Патенты с меткой «вторичного»
@ -(-2-окси-5-трет. октилфенилметил)амино@ метилмеркаптомасляная кислота в качестве вторичного ускорителя вулканизации каучуков общего назначения содержащих в качестве основного ускорителя сульфенамидного типа
Номер патента: 1213024
Опубликовано: 23.02.1986
Авторы: Киро, Парамонов, Симаненкова, Тархов
МПК: C07C 323/52, C08K 5/375
Метки: 2-окси-5-трет, вторичного, вулканизации, каучуков, качестве, кислота, метилмеркаптомасляная, назначения, общего, октилфенилметил)амино, основного, содержащих, сульфенамидного, типа, ускорителя
...полученной смеси добавляют41,2 г И-трет-октилфенола и 150 мл 35изопропилового спирта, нагревают реакционную массу до кипения и кипятят2 ч. По окончании выдержки массу охлаждают и подкисляют серной кислотой до рН 6. Выпавший осадок отфильтровывают и кристаллизуют иэ ацетона.Получают 20,9 г (573 от теоретического) белого порошка с т.пл. 167169 С (разл). Продукт растворим принагревании в ацетоне.Структура синтезированного продукта подтверждена данными элементногоанализа, ИК-спектроскопии.В ИК-спектре продукта отмеченоналичие полос поглощения в области, 50см 1: 2740(1),м), 1650, 1630(4 соон) э3200 1 4 ом) 14001320 Жсоон)е 5" 45 1Изобретение относится к новомухимическому соединению, конкретнок с -(2-окси-Прф-октилфенилметил -Это соединение...
Способ гидрофилизации изделий из вторичного полиэтилена
Номер патента: 1214709
Опубликовано: 28.02.1986
Авторы: Авраменко, Жиляк, Кащавцев, Лебедев, Разинков, Рассоха, Романова
МПК: C08J 11/04, C08J 7/14, C09K 13/04 ...
Метки: вторичного, гидрофилизации, полиэтилена
...полиэтилена обезжиривали ацетоном, затем погружали в раствор для гидрофилиэации, имеющий температуру 70-80 С, на 22-25 мин, Обьем транильного раствора готовили из расчета 10 мл на 1 см поверху ности следующим образом.В кислотоупорной ванне последовательно смешивали воду, серную и азотную кислоты, перманганат калия, перхлорат натрия и ацетат свинца. После тщательного перемешивания ком:понентов растзор подогревали до за" данной температуры. После выдержки Состав раствора, мас.7.:Серная кислотаЛзотная кислотаПерманганат калияПерхлорат натрияЛцетат свинца изделия в растворе его извлекали,1промывали проточной водой до рН 7и высушивали на воздухе.Составы раствора и режимы гид рофилизации приведены н табл. 1,Одновременно контрольные изделия...
Источник вторичного электропитания
Номер патента: 1229895
Опубликовано: 07.05.1986
Авторы: Воронов, Лозановский, Фарафонов, Чернышев
МПК: H02H 7/12
Метки: вторичного, источник, электропитания
...исполнительный орган 8, воздействующий на цепь управления автоматического выключателя 1.Устройство работает следующим образом.В нормальном режиме работы полупроводниковых преобразователей 3 выбросы на синусоидальной кривой напряжения на вторичных обмотках, вызываемые коммутацией вентилей разных преобразователей, возникают с некоторым сдвигом по времени (фиг. 2 а и б), в связи с чем напряжение, приложенное ко всем варисторным ограничителям (фиг.2 в), может быть больше амплитуды суммарного синусоидального рабочего напряжения только на величину одного такого выброса, что в целом снижает величину коммутационных воздействий на каждый варисторный ограничитель по сравнению с вариантом индивидуального шунтирования такими же ограничителями...
