G01N 21/17 — системы, в которых на падающий свет влияют свойства исследуемого материала

Номер патента: 1702459

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Верещагина, Гридина, Кузнецов, Львов, Нимон

МПК: G01N 21/17, H01M 10/48, H01M 6/50 ...

Метки: источника, литиевого, разряженности, степени, химического

...НС при 80"С в тече л 2 - 5 мин и промывасп истиллиоованн; й водой, Полученный ди" ксид марганца л.еет черную окраску с зер;(ельным блеском г.о всей поверхности электрода, После Оса;кдения электрод промывают дистиллированной Водой и сува - на воздухе при 100 - 120 С з течение 2 ч, затем гермоосрабатывают гри 380 С в течение 30 мин, Разряд пленочных диоксидмарганцев:х электродов производят в 1 М растворе 1 "1 О 4 в поопиленкагбонате гри плотнос ди тока 0,02 мАусм-, Задатчи(ом тока слух(ит потенциостат " - 5848, потенциал разряда определяот на регистраторе КСГ 1-4. Вспомогательным злектоодом и элек 1 " О- дом соавнения служггг,металлический ли- тиЙ.П р и м е р 1, Ссвеа от диоксидмаргзнцевые эле(троды светол: д 5 иной Волы5 15 50 20 25 30...

Номер патента: 1704036

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Бандур, Буряк, Завадовская, Степанищева

МПК: G01N 21/17

Метки: степени

...натрия, имеющих темь ергтуру 900 С, количестео 14 айОз 2 от массы 13 аС. После барботажа через расплав пары ТСл конденсировались и собирались о приемнике. Анализ обработанного эталона по существующим методикам показа: совпадение с составом исходного эталоь а, Параллельно был снят электронный с" ектр псгло ценил дополнителыьо очищен 35 40 45 50 ТСл - УОСз). Колонка работает о безотборном режиьле 3 чдля достижения равновесия, после чего начинают фракционный отбор со скоростььо 0,02 л/ч, Первую фракцию, содержащую нижекипящие примеси (сьп., 136,6 С при Р 1 атм),(кубовый остаток), содержащую вышекипящие примеси (ткил136,6 С при Р" 1 атм), отбираемы в количестве 20 от юлассы исходного ТС 1 а отбрасыва от. Средняя (вторая) фракцив...

Номер патента: 1718054

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Кривецкий, Микадзе, Чагулов

МПК: G01N 21/17

Метки: оптически, прозрачных, состава, сред, стабильности

...сравнения, состоящую из двух кювет, одна из которых расположена между полюсами постоянного магнита с отверстиями для зондирующего излучения, причем ячейка выполнена с возможностью перемещения перпендикулярно оси зондирующего излучения и установки в двух фиксированных положениях.Сопоставительный анализ с другими известными устройствами контроля показывает, что в предлагаемом устройстве в ячейке Фарадея используется постоянное магнитное поле вместо переменного, Кроме того, в устройстве контроля обеспечена возможность перемещения ячейки Фарадея относительно зондирующего излучения. благодаря этим отличиям обеспечивается и;вышение достоверности контроля.45 50 55 На чертеже приведена блок-схема и редлагаемого устройства.Устройство...

Номер патента: 1728733

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Могильная, Саяпин, Соловьев, Шляева

МПК: G01N 21/17

Метки: анализаторов, нм, области, образец, поверки, спектра, спектрофотометров, стандартный, фотоколориметров

...в качестве аттестуемой характеристики значенилоптической плотности, измеренные при любой длине волны данной области с высокойстепеныю точности. Минимумы и максимумы поглощения при длинах волн 395, 340,280,236,220 нм в соответству,ощих диапазо. нах видимой области спектра 384 - 406 нм иультрафиолетовой области 320-350, 275290, 217-.240 нм позволяет использоватьэтот раствор в качестве Стандартного образца для поверки в широком диапазоне договидимой и ультрафиолетовой областяхспектра с погрешностью 0,6-0,80 ь.П р и м е р 1. Приготовление исходногораствора. Готовят 0,5 дмзисходного раствора конго красного квалификации ч, д. а. с.содерканием основного вещества не менее85 о с концентрациеи О 25 гдм О 250. конго красного растворяют в...

Номер патента: 1730568

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Барабошкин, Скорняков, Стук

МПК: G01N 21/17

Метки: спектральной, фотоприемника, чувствительности

...35 областью вольт-ваттной характеристики эталонного фотоприемника и предельным значением светового потока, падающего на исследуемый фотоприемник. Требование линейности вольт-ваттной характеристики 40 эталонного фотоприемника обусловлено необходимостью обеспечения работоспособности блока управления температурой тела накала источника излучения, для которого сигнал с выхода эталонного фотопри емника является управляющим сигналом.При отклонении от линейности, т,е, уменьшении крутизны характеристики, падает чувствительность эталонного тракта, что приводит к искажению снимаемой ха рактеристики (растягиванию, сглаживанию), а в области насыщения - к невозможности изменения температуры тела накала источника излучения, и снижает точность...

