Способ тепловой дефектоскопии изделий

О П И С А Н И Е890203ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскикСоциалистическикРеспублик ФФйФф(51) М. Кл. б 01 М 25/72 Гооударотееииык комитет Опубликовано 15,12.81. Бюллетень46Дата опубликования описания 25.12.81 по делам изобретеиий и открытий(54) СПОСОБ ТЕПЛОВОЙ ДЕФЕКТОСКОПИИ ИЗДЕЛИЙ Изобретение относится к неразрушающему контролю изделий, а точнее к способам тепловой дефектоскопии, и может быть использовано для обнаружения дефектов в изделиях из фотопроводников (фоторезисторы, фототриоды, солнечные батареи и пр,). Известен способ тепловой дефектоскопии, основанный на поверхностном нагреве изделия с последующим исследованием теплового поля поверхности изделия 11.Однако этот способ позволяет, в основном, обнаруживать только приповерхностные дефекты. Наиболее близким к предлагаемому является способ тепловой дефектоскопии, основанный на внутреннем нагреве изделияпутем пропускания через него электрического тока, регистрации распределения температуры поверхности изделия и суждении поней о наличии дефектов 2,Однако известный способ не обеспечивает достаточно высокой выявляемости дефектов в изделиях из фотопроводников в случае близких значений электропроводностидефектных областей и материала изделия.,2Целью изобретения является повышениевыявляемости дефектов в изделиях из фото- проводников.Поставленная цель достигается тем, чтосогласно способу тепловой дефектоскопии, основанному на внутреннеем нагреве изделия путем пропускания через него электрического тока, регистрации распределения температуры поверхности изделия и суждении по ней о наличии дефектов, одновременно с нагревом изделие облучают светом, вызывающим изменение протекающего через изделие электрического тока.Поскольку дефектная область и материализделия обладают различными фотоэлектрическими свойствами, то при облучении изделия светом, т.е. электромагнитными волнами в диапазоне 10 в 150 нм, разница в электропроводности дефектных областей и материала изделия возрастает, что приводит к увеличению перепада температур в области дефекта и, тем самым, обеспечивает повышение выявляемости дефектов.20 Пример 1. Проводят дефектоскопию батареи пленочных фотоэлементов из сульфида кадмия (солнечная батарея). Через фотоэлементы пропускают электрический ток890203 Формула изобретения Составитель С. Беловодченко РедакторТимохина Техред А. Бойкас Корректор Г. Назарова Заказ095:/69 Тираж 910 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035,. Москва, Ж - 35, Раушская набд, 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4силой 0,1 А и при этом их облучают светом, вызывающим изменение протекающего электрического тока примерно в 1,5 раза, при освещенности, эквивалентной 100 мВт/см солнечного спектра, Распределение температуры регистрируют известным способом с помощью радиометра, Перепад температур в области обнаруженных дефектов (области нарушения качества контакта полупрозрачного электрода с пленкой сульфида кадмия) при дефектоскопии по предлагаемому способу в 2 - 2,5 раза превышает перепад температур в тех же областях в случае применения известного способа (без облучения светом).Пример 2. Проводят дефектоскопию керамических заготовок для пьезодатчиков из ВаТ 10. Через заготовки пропускают электрический ток силой 50 мкА и при этом их облучают светом от ртутной лампы ДРТ - 1000 при длине волны 100 - 600 нм. Перепад температур в области обнаруженных дефектов (включения двуокиси титана) при дефектоскопии предлагаемым способом в 2 - 5 раз превышает перепад температур в тех же областях в случае применения известного способа,Предлагаемый способ обеспечивает повышение выявляемости дефектов в изделиях из фотопроеодников благодаря увеличению различия в электропроводности дефектных и бездефектных областей изделия. Причем с увеличением фоточувствительности материала изделия возрастает и выявляемость дефектов. Использование предлагаемого способа обеспечивает своевременную разбраковку изделий, что способствует увеличению сроков эксплуатации и надежности устройств, в которых используются контролируемые изделия из фотопроводников. оСпособ тепловой дефектоскопии изделий,основанный на внутреннем нагреве изделия путем пропускания через него электрического тока, регистрации распределения температуры поверхности изделия и суждении по ней о наличии дефектов, отличающийся тем, что, с целью повышения выявляемости дефектов в изделиях из фотопроводников, одновременно с нагревом изделие облучают светом, вызывающим изменение протекающего через изделие электрического тока. Источники информации,принятые вс внимание при экспертизе1. Неразрушающий контроль элементов иузлов радиоэлектронной аппаратуры. Под2 ред. Б, Е. Бердичевского. М., Советское радио, 1976, с. 128 - 129.2. Капиллярные и тепловые методы неразрушающего контроля. Под ред. А. К. Денеля,часть 2, Тепловые методы, М., ОНТИВИАМ1976, с. 47 (прототйп).