Устройство для вторичного охлаждения непрерывного слитка
Номер патента: 1235639
Опубликовано: 07.06.1986
Авторы: Айзин, Ермаков, Карпов, Поживанов, Рябов, Севостьянов, Угаров, Целиков
МПК: B22D 11/128
Метки: вторичного, непрерывного, охлаждения, слитка
...в распределительную камеру 6, прохбдит по направляющим паэам 8 в перегородке 7 и распыляется н виде водовоэдушного факела при выходе из сопла 4, Направляющие пазы со скрещивающимися осями позволяют образовать водовоздушный факел н форме эллипса с углом раскрытия, соответствующим углу направляющих па" зов перегородки. Наличие распределительных камер, расположенных по обе стороны от сопла в сочетании с направляющими пазами в переработке, обеспечивает равномерное распределение смеси по всему сечению Факела.Увеличение площади орошаемой понерхности достигается эа счет направляющих пазов в перегородке, .выполненных под углом 5-70 к оси сопла.Диапазон изменения углов направляющих пазов определяет угол раскрытия факела по малой оси. Уменьшение...
Источник вторичного электропитания
Номер патента: 1241209
Опубликовано: 30.06.1986
Авторы: Криницын, Лившиц, Степыгина
МПК: G05F 1/569, H02M 7/538
Метки: вторичного, источник, электропитания
...по цепям 16-19, ЗОУстройство работает следующим образом,При отсутствии перегрузок потоку преобразователь напряженияпреобразует постоянное напряжение35подводимое к среднему выводу трансформатора 2,в переменное, котороес помощью цепи 12 обратной связии регулятора 11 поддерживается нанеизменном уровне. При этом цепизащиты не влияют на работу преобразователя и источника электропитанияв целом. При возникновении перегрузки по току на выходе источникаэлектропитания напряжение, подводимое к среднему выводу выходноготрансформатора 2, начинает повышать ся за счет конечной величины внутреннего сопротивления выходноготрансформатора 2. При увеличенииуказанного напряжения выше некоторой заданной величины схема 13сравнения отпирает транзистор,6...
Способ получения вторичного бутилбензола
Номер патента: 1245564
Опубликовано: 23.07.1986
Авторы: Ахмедов, Самедова, Ханметов
МПК: C07C 15/02, C07C 2/68
Метки: бутилбензола, вторичного
...(10,1%). Производительность н этом цикле составляет 575,1 гвторичного бутилбензола наг титана. Выход целевого продукта на прореагировавший этилен 62,8%,Аналогичным образом в присут -ствии данного образца катализаторапроводят 20 опытов с общей продолжит пьностью работы катализатора80 ч, Селективность образования вторичного бутилбензола 60,8-70,3 мас,%.П р и м е р 4. 8,04 г комплексаА 1,0, Т 1 С 1 (в качестве оксиднойосновы используют -А 1,0 насыпнаяплотность 0,67 г 1 см, уд. поверхность 175 м /г, ш =. 2,76), содержащего 0,1632 г титана, что составляет 2,03 мас.%, в атмосфере сухогоазота помещают в сетчатый металли:,еский цилиндр, установленный н автоклаве объемом 200 мп, снабженномрубашкой для термостатиронания. Вавтоклав...
Способ контроля вторичного пробоя силовых транзисторов
Номер патента: 1246030
Опубликовано: 23.07.1986
Автор: Рудский
МПК: G01R 31/30
Метки: вторичного, пробоя, силовых, транзисторов
...поля от его линейной аппроксимации.Для транзисторов с однородным слаболегированным коллектором коэффициент К имеет значение порядка единицы, а для транзисторов с диффузионным и -и"- переходом К увеличивается до двух.В мощных высоковольтных транзисторах при равномерном распределении плотности тока по площади эмиттера условия возникновения лавинной инжекции обычно не выполняются даже при максимально допустимых значениях 1. . Однако при включении, а также после потери тепловой устойчивости однородное распределение эмиттерного тока резко нарушается, поэтому ВЛ, обусловленный лавинной инжекцией, наб 1246030людается как на коротких, так и относительно продолжительных испытательных импульсах. Сильное сжатие тока в СТ,независимо от...