Номер патента: 1732239

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Карюкина, Крючков

МПК: G01N 21/17

Метки: дегидрохлорирования, композициях, поливинилхлорида, поливинилхлоридных, степени

...исследуют любой произ- " вольно взятый образец и по градуировочной зависимости (1) находят эна" чениедля данного образца.П р и м е р. Определяют степень дегидрохлорирования поливинилхлорида в гранулированном кабельном пластикате, получаемом на основе поливинил" хлоридной смолы Си содержащем в качестве пластификатора диоктилфталат.Эталонные образцы получают нагре,ванием порошка поливинилхлорида в.,3 . 173223материала в тетрагидрофуране, хрома- .графирование и определение интенсивности поглощения в Уф-спектре фракции, содержащей полимер.Недостатком известного способаявляется его малая точность при ана"лизе поливинилхлоридной композиции снеизвестным массовым составом и большая трудоемкость работы.Цель изобретения " повышение...

Номер патента: 717981

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Годлевский, Копытин

МПК: G01N 21/17

Метки: атмосферы, газового, состава

...сеяния относительно молекулярного или аэрозольного.Недостатком известных устройств для анализа газового состава атмосфе-; ры является недостаточная точность и надежность в определении газовых компонентов. Это обусловлено большими техническими трудностями, связанными с необходимостью высокой стабилизации частоты излучения лазера, настроенного на частоту спектральнойлинии газа атмосферы..Ы 2 717981 А 1 тно также устройсгазовых характеритическим зондировее лазер и оптическую пристему. В устройстве устано лазера, изменяющие длины на из которых совпадает со ьной линией исследуемого г угая не совпадает, Сравнитояния излучения от обоих определяют газовый состав ы.нтал КорректорЛ,фильЕ аЬФаеааааввеев ае Подписное бретениям и открытиям и аушская...

Номер патента: 1791760

Опубликовано: 30.01.1993

Автор: Прихач

МПК: G01N 21/17

Метки: жидких, поглощения, показателя, сред

...осйованном на измерении светового поля, создаваемого в толще жидкости изотропным источником, источник размещают над границей раздела воздух- жидкость, измеряют спектр плотности временных флуктуаций освещенности, обусловленный волнением границы раздела, определяют частоту характерного провала на кривой спектральной плотности флуктуацией, обусловленного корреляцией уклонов и возвышений волн, и вычисляют показатель поглощения по фор- муле где щ - показатель преломления жидкости;и - высота расположения источника над границей раздела;- глубина, на которой проводятся измерения;9 - ускорение свободного падения;йь - значение частоты провала нэ кривой спектральной плотности флуктуаций.Сущность изобретения поясняется фиг,1.На фиг.1 приведены...

Номер патента: 1793336

Опубликовано: 07.02.1993

Автор: Прихач

МПК: G01N 21/17

Метки: дистанционного, жидких, поглощения, показателя, сред

...раздела;1 О(и) - спектр функции чувствительности .приемника, приведенный к плоскости поверхности моря;Я( м, ) - спектр поперечного распределения освещенности, создаваемой точеч- "0 ным мононаправленным источникомединичной мощности, расположенным подповерхностью раздела;Хф, 1.) - одноточечная характеристическая функция совместного распределения "5 возвышений и уклонов волн;я - показатель ослабления, е =к+о;о - показатель рассеянияк - показатель поглощения;, а - параметр индикатрисы;в - показатель преломления воды;а= (в - 1)/в.Из (1) видно, что на некоторой частотеЪ, не зависящей от вида спектра волнения,. сомножитель становится равным нулю.Следует заметить, что провал до нуля накривой спектральной плотности флуктуацийполучен в...

Номер патента: 1685146

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Крутякова, Смирнов

МПК: G01N 21/17

Метки: облучения, пятна, радиуса, эффективного

...образуется область повреждения, состоящая иэ нескольких, случайным образом расположенных в фокальной плоскости линзы микроразрушений. Например, в виде полостей размерами10 мкм. ГРаница этой области ггт бУдетсоответствовать возникновению микроразрушения при интенсивности О, а изменение ее размеров при изменении интенсивности на оси пучка Оо в пределах 0=(5-10)0 будет определяться законом изменения О(г). Верхняя граница значений интенсивности (5-10)0, соответствующая образованию макроразрушения, обусловлена тем, что размеры макроразрушений в обьеме прозрачного материала (в отличие от размеров области повреждения поверхности непрозрачных легкоповреждаемых материалов, используемых в вышеперечисленных способах для определения Вэ на...

Номер патента: 1830141

Опубликовано: 23.07.1993

Автор: Дэвид

МПК: B23B 9/00, G01N 21/17, G01N 21/59 ...

