии многослойных изде-.-лий размеры дефекта (например, непроклеи) определяются с погрешностьюне превышающей 1%.На фиг, 1 показано расположение изделия с дефектом и опорных излучателей; на фиг. 2 - структурная схема устройства для реализации предло. женного способа,Способ осуществляется следующим образом.Изделие 1, дефектоскопию которого необходимо выполнить, устанавливают между источником нагрева и регистратором его теплового излучения. Затем в плоскости изделия устанавливают...

Номер патента: 1140023

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Головин, Киперман, Тялин

МПК: G01N 25/72

Метки: дефектоскопии, электротермический

...уменьшается, а время его достижения увеличиваетсяКроме того, кРивизна зависимости температу ры от расстояния вблизи максимума уменьшается (кривая становится более пологой). Это делает методически сложным (особенно на крупных образцах) точное определение момента достижения температурой максимального значенияЦель изобретения - повышение точ ности и упрощение определения координат дефекта.Поставленная цель достигается тем, что согласно электротермическому способу дефектоскопии, заклю- чающемуся в нагреве иэделия путем пропускания через него импульса электркческого тока, регистрации60 изменения температуры в трех точках поверхности изделия и определении координат верщины трещины, в два произвольные последовательные моменты времени...

Номер патента: 1151877

Опубликовано: 23.04.1985

Авторы: Иванов, Меркулов

МПК: G01N 25/72

Метки: неразрушающего

...с ним усилитель 4мощности, обеспечивающий усилениесигнала по мощности сигнала задающего генератора 3, на вход вибровозбудителя 1 подается сигнал некоторойзаданной частоты и амплитуды, приводящий в действие вибровозбудитгль 1,на столе которого установлена конструкция 2, испытываемая на вибропрочность. Контроль вибропрочностиконструкции осуществляется следующимобразом,Над контролируемым участком 2 устанавливается приемник 5 тепла. Привибронагружении конструкции 2 благодаря внутреннему трению, возникающему в образце, эа цикл напряжения вы"деляется некоторое количество тепла,в результате чего участок конструкции, подверженный циклической деформации, нагревается до некоторой температуры. Интенсивность тепловыделения участка конструкции 2...

Номер патента: 1173285

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Варганов, Геращенко, Поник

МПК: G01N 25/72

Метки: дефектов, изделиях, многослойных, обнаружения

...приемников 5-8 их результирующие выходные сигналы при отсутствии дефекта в контролируемом изделии 2 равны нулю.При наличии дефектов в контролируемом изделии 2 результирующие выходные сигналы соответственно с пар приемников 5,6 и 7,8 отличны от нуля. Так, например, при расположении видов дефектов 17 и 18 под одним слоем изделия 13 от верхней 4 поверхности контролируемого изделия 2 результирующий сигнал с приемников 5 и 6 (вверх от оси абсцисс на фиг,2) максимальный, а с приемников 7 и 8 (вниз от оси абсцисс 50 на фиг.2) - минимальный.При заглублении вида дефекта 20 под два слоя изделия результирующий сигнал с приемников 5 и 6 подает, а с приемников , 8 - воз" 5 растает. При расположении дефекта 19 под дефектом 18, если верхний...

Номер патента: 1176225

Опубликовано: 30.08.1985

Авторы: Дымченко, Жаров, Платонов, Юхимюк

МПК: G01N 25/72

Метки: дефектоскоп

...корпуса 5 тепловой головки. 40Корпус 5 вместе с чувствительным элементом помещены в термоизолирующуюнаправляющую втулку 12. Тепловаяголовка мембраной 9 контактирует сконтролируемым образцом 13 с дефектом 14.На фиг. 3 представлена схема включения терморезисторов, входящих всостав чувствительного элемента, гдеКт и Кт- терморезисторьц К 1 и В 2- 50йбалансные сопротивления моста; Е -ЗДС источника питания моста,Устройство работает следующимобразом.В подготовленном режиме тепловаяголовка запасается тепловой энергией, вырабатываемой электрическим нагревателем 10. Температурный уровень 225этой энергии определяется терморезистором 11, направляющая втулка 12 снижает потери тепловой энергии в окружающую среду и направляет тепловой поток от...

Номер патента: 1213407

Опубликовано: 23.02.1986

Автор: Бекешко

МПК: G01N 25/72

Метки: неразрушающего, теплового

...осуществлен одним из известных способов например, гало- генными лампами, лазерным лучом и др.) . Тепловое изображение поверхности в инфракрасном диапазоне после нагрева получают, например, посредством тепловизора (область спектральной чувствительности 2-: 14 мкм . Объемный нагрев арматуры осуществляется, например, с помощью индукционной плоской катушки при частоте 50 Гц - 20 кГц. Регистрируется излучение СВЧ-диапазона (длина волны 3-10 см). В настоящее время имеется ряд СВЧ-радиометров и других методов регистрации излучения в СВЧ-диапазоне. Методы СВЧ-термографии позволяют получать изображения и измерять распределение температуры с точностью 0,1 С. Полученные два изображения в инфракрасном и СВЧ-диапазонах фотографируются на пленку в...

Номер патента: 1215751

Опубликовано: 07.03.1986

Авторы: Аносов, Бятец, Клименко, Скадин, Темченко

МПК: B05B 7/20, G01N 25/72

Метки: детонационная, качества, напыления, покрытий

...Онирасположены таким образом, что оптическая ось фотодатчика 10 пересекает геометрическую ось источника 9 в плоскости покрытия О, а геометрические оси ствола 1и источника 9 параллельны.30Установка содержит также преобразователь 11 сигналов фотодатчика 10, электромагнитное реле 12 и переключатель 13, одиниз неподвижных контактов которого соединен с выходом преобразователя 11 на второйнеподвижный контакт подано постоянное напряжение Е, а к подвижному контакту подключено реле 12. Командоаппарат 8 электрически связан с дозатором 3, свечой 2 иклапанами 5 7 через замыкающие контакты4 - 16 реле 12. 10Детонационная установка работает следующим образом,В режиме напыления покрытия переклю.чатель 13 устанавливается в положение а,на реле 12 подается...

Номер патента: 1265564

Опубликовано: 23.10.1986

Авторы: Иванишина, Стороженко, Ушаков

МПК: G01N 25/72

Метки: качества, термосов

...воздуходувкой 4. Целесообразно подавать воздухв несколько газовых сопел 5, расположенных друг от друга на расстоянии,равном шагу и.Это позволяет минимизировать гидравлические потери за счет уменьшения скорости газовых струй и добиться одинакового прогрева внутреннихколб всех термосов 6. Б результатеподачи теплого воздуха температуравоздуха в каждом термосе 6 становится выше температуры окружающей среды,но несколько ниже температуры радиатора 2.При поступлении термоса 6 в рефрижератор 3 начинает, охлаждаться внешняя колба термоса 6, и через некоторое время ее температура становится равнои температуре рефрижератора, а температурный. градиент между внутренней и внешней колбами термосов б достигает максимального значения.После...