Источник вторичного электропитания
Номер патента: 1246274
Опубликовано: 23.07.1986
Авторы: Водолагин, Латник, Летичевский, Павлов
МПК: H02M 3/335
Метки: вторичного, источник, электропитания
...выходно Ому напряжению масштабирующего делителя 10.Таким образом, при стабилизациинапряжения О, на выходе устройстваопорным напряжением, относительно 45которого сравнивается сигнал датчика тока преобразователя 1, является выходное напряжение масштабирующего делителя 1 О.При достижении током нагрузкимаксимального порогового значения3 .напряжение на выходе масштан.макс.1бирующего делителя 7 становитсяравным напряжению на неинвертирующем входе измерительного усилителя 4.При увеличении тока нагрузкибольше максимального порогового значения 3измерительный усилитель 4 вырабатывает напряжение,при котором блок 2 выбора режимазапирает выход измерительного усилителя 3 и подключает выход измерительного усилителя 4 к управляющему входу...
Устройство для вторичного охлаждения непрерывно-литых заготовок
Номер патента: 1245408
Опубликовано: 23.07.1986
Авторы: Айзин, Акимов, Ермаков, Смоляков, Целиков
МПК: B22D 11/124
Метки: вторичного, заготовок, непрерывно-литых, охлаждения
...сетки. Это обеспечивает выравнивание скоростей истечения Факелапо его ширине и соответственно плотности: орошения и равномерности охлаждения непрерывно-литой заготовки.Оптимальное соотношение размеровячейки сеточного распылителя в периферийной его части к размерам ячейки850в центральной части - находится вБпределах 1,1-1,5. Увеличение илиуменьшение этого соотношения снижаетравномерность распределения плотности орошения по сечению факела. Крепление распылителя к кожуху с помощьюподпружиненной рамки позволяет производить быструю его смену. Выполнение. сеточНого распылителя в форме шарового пояса позволяет добиться равномерности распределения плотности орошения и дисперсности распыления факела н горизонтальном сечении и, как следствие,...
Способ получения вторичного бутилового спирта
Номер патента: 1249011
Опубликовано: 07.08.1986
Авторы: Байрамгулов, Гущевский, Гущин, Лакиза, Мазин, Павлычев, Петров, Савин, Толстов, Файнштейн
МПК: C07C 29/06, C07C 31/12
Метки: бутилового, вторичного, спирта
...Н О 1005 и ВБС 18. Жидкость в сборнике конденсата разделяют на две фазы - на водно- спиртовой и отслаивающийся над ним ОС, ОС в количестве 130 кг/ч, в том числе, кг/ч: н -бутилены 13; полимеры 35; ДВБЭ 29; ВБС 39; Н О 14, выводят из системы водно-спиртовой слой, выходящий из сборника конденсата, в количестве 14384 кг/ч, в том числе, кг/ч: НО 12383; ВБС 1941; ИПС 60, смешивают с промывной водой, выходящей из абсорбера, при этом получают смесь в количестве 15407 кг/ч, в том числе, кг/ч: ВБС 1959.; ИПС 60; Н О 13388. Эта смесь поступает в реакционную колонну отгонки азеотропа ВБС, в которой получают дистиллят в количестве 2821 кг/ч,в том числе, кг/ч: ВБС 1921; ИПС 60;НО 840, и сточная вода в количестве12286 кг/ч, в том числе, к /ч: Н...
Способ дифференциальной диагностики вторичного гипогонадизма и задержанного полового развития
Номер патента: 1249462
Опубликовано: 07.08.1986
Авторы: Беникова, Демченко, Златник, Резников
МПК: G01N 33/76
Метки: вторичного, гипогонадизма, диагностики, дифференциальной, задержанного, полового, развития
...гонадотропина человека (ХГЧ).Способ осуществляют следующимобразом.У обследуемого берут образцыкрови путем венопункции до и послевнутримышечного введения в течениетрех дней ХГЧ в дозе 1500 ЕД в суткии исследуют в них содержание фоллитропина в крови, причем при уменьшении его содержания по сравнениюс исходным диагностируют ЗПР, а приотсутствии уменьшения - вторичныйгипогонадизм,Обследованию подлежат лица, укоторых исключен первичный гипогонадизм.П р и м е р 1. Больной К., 16лет, обратился в клинику с жалобамина отставание в половом развитии.При первичном обследовании содержание фоллитропина в плазме кровисоставляло 2,5 мМЕ/мл. При введенииХГЧ выявлено повышение уровня тестостерона в крови, что позволило исключить...