Метки: волоконно-оптический, зонд, измерений, колориметрических

...возникающая в результате нечеткость. переданного светового сигнала не является особенностью при работе зонда,Обращаясь снова к фиг.2, можно увидеть детали пробоотборной камеры 9 и окружающей конструкции, Ближние концы оптических волокон 3 и 2 получаются, соответственно, со срезами 14 и 15. Поверхности среза 14 и 15 являются плоскими и срезаны таким образом, чтобы они были в основном перпендикулярны осям оптических волокон 3 и 2, соответственно, и одна поверхность, таким образом, была параллвльна другой, Срезы 14 и 15 отстоят друг от друга, на расстоянии.с образованием оптического промежутка. Ось 13, выходящая за пределы поверхности среза 15 в направлении поверхности среза 14. будет видна совпадающей с осью 16.Максимальная ширина...

Номер патента: 1771276

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Мушер, Проць, Рубенчик, Струц, Ступак

МПК: G01N 21/17, G01N 21/63

Метки: кристаллографических, ориентации, осей

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОРИЕНТАЦИИ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИХ ОСЕЙ относительно плоской поверхности кристалла, заключающийся в том, что на плоскую полированную поверхность кристалла направляют пучок линейного поляризованного излучения, регистрируют интенсивность излучения, провзаимодействовавшего с кристаллом, вращают кристалл и по изменению интенсивности судят об углах ориентации кристаллографических осей, отличающийся тем, что, с целью расширения типов исследуемых кристаллов, направляют на поверхность кристалла когерентное излучение, вращают кристалл вокруг оси, перпендикулярной к его облучаемой поверхности, и регистрируют интенсивность второй гармоники.

Номер патента: 609320

Опубликовано: 27.08.1997

Авторы: Денельи, Малкес, Родневский, Сукиасова

МПК: C09K 11/06, G01N 21/17

Метки: дефектоскопии, люминесцентной, пенетрант

Пенетрант для люминесцентной дефектоскопии, состоящий из люминофора-1,8-нафтоилен-1', 2'-бензимидазола, смачивателя и растворителя, отличающийся тем, что, с целью повышения интенсивности люминесценции в тонком слое и снижения токсичности, он содержит в качестве смачивателя синтамид и в качестве растворителя смесь, состоящую из дикумилметана, керосина и диметилфталата при следующем соотношении ингредиентов, мас.Люминофор-1,8-нафтоилен-1',2'-бензимидазол 0,6 0,7Синтамид 3,0 3,5Дикумилметан 35 40Керосин 13 16Диметилфталат Остальноем

Номер патента: 1394899

Опубликовано: 27.07.2000

Авторы: Киселев, Козленко, Легостаев, Овчаров

МПК: G01N 21/17

Метки: короткоживущего, лазерных, материалах, поглощения, фотоиндуцированного

1. Устройство для измерения фотоиндуцированного короткоживущего поглощения в лазерных материалах, содержащее облучатель и источник зондирующего излучения в виде импульсных ламп, монохроматор, фотоэлектрическую схему регистрации, блоки управления и питания, отличающееся тем, что, с целью повышения точности и расширения временного диапазона измерений, источник зондирующего излучения выполнен в виде прямой импульсной лампы, в одном торце которой расположен катод, а другой торец, служащий выходным окном, выполнен в виде плоскопараллельной пластины, прозрачной в диапазоне длин волн от 190 до 1000 нм, при этом анод расположен перпендикулярно разрядному каналу со стороны выходного окна и выведен...

Номер патента: 932891

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: G01N 21/17

Метки: полупроводникового, проводимости, типа

Способ определения типа проводимости полупроводникового материала, отличающийся тем, что, с целью его упрощения путем проведения бесконтактных измерений при исследовании вырожденных полупроводниковых материалов, измеряют спектральные зависимости эллипсометрических параметров анализируемого материала и эталонного невырожденного полупроводникового материала при длинах волн света, меньших длины волны, соответствующей красной границе полосы собственного поглощения эталонного материала, а о типе проводимости анализируемого материала судят по величине параметров при...

Номер патента: 1492912

Опубликовано: 10.10.2008

Авторы: Билан, Войтович, Гуревич, Калинов, Матюшков, Михнов, Салтанов, Чучалов, Шалапенок

МПК: G01N 21/17

Метки: заготовок, кальция, кристаллов, отбора, фтористого

Способ отбора заготовок кристаллов фтористого кальция, включающий измерение показателя поглощения a1 в диапазоне длин волн 200-800 нм, проведение отбора по предельно допустимому значению показателя поглощения на длинах волн измерений, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности отбора заготовок со стабильными оптическими характеристиками при радиационных воздействиях, отобранные заготовки дополнительно подвергают воздействию гамма-излучения дозой 2,6-26 Кл/кг, измеряют показатель поглощения a 2 на тех же длинах волн и проводят вторичный отбор заготовок по критерию a2/a1 <3.