Устройство для направления и поддержания слитка в зоне вторичного охлаждения установки непрерывной разливки металла
Номер патента: 262334
Опубликовано: 23.08.1986
МПК: B22D 11/124
Метки: вторичного, зоне, металла, направления, непрерывной, охлаждения, поддержания, разливки, слитка, установки
...4 Изобретение относится к области непрерывной разливки металлов,В зоне вторичного охлаждения установки непрерывной разливки металла известно применение направляющих и поддерживающих элементов, выполненных в виде неподвижных брусьев, закрепленных на траверсах, Под действием ферростатического давления металла возникают значительные распорные усилия, под действием которых траверсы прогибаются. При этом конфигурацня сечения слитка искажается.Значительное раэдутие слитка от" рицательно влияет на процесс дальнейшей обработки непрерывного слитка, например, при его прокатке.Упругий прогиб траверс можно уменьшить, увеличив их жесткость, однако это ведет к утяжелению конструкцииДля устранения разнотолщинности по сечению слитка в предлагаемом...
Устройство для защиты источников вторичного электропитания
Номер патента: 1252864
Опубликовано: 23.08.1986
Авторы: Кровопусков, Лебединский
МПК: H02H 7/12
Метки: вторичного, защиты, источников, электропитания
...к отрицательным контролируемым источникам2 питания, а выходами подключенный.ксоответствующим входам блока датчиков минимальных и максимальных напряжений.Устройство работает следующим образом,Напряжения с контролируемых положительных источников 2 питания подаются непосредственно на соответствующие каждому источнику датчики блока1 минимальных и максимальных напряженийНапряжения с контролируемых отрицательных источников 2 питания подаются на соответствующие каждому источнику инверторы входящих в блок инверторов 13, точность инвертированиякоторых определяется классом точностиноминалов резисторов, устанавливаемыхво входной цепи и цепи обратной связиинвертора. С выхода каждого инверторанапряжение положительной полярности,величина которого...
Источник вторичного электропитания
Номер патента: 1252876
Опубликовано: 23.08.1986
Авторы: Водолагин, Даниэлян, Латник, Летичевский, Павлов
МПК: H02M 3/335
Метки: вторичного, источник, электропитания
...перегрузки по току через дополнительный блок 7 выбора режима. При дальнейшем уменьшении сопротивления нагрузки преобразователя широтно-импульсный модулятор 5 вырабатывает импульсы такой длительности, которая необхоДима для ограничения (стабилизации) на предельнодопустимом уровне выходного тока преобразователя 1, При этом на выходепреобразователянапряжение будетуменьшаться, а величина тока будетсохраняться на предельно допустимомуровне. В этом режиме работы преобразователя блок 3 запрета также находится в отпертом состоянии.При мгновенном коротком замыкании на выходе преобразователя на датчи- ке 2 тока образуется перепад напряжения, величина которого превышает напряжение порогового источника 13. При этом на выходе компаратора 9...
Направляющее устройство для зоны вторичного охлаждения
Номер патента: 273052
Опубликовано: 23.08.1986
Авторы: Бровман, Соловьев, Сурин
МПК: B22D 11/124
Метки: вторичного, зоны, направляющее, охлаждения
...смонтированные на поворотных рамах, укрепленных в центре кривизны установки,Недостаток этого устройства заключается в том, что для замены секциинеобходимо проведение монтажных работ непосредственно в зоне вторичного охлаждения, что весьма неудобноиз-за труднодоступности мест крепления секций к раме.С целью упрощения сборки и разбор.ки оборудования в предлагаемом устройстве секции смонтированы на рамахс возможностью радиального перемещения, что позволяет смещать секцииотносительно друг друга и, поворачивая рамы, устанавливать секции науровень площадок обслуживания.На фиг. 1 изображено предложенноеустройство, продольный разрез; нафиг. 2 - то же, вид в плане. Устройство содержит теплоотвбдящие секции 1, смонтированные на поворотных...
Устройство для электровихревого перемешивания жидкой сердцевины непрерывно-литого слитка в зоне вторичного охлаждения
Номер патента: 1253719
Опубликовано: 30.08.1986
Авторы: Долгих, Кирко, Крипченко, Самойлович, Ясницкий
МПК: B22D 11/14
Метки: вторичного, жидкой, зоне, непрерывно-литого, охлаждения, перемешивания, сердцевины, слитка, электровихревого
...валков,Устройство содержит скользящие 20 контакты 1, с помощью которых подводится электрический ток к поддерживающим валкам 2. Через поддерживающие валки 2 в слитке 3 вдоль оси вытягивания проходит электрический ток 25 (на фиг.З линии тока показаны сплошными линиями). Устройство содержит также П-образный Ферромагнитный сердечник, образованный валками 4, их креплениями 5 и вставками 6. При этом ЗО крепление 7, поддерживающее противоположное концы валков 4, выполнено из немагнитного материала.Устройство работает следующим образом.При пропускании с помощью контактов 1 через поддерживающие валки 2 по слитку 3 электрического тока вслитке 3 в области, примыкающей кП-образному Ферромагнитному сердечнику, благодаря последнему...
Доохлаждающее устройство для обработки вторичного сырья переохлаждением
Номер патента: 1257382
Опубликовано: 15.09.1986
Автор: Антонин
МПК: B29B 13/04, B29B 17/02, F25D 25/04 ...
Метки: вторичного, доохлаждающее, переохлаждением, сырья
...нельзя разместитьизмерительную технику. Энергия холодапаров жидкого азота используется недостаточно. Пары жидкого азота утекают из устройства наружу через не- .уплотненное пространство кдходнойкамеры, Листы жести, наваренные поспирали по всей длине эоны предварительного охлаждения, препятствуют свободному прохождению паров жидкогоазота через зту зону. Гидравлическиеустройства и концевые выключатели,размещенные в пространстве выходнойкамеры, подвержены воздействию высо"кого холода, что способствует высокой аварийности устройства.Предлагаемое доохлаждающее устройство для обработки вторичного сырьясостоит из вращающегося цилиндра эоныпредварительного охлаждения, которыйиз доохлаждающего вращающегося цилинд"ра отделен неподвижной...
Источник вторичного электропитания
Номер патента: 1257780
Опубликовано: 15.09.1986
МПК: H02M 3/337
Метки: вторичного, источник, электропитания
...1, выполненный из двухтранзисторов 2 и 3 и трансформатора4, выходной выпрямитель 5 с фильтромемкостного характера 6, задающийгенератор 7, выходы которого подключены к управляющим входам транзисторов 2 и 3.Через диоды 8 и 9 к силовым выводам транзисторов 2 и 3 подключеныконденсатор 10, к которому, в своюочередь, подключены выводы питаниязадающего генератора 7,Устройство работает следующимобразом.При подаче на источник вторичногоэлектропитания входного напряжения1через диоды 8 и 9 инвертора 1 начинает заряжаться конденсатор 10.Одновременно нарастает входное напряжение задающего генератора 7,При определенном уровне входного напряжения, меньшем, чем номинальноезначение входного напряжения устройства, начинает запускаться задающий...
Устройство для выпуска руды и вторичного дробления негабаритов
Номер патента: 1259011
Опубликовано: 23.09.1986
Авторы: Авербух, Митрошин, Смирнов
МПК: E21C 41/06
Метки: вторичного, выпуска, дробления, негабаритов, руды
...уровне с рольгангом и сопряженй с последним,Составитель В.ФриауфТехред А.Кравчук Корректор О.Луговая Редактор В.Иванова Заказ 5103/34 Тираж 470 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д.4/5Производственно-полиграфическое предприятие,г.Ужгород,ул.Проектная,4 1Изобретение относится к горнойпромышленности и может быть использовано при подземной разработке месторождений полезных ископаемых.Цель изобретения - снижение затрат на выпуск руды с кусками кондиционных размеров за счет уменьшенияобъема горных выработок.На чертеже представлено предлагаемое устройство,Устройство включает доставочнуювыработку 1 с размещенной в ней рудой 2, питатель 3, грохот 4, транспортный сосуд...
Стабилизированный источник вторичного электропитания
Номер патента: 1259433
Опубликовано: 23.09.1986
Авторы: Бундин, Дробышев, Стольный
МПК: H02M 3/335
Метки: вторичного, источник, стабилизированный, электропитания
...линейными элементами регулируемого делителя напряжения на резисторах 18 и 19,включенных в питающую диагональ мое"та между. выходом РЭ 2 и общей винойпитания, а два смежных плеча моста,связанных с эмиттером транзистора17, образованы резистором 2 1 и не 3 12594 линейным элементом - опорным стабилитроном 20. При этом с момента подачи питающего напряжения на входные шины источника напряжения на стабилитроне 20 и эмиттере транзистора 17 равно напрязению на питающей диаго-. нали моста и растет вплоть до момента открывания стабилнтрона 20, в то время как растущее напряжение базы транзистора имеет меньшую по ампли- О туде величину вплоть до момента установки стационарного:релзва регулнрования, что общспечивает закрытое состояние...
Стабилизированный источник вторичного электропитания
Номер патента: 1265739
Опубликовано: 23.10.1986
Автор: Кардаков
МПК: G05F 1/56
Метки: вторичного, источник, стабилизированный, электропитания
...и напряжение сети, преобразованное в постоянное выпрямителем 1,оказывается приложенным к первичнойобмотке И, силового трансформатора 3через конденсатор 19 и коллекторно"эмиттерный переход транзистора 18.При следующей полуволне, соответствующей положительному значению напряжения на вторичной обмотке Ик трансФорматора 8, транзистор 18 запирается и отпиракарй импульс поступает натранзистор 20 и выпрямленное напряжение сети через конденсатор 21 иколлекторно-эмиттерный переход транзистора 20 оказывается приложеннымк той же обмотке У трансформатора 3по обратной полярности. Так как индуктивность 22 и емкость конденсато1 АР 1 чР и соотвествующая ей индукцияв = н 55 ра 23 препятствуют скачкообразному нарастанию тока во вторичной обмотке...
Способ изготовления непрерывного вторичного эмиттера
Номер патента: 1265888
Опубликовано: 23.10.1986
Авторы: Васильченко, Волков, Рахматов, Рыкалин
МПК: H01J 40/16
Метки: вторичного, непрерывного, эмиттера
...возрастает до сопротивления исходного слоя Мд-МяО, т.е.до 1 мОм/п.Увеличение толщины пленки сурьмы,остающейся после обезгаживания, внесколько раз по сравнению с указанной (Ф 10 нм) приводит к резкомууменьшению сопротивления эмиттера досотен и десятков Ом/п, что являетсянедопустимым для эмиттеров непрерывного типа (вследствие электрическоймощности, выделяющейся на эмиттерепри необходимых номинальных значениях рабочих напряжений при номинальной разности потенциалов, распределяемой вдоль эмиттера, =1000 В, иего длине 10 см выделяющаяся электри"ческая мощность уже при сопротивлении эмиттера 1000 Ом/п составляет 100 Вт).Уменьшение указанной толщиныпленки сурьмы (4 нм) уже в два разаприводит в свою очередь к падению всреднем и значительному...
Стабилизированный источник вторичного электропитания
Номер патента: 1267557
Опубликовано: 30.10.1986
Автор: Кардаков
МПК: G05F 1/56, H02M 3/337
Метки: вторичного, источник, стабилизированный, электропитания
...сети задающий генератор 7 с самовозбуждением Формирует в обмотках выходного трансформатора 8 напряжение прямоугольной формы.При этом при полуволне, соответствующей положительному значению напряжения на вторичной обмотке У на транзистор 21 статического преобразователя 2 поступает отпирающий импульс и напряжение сети, преобразо,ванное в постоянное входным выпрями 3 12675 телем 1, оказывается приложенным к первичной обмотке У, силового трансформатора 3 через коллекторно-эмиттерный переход транзистора 21 и конденсатора 22, При следующей полу- волне, соответствующей положительному значению напряжения на вторичной обмотке ы трансформатора 8, транзистор 21 запирается и отпирающий импульс поступает на транзистор 23, 1 О а выпрямленное...
Устройство для электромагнитного перемешивания металла в зоне вторичного охлаждения
Номер патента: 1271639
Опубликовано: 23.11.1986
МПК: B22D 11/124
Метки: вторичного, зоне, металла, охлаждения, перемешивания, электромагнитного
...потока жидкого металла 10. Его активное движение ведет к разрушению образующихся дендритов, снятию перегрева жидкого металла и обеспечивает быструю кристаллизацию с получением максимальной равноосной зоны. Выраженное турбулентное движение потока металла исключает образование ликвационной неоднородности и белой полосчатости,слитка. Эти дефекты возникают при ламинарном движении металла или электромагнитном перемешивании в небольшом объеме жидкого металла слитка.Дополнительная турбулизация потока металла получается при использовании очередной фазы у каждых двух катушек 5 и 7, расположенных на двух полюсах 3 магнитопровода 1 с числом витков одной катушки, составляющим 1/2 - 1/4 числа витков второй катушки этой фазы. Тангенциально...
Устройство вторичного электропитания
Номер патента: 1272326
Опубликовано: 23.11.1986
Авторы: Мишанин, Федюнин, Целикин
МПК: G05F 1/569
Метки: вторичного, электропитания
...напряжения на неинвертирующих входах микросхем КЗ и ОБРЫВ выше опорного напряжения и обе микросхемы находятся в состоянии 1, выдавая на выходе напряжение питания мик 20 росхем +1 О В. Это напряжение поступает 25 на инвертор в преобразователе напряжения,а с инвертора управляет включением стабилизатора напряжения на микросхеме 142 ЕН 2, предназначенного для питания внутренних схем преобразователя. При снижении напряжения на неинвертируюшем входе любой из микросхем схемы зашиты до значения меньше опорного, а это возможно при коротком замыкании или обрыве в нагрузке, на объединенном выходе микросхем появляется 0, что приводит к выключению стабилизатора в преобразователе напряжения, а значит и самого преобразователя, Применение нелинейного...
Устройство включения вторичного источника питания
Номер патента: 1273900
Опубликовано: 30.11.1986
МПК: G05F 1/569
Метки: включения, вторичного, источника, питания
...ПРИ ПОЯВЛЕЕЕЕти ЗХСДНСО паП;П т,С.НЕЯЦ д вторичный етстотик ппа:;":е:. Ос,"ается обесточенным, тоске:и"тту закрытпусковой транзистор : 1 т",ч и, е; у",внии командного:. Нрсттепотпи .аппяжеНИЯ О т; ттЕрВЬЬ ртттры; 1 ат, с т ,сЕс.т. -Гся в лиейОо Обтп 1 сте транзистор 6.Ток коллектора 3 анзтестора 6 в своиочередь приоткрывает транзистор 1. ВВеличина тока коллектора транзистораб определяется напряжением на его базе и величиноц резистора 7, копдепсатор 5 при этом заряжается. Интегрирующее звено и резистор 8 образуют источник экспоненциального пв ра статот;еготока для базы транзистора . В цепибазы транзистора 1 тероеесод" г ело:,ение тока 1, от резистора 8 ет тока 1от генератора тока, который образованэлементами 6 и . Величина тока...
Система подачи вторичного воздуха в выпускной коллектор двигателя
Номер патента: 1275099
Опубликовано: 07.12.1986
Авторы: Лазарев, Лысенко, Старобинский, Фесина
МПК: F01N 3/34
Метки: воздуха, вторичного, выпускной, двигателя, коллектор, подачи
...тангенциальная форма давлений воздушного объема в камере воздухоочистителя; на фиг.4 низшая собственная радиальная форма.Система подачи вторичного воздуха в выпускной коллектор двигателя содержит воздухоочиститель 1, выполненный в виде кругового цилиндра и днища 2, снабженный соответственно, впускным 3 и выпускным 4 окнами и отверстием 5, в котором установлен снабженный обратным клапаном 6 трубопровод 7 подачи вторичного воздуха, посредством которого полость воздухоочистителясообщается с выпускным коллектором 8. Отверстие 5 имеет центр А, окна 3 и 4 имеют центры Б и В соответственно, при этом центры отверстия 5 (А) и выпускного окна 4 (В) отстоят от оси о-о цилиндра на расстоянии г = (0,58 - 0,68) К и расположены по обе стороны от...
Способ регулирования соосности кристаллизатора и поддерживающей секции зоны вторичного охлаждения и устройство для его осуществления
Номер патента: 1276435
Опубликовано: 15.12.1986
Авторы: Жаворонков, Нечаев, Николаев, Паршин, Шестаков, Щеголев
МПК: B22D 11/16
Метки: вторичного, зоны, кристаллизатора, охлаждения, поддерживающей, секции, соосности
...и поддерживающей секции зоны вторичного охлаждения слиток будет более плотно прижиматься к одной из рабочих стенок кристалл изатора и отходить от противоположной. Стенка, более плотно контактирующая со слитком, будет иметь и более высокую температуру. Таким образом, по разности температур противоположных стенок можно вполне определенно судить о всличине несоосности кристаллизатора и поддерживающей секции,Если несоосность небольшая, то перемещать следует поддерживающую секцию, поскольку технически это осуществить несложно. Однако при значительной несоосности (более 1 - -2 мм) перечецать поддерживающую секцию не следует, так как это влечет за собой существенное искажение технологической оси машины. В данном случае необходимо...
Устройство для подачи вторичного воздуха
Номер патента: 1278473
Опубликовано: 23.12.1986
МПК: F01N 3/22
Метки: воздуха, вторичного, подачи
...уменьшение габаритов,ци и уНа фиг. 1 показана схема устройстйства подачи вторичного возду ха на фиг. 2 тоже, продольный разрез.Устройство содержит ма р,агист аль 1 пою чю внутдачи вт роричного воздуха, соединя щ у 2 с выреннюю пололость воздухоочистителяп скным коллектором 3 и включающуюэлемент шумоглушенияпаны 5 подачи вторичного воздуха.им об азом.Устройство работает следующим рП работе двигателя отработавшие газыриря по выпускному коллекторудвижутсяебаниями давления, обусловленн . р;коле анияля, П и импульсебочим процессом двигателя, ри иразрежения в выпускном коллекторе 3 воздух поступает из внутутренней полости воздухоочистителя 2 по магистра,лив выпускной коллектор 3, обеспечивая при этомтов сгорания отп оцесс окисления продуктовра...
Система вторичного электропитания от сетей переменного и постоянного тока
Номер патента: 1278826
Опубликовано: 23.12.1986
Автор: Снегирев
МПК: G05F 1/569
Метки: вторичного, переменного, постоянного, сетей, электропитания
...пгг;нц О т пает в о с,к, задержки и на вывод, к . я блока О коммутации с "ис ояц,Ока. Прц этом б.Ок 10 комму гсцс,., сс -, постони гс тока замыкает (включает) цепь питания и напряжецис поступает в блок 11 зац,ит От перенапряжения и короткого вамкация в еисОс Оян цогй тока. С Зыхсхта указц цогй б;Ока 11 цап)яже 1 ие "сг 1 цает Р стаси,цзаторы7 напряженияагр з., С вХо са стабилизатсров 1, . а,ряжц цц поступае напряжене таки е,с,и контроля на выводы цравлс ь бл тказацнты. С блока 7 задержки напряжение с за,сржкой ца время переходно О цро сессацеустановившегося ре,",ихз, по 1, цас 1 а совой вывод для питацп; б, ока 1" ко тпо.я и управления, которо нацицае Осу ес Влять коцтрол ь выходих наяж ц. с 1 а билцзаторов, таемых от